作为杀真菌剂的取代的[1,2,4]三唑和咪唑化合物制造技术

本发明专利技术涉及式(I)化合物，其中各变量如权利要求书和说明书所定义，涉及其制备及其作为杀真菌剂的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及用于防治植物病原性真菌的取代的[1,2,4]三唑和咪唑化合物及其N-氧化物和盐，涉及防治植物病原性真菌的用途和方法以及涂有至少一种该化合物的种子。本专利技术还涉及制备这些化合物的方法、中间体、制备该类中间体的方法以及包含至少一种化合物I的组合物。DE3430833涉及α-(乙炔基苯基)-α-烃基-1H-唑-1-乙醇类及其作为杀真菌剂的用途。在许多情况下，尤其是在低施用率下，已知杀真菌化合物的杀真菌活性并不令人满意。基于此，本专利技术的目的是要提供对植物病原性有害真菌具有改进活性和/或更宽活性谱的化合物。惊人的是，该目的通过使用对植物病原性真菌具有有利杀真菌活性的本专利技术式I的取代的[1,2,4]三唑和咪唑化合物实现。因此，本专利技术涉及式I化合物及其N-氧化物和可农用盐：其中A为CH或N；R1为C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基或C3-C6环烷基；其中R1的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R1a：R1a：卤素、OH、CN、C1-C4烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基和C1-C4卤代烷氧基；其中R1的环烷基结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3、4、5个或至多最大数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R1b：R1b：卤素、OH、CN、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基和C1-C4卤代烷氧基；R2为氢、C1-C4烷基、C2-C4链烯基或C2-C4炔基；其中R2的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R2a：R2a：卤素、OH、CN、C1-C4烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基和C1-C4卤代烷氧基；R3选自卤素、CN、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C2-C4链烯基、C2-C4炔基、C3-C6环烷基和S(O)p(C1-C4烷基)，其中R3各自未被取代或者被1、2、3或4个R3a进一步取代；其中R3a独立地选自卤素、CN、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基；p为0、1或2；Z为卤素、CN、C1-C6烷基、Si(C1-C4烷基)3、C1-C6烷氧基或C(＝O)-O-(C1-C6烷基)；其中Z的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3或4个相互独立地选自如下的相同或不同基团RZ：RZ：卤素、CN、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、O-C6H5、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基。化合物I可以通过使用熟练技术人员已知的合适交叉偶联方法由化合物II得到。尤其可以使化合物II与炔烃在过渡金属催化剂如铜(I)盐、钯、铂、铑、铱或铝配合物存在下反应。优选在溶剂(如THF、DMF、MeCN、NEt3、Et(iPr2)N、吡咯烷、哌啶、吡啶、二乙胺)中使用CuI、Pd(PPh3)Cl2或Pd(PPh3)4或Pd(dppf)2Cl2或其混合物并且使用碱(如NEt3、Et(iPr2)N、吡咯烷、哌啶、吡啶、二乙胺)(例如参见Tetrahedron：Asymmetry，18(17)，2086-2090；2007；AngewandteChemie，InternationalEdition，43(29)，3814-3818；2004；Organometallics，25(24)，5768-5773；2006)。化合物II中的“Hal”为Br、Cl或F；优选Hal为Br或Cl。可能合适的是在进行上述程序之前使用JournaloftheAmericanChemicalSociety，2002，124，14844-14845中所述方法由碘化物交换这些卤素(得到化合物IIa)。可能合适的是以如下替换方式制备化合物I：可以在溶剂，优选THF中在低温下使化合物Ia暴露于强碱，优选n-BuLi，随后加入亲电试剂Z-E，其中E为可亲核置换的离去基团，如卤素、烷基磺酰基、烷基磺酰氧基和芳基磺酰氧基，或合适的亲电试剂，优选醛。类型Ia的化合物可以通过暴露于在质子性溶剂(优选MeOH)中涉及碱(优选K2CO3)或在合适溶剂如THF、MeCN中涉及氟化物源(优选但不限于四丁基氟化铵)的条件而由其中Z为三甲基甲硅烷基的化合物I合成。其中R2不为氢的化合物I可以通过使醇化合物I(R2＝H)与R2-LG优选在碱如NaH存在下在合适的溶剂如THF中反应而由该醇化合物得到，其中LG表示可亲核置换的离去基团如卤素、烷基磺酰基、烷基磺酰氧基和芳基磺酰氧基，优选氯、溴或碘，特别优选溴。卤代化合物II可以按如下得到。例如，可以通过熟练技术人员已知的几种方法将带有额外取代基的类型V的苯基碘转化成类型IVa的苯乙酮，其中Hal优选为Br。优选通过与合适的金属转移剂如异丙基氯化镁在惰性条件下在醚类溶剂如THF中反应将V转化成格利雅试剂并与乙酰氯反应。需要的话可以加入添加剂如LaCl3、CuCl2、AlCl3或其混合物。可以使用熟练技术人员已知的方法将类型IVa的乙酰基化合物卤化。优选使用氯化剂如Cl2、NCS或SO2Cl2将IVa氯化而得到类型IVb的α-氯代酮，然后可以用合适的有机金属物质，优选格利雅化合物处理后者而得到类型IIIa的叔醇：IIIa在碱存在下暴露于合适的唑类化合物导致通过该氯化物的亲核置换而形成类型II的化合物：或者类型II的中间体化合物可以按如下制备：可以使用上述方法将化合物V转化成其相应的格利雅类似物，然后用合适的酰氯处理而提供类型VI的化合物：然后例如使中间体IV与三甲基(氧化)锍卤化物，优选碘化物，优选在碱如氢化钠存在下反应而得到环氧化物III。