【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电阻膜制备
,特别是一种电阻器用金属氧化膜的制备方法。
技术介绍
金属氧化膜电阻器就是以特种金属或合金作电阻材料,用真空蒸发或溅射的方法,在陶瓷或玻璃基本上形成氧化的电阻膜层的电阻器。金属氧化膜电阻作为一种膜电阻器,金属氧化膜的成膜质量对于电阻本身电学性能有较大的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的是为解决现有技术中的问题,公开了一种电阻器用金属氧化膜的制备方法。为实现上述目的,本专利技术公开了一种电阻器用金属氧化膜的制备方法,其具体制备步骤为:(1)将锡、锑金属置入坩埚中,再置入熔融炉中加热至650-700℃,熔融2-3小时后取出置入冷水中水淬;(2)将水淬后的金属颗粒置入球磨机中,加入等质量的乙醇进行球磨,球磨24-30小时,再取出抽滤、烘干;(3)向球磨后的金属粉末中加入乙醇并搅拌10-15分钟,再将溶液涂覆在陶瓷基板上,置入烘箱中在140-160℃下烘干,再置入氧等离子体舱中处理5-10分钟得到金属氧化膜。本专利技术的优点和积极效果是:本专利技术方法采用金属超细粉体分散溶液涂覆工艺,使金属氧化膜的成膜迅速,粒度可控,可提高金属氧化膜的成膜质量。具体实施方式具体实施例一:一种电阻器用金属氧化膜的制备方法,其具体制备步骤为:(1)将锡、锑金属置入坩埚中,再置入熔融炉中加热至650℃,熔融2小时后取出置入冷水中水淬;(2)将水淬后的金属颗粒置入球磨机中,加入等质量的乙醇进行球磨,球磨24小时,再取出抽滤、烘干;(3)向球磨后的金属粉末中加入乙醇并搅拌10分钟,再将溶液涂覆在陶瓷基板上,置入烘箱中在140℃下烘干,再置入氧等离子体舱中处 ...
【技术保护点】
一种电阻器用金属氧化膜的制备方法,其特征在于其具体制备步骤为:(1)将锡、锑金属置入坩埚中,再置入熔融炉中加热至650‑700℃,熔融2‑3小时后取出置入冷水中水淬;(2)将水淬后的金属颗粒置入球磨机中,加入等质量的乙醇进行球磨,球磨24‑30小时,再取出抽滤、烘干;(3)向球磨后的金属粉末中加入乙醇并搅拌10‑15分钟,再将溶液涂覆在陶瓷基板上,置入烘箱中在140‑160℃下烘干,再置入氧等离子体舱中处理5‑10分钟得到金属氧化膜。
【技术特征摘要】
1.一种电阻器用金属氧化膜的制备方法,其特征在于其具体制备步骤为:(1)将锡、锑金属置入坩埚中,再置入熔融炉中加热至650-700℃,熔融2-3小时后取出置入冷水中水淬;(2)将水淬后的金属颗粒置入球磨机中,加入等质量的...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹维常,
申请(专利权)人:安徽斯迈尔电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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