【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新型复合陶瓷领域,尤其涉及一种新型碳化硅/碳化硼复合型陶瓷的制备方法。
技术介绍
碳化硼陶瓷可用于耐磨部件和防弹装甲,具有超高硬度、低密度等优点但存在烧结难、成本高的问题;碳化硅陶瓷应用广泛,具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损好、热稳定性好等优点,但硬度、强度没有碳化硼高,密度比碳化硼高,在对强度、硬度、重量要求高的应用场合,便难以满足要求。目前主要的碳化硅烧结方法为反应烧结和无压烧结。反应烧结碳化硅陶瓷:处理温度低、时间短、不需特殊及昂贵设备;反应烧结坯件不收缩,尺寸不变;成型方法多,烧结过程无需加压,可制备大尺寸、形状复杂的制品。但碳化硅的密度高,制品较沉重,由于制品中较高的游离硅含量会增加制品的脆性,降低制品的强度,严重影响反应烧结碳化硅的力学性能。碳化硼由于B与C原子半径很相近,两者电负性差值很小,形成很强的共价键,致密化烧结极其困难。目前碳化硼主要采用热压烧结的办法,但成本高、产量低,对生产设备要求太高,因此难以推广使用。
技术实现思路
本专利技术针对上述不足,提供了一种强度高、密度低、易烧结、致密度高的碳化硅/碳化硼复合陶瓷材料的制备方法。本专利技术是以碳化硼作为增加相,与炭黑、碳化硅混合均匀后复合烧结,相互弥补两种材料的不足,使两种材料更易于应用,以达到本专利技术目的。具体技术方案如下:一种碳化硅/碳化硼复合陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)将三种粒径不同的碳化硼按比例混合,行星球磨8~15h;(2)将球磨后的碳化硼与炭黑、碳化硅按比例混合均匀,并压制成型;(3)将压制的素坯进行烧结,坯表面均匀覆盖硅粉;(4)将烧结后材料在真空 ...
【技术保护点】
一种碳化硅/碳化硼复合陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将三种粒径不同的碳化硼按比例混合,行星球磨8~15h;(2)将球磨后的碳化硼与炭黑、碳化硅按比例混合均匀,并压制成型;(3)将压制的素坯进行烧结,坯表面均匀覆盖硅粉;(4)将烧结后材料在真空环境下,1500~1750℃保温2~4小时后制得碳化硅/碳化硼复合陶瓷。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅/碳化硼复合陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将三种粒径不同的碳化硼按比例混合,行星球磨8~15h;(2)将球磨后的碳化硼与炭黑、碳化硅按比例混合均匀,并压制成型;(3)将压制的素坯进行烧结,坯表面均匀覆盖硅粉;(4)将烧结后材料在真空环境下,1500~1750℃保温2~4小时后制得碳化硅/碳化硼复合陶瓷。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述三种不同粒径的碳化硼颗粒粒径分别为D50=300~450μm、D50=100~250μm、D50=30~80μm,纯度在99.5%以上。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述三种不同粒径的碳化硼颗粒按照质量比9:3:8~14:5:1比例混合。4.根据权利要求1所述的制...
【专利技术属性】
技术研发人员:张福军,林丽,
申请(专利权)人:常熟佳合高级陶瓷材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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