然后使环氧化物III与1H-1,2,4-三唑优选在碱如碳酸钾存在下且优选在有机溶剂如DMF存在下反应而得到中间体II。N-氧化物可以由本专利技术化合物根据常规氧化方法制备，例如通过用有机过酸如间氯过苯甲酸(参见WO03/64572或J.Med.Chem.38(11)，1892-903，1995)；或用无机氧化剂如过氧化氢(参见J.Heterocyc.Chem.18(7)，1305-8，1981)或过硫酸氢钾制剂(参见J.Am.Chem.Soc.123(25)，5962-5973，2001)处理化合物I。氧化可能得到纯的单-N-氧化物或不同N-氧化物的混合物，后者可以通过常规方法如层析分离。若合成得到异构体混合物，则通常不一定要求分离，因为在某些情况下各异构体可能在为了应用的后处理过程中或在施用过程中(例如在光、酸或碱的作用下)相互转化。该类转化也可以在使用后发生，例如在植物处理的情况下在被处理的植物中或在待防治的有害真菌中。在下文中进一步描述中间体化合物。熟练技术人员容易理解本文就化合物I所给取代基的优选情形，尤其还有在下表中对相应取代基所给那些，相应地适用于中间体。因此，取代基在每种情况下相互独立地或者更优选组合具有本文所定义的含义。式V化合物至少部分是新的。因此，本专利技术的另一实施方案是式V化合物(见上文)，其中各变量如本文对式I所定本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I化合物及其N‑氧化物和可农用盐：其中A为CH或N；R1为C1‑C6烷基、C2‑C6链烯基、C2‑C6炔基或C3‑C6环烷基；其中R1的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R1a：R1a：卤素、OH、CN、C1‑C4烷氧基、C3‑C6环烷基、C3‑C6卤代环烷基和C1‑C4卤代烷氧基；其中R1的环烷基结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3、4、5个或至多最大数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R1b：R1b：卤素、OH、CN、C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷基、C3‑C6环烷基、C3‑C6卤代环烷基和C1‑C4卤代烷氧基；R2为氢、C1‑C4烷基、C2‑C4链烯基或C2‑C4炔基；其中R2的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R2a：R2a：卤素、OH、CN、C1‑C4烷氧基、C3‑C6环烷基、C3‑C6卤代环烷基和C1‑C4卤代烷氧基；R3选自卤素、CN、C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基、C2‑C4链烯基、C2‑C4炔基、C3‑C6环烷基和S(O)p(C1‑C4烷基)，其中R3各自未被取代或者被1、2、3或4个R3a进一步取代；其中R3a独立地选自卤素、CN、OH、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C3‑C6环烷基、C3‑C6卤代环烷基、C1‑C4烷氧基和C1‑C4卤代烷氧基；p为0、1或2；Z为卤素、CN、C1‑C6烷基、Si(C1‑C4烷基)3、C1‑C6烷氧基或C(＝O)‑O‑(C1‑C6烷基)；其中Z的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3或4个相互独立地选自如下的相同或不同基团RZ：RZ：卤素、CN、OH、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C3‑C6环烷基、C3‑C6卤代环烷基、O‑C6H5、C1‑C4烷氧基和C1‑C4卤代烷氧基。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.13 EP 14168155.1;2014.05.19 EP 14168766.5;1.式I化合物及其N-氧化物和可农用盐：其中A为CH或N；R1为C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基或C3-C6环烷基；其中R1的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R1a：R1a：卤素、OH、CN、C1-C4烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基和C1-C4卤代烷氧基；其中R1的环烷基结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3、4、5个或至多最大数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R1b：R1b：卤素、OH、CN、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基和C1-C4卤代烷氧基；R2为氢、C1-C4烷基、C2-C4链烯基或C2-C4炔基；其中R2的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R2a：R2a：卤素、OH、CN、C1-C4烷氧基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基和C1-C4卤代烷氧基；R3选自卤素、CN、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C2-C4链烯基、C2-C4炔基、C3-C6环烷基和S(O)p(C1-C4烷基)，其中R3各自未被取代或者被1、2、3或4个R3a进一步取代；其中R3a独立地选自卤素、CN、OH、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C1-C4烷氧基和C1-C4卤代烷氧基；p为0、1或2；Z为卤素、CN、C1-C6烷基、Si(C1-C4烷基)3...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·格拉梅诺斯，N·布戴，B·米勒，M·A·昆泰罗帕洛玛，A·埃斯克里巴诺奎斯塔，E·M·W·劳特瓦瑟尔，J·K·洛曼，T·格尔特，M·克雷奇默，I·R·克雷格，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE