波长转换部件和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置，其具备光源和一体地覆盖上述光源的至少一部分的波长转换部，该波长转换部具有：含有构成单元的树脂，该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体；和分散于上述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体。本发明专利技术还提供波长转换部件以及另一种发光装置，上述波长转换部件具备：含有构成单元的树脂，该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体；和分散于上述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体，上述波长转换部件接收激发光而发出荧光，上述另一种发光装置具备该波长转换部件和与波长转换部件分体设置的向波长转换部件射出激发光的光源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置，该发光装置具备：光源；和在使具有聚合性官能团的离子性液体聚合而形成的树脂中分散有半导体纳米颗粒荧光体的波长转换部。另外，本专利技术涉及使具有聚合性官能团的离子性液体聚合而形成的树脂中分散有半导体纳米颗粒荧光体的波长转换部件以及具备该波长转换部件和光源的发光装置。
技术介绍
近年来，作为下一代的发光装置，开发了使用半导体纳米颗粒荧光体的发光装置。通过将具有纳米尺寸的粒径的颗粒应用于荧光体，与以往的荧光体(以往型荧光体)相比，期待发光效率的提高及高显色性。进而，半导体纳米颗粒荧光体通过改变其粒径，能够容易地控制荧光波长、即荧光色。在将这种半导体纳米颗粒荧光体用于发光装置的波长转换部的情况下，需要使半导体纳米颗粒荧光体分散在树脂等固体层中。但是，分散于树脂中的半导体纳米颗粒荧光体如果不被保护使其不受外部的空气、水分等影响，则半导体纳米颗粒荧光体的效率会因这些影响而降低。因此，例如特开2014-169421号公报(专利文献1)中公开有一种以半导体纳米颗粒荧光体为芯部，具有覆盖该芯部的外侧和/或填埋该芯部的间隙的壳部的荧光体。专利文献1中记载了，作为壳部，优选使用二氧化硅，更优选使用通过烷氧基硅烷的缩合反应而得到的二氧化硅。但是，专利文献1所记载的方法中，在用二氧化硅覆盖半导体纳米颗粒荧光体的工序中，会引起半导体纳米颗粒荧光体的效率降低。另外，作为使用半导体纳米颗粒荧光体的发光装置之一，例如特开2014-170938号公报(专利文献2)中公开了在光源之上配置第一荧光体层，且在其上配置含有量子点(半导体纳米颗粒荧光体)的量子点层，在该量子点层之上配置第二荧光体层的点亮装置。专利文献1中记载了通过该点亮装置，能够使用以往型荧光体和量子点控制所希望的颜色及射出光的均匀性。专利文献1中记载了，例如在缩合固化硅酮、聚甲基丙烯酸甲酯等未固化母材(基体材料)中分散有量子点(半导体纳米颗粒荧光体)的状态下，将其涂布于基材上并在使母材固化的条件下进行干燥，由此能够形成量子点层。在将半导体纳米颗粒荧光体用于发光装置的波长转换部的情况下，需要使半导体纳米颗粒荧光体分散于树脂等固体层。但是，在使用了半导体纳米颗粒荧光体的发光装置中，例如如专利文献2中所公开的例子那样，如果为与光源相邻地配置第一荧光体层，且与该第一荧光体层相邻地配置量子点层的结构，则存在从光源产生的热会传递至包含半导体纳米颗粒荧光体的波长转换部，半导体纳米颗粒荧光体劣化的问题。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术是为解决上述技术问题而完成的，其目的在于，提供能够保护半导体纳米颗粒荧光体不受来自外部的空气或水分等的影响的使用了半导体纳米颗粒荧光体的发光装置以及该发光装置中使用的波长转换部件。另外，本专利技术的目的还在于，提供一种能够抑制特别是热导致的半导体纳米颗粒荧光体的劣化的使用了半导体纳米颗粒荧光体的发光装置。解决技术问题的技术方案本专利技术提供一种发光装置，其特征在于，具备光源和一体地覆盖所述光源的至少一部分的波长转换部，该波长转换部具有：含有构成单元的树脂，该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体；和分散于所述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体(以下，将该发光装置称为“第一专利技术的发光装置”)。第一专利技术的发光装置中，通过使半导体纳米颗粒荧光体分散于含有源自具有聚合性官能团的离子性液体的构成单元的树脂中，能够由该树脂保护半导体纳米颗粒荧光体，能够抑制特别是热导致的半导体纳米荧光体的劣化。因此，在第一专利技术的发光装置中，能够稳定地固体密封半导体纳米颗粒荧光体，即使以一体地覆盖光源的至少一部分的方式形成含有该半导体纳米颗粒荧光体的波长转换部，也能够抑制自光源产生的热导致的半导体纳米颗粒荧光体基于热的劣化，能够不使发光效率降低，提供高效率的发光装置。另外，第一专利技术的发光装置中，通过以一体地覆盖光源的至少一部分的方式形成波长转换部(即，一体地形成波长转换部和光源)，能够实现省空间化，另外，能够将以往的白色LED芯片直接置换为第一专利技术的发光装置。进而，通过一体地形成波长转换部和光源，也具有荧光体的使用量少并且容易进行配光的控制这样的优点。本专利技术还提供一种波长转换部件，其具备：含有构成单元的树脂，该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体；和分散于上述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体，所述波长转换部件接收激发光而发出荧光。另外，本专利技术还提供一种发光装置，其具备：本专利技术的波长转换部件；和与波长转换部件分体设置的向波长转换部件射出激发光的光源(以下，将该发光装置称为“第二专利技术的发光装置”)。本专利技术的波长转换部件及使用其的第二专利技术的发光装置中，通过使半导体纳米颗粒荧光体分散于含有源自具有聚合性官能团的离子性液体的构成单元的树脂中，能够由该树脂保护半导体纳米颗粒荧光体，能够抑制来自外部的空气、水分等导致的半导体纳米颗粒荧光体的劣化。另外，第二专利技术的发光装置中，由于具备波长转换部件和与该波长转换部件分体的光源，所以具有形状设计或散热设计的自由度高的优点。特别是，关于散热，能够通过波长转换部件、光源分别进行散热，散热性能高，进而通过使波长转换部件与放出热的激发光源分体，来自光源的热不易传递给波长转换部件，也具有能够抑制波长转换部件的劣化的优点。另外，通过将波长转换部件和光源分开，能够提高成品率，进而，在发生故障时，只要分别进行更换，即可容易地修复发光装置。第一专利技术的发光装置和第二专利技术的发光装置中的任一装置中，所述聚合性官能团优选为(甲基)丙烯酸酯基，具有所述丙烯酸酯基的离子性液体更优选为2-(甲基丙烯酰氧基)乙基三甲基铵双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺或1-(3-丙烯酰氧基-丙基)-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。第一专利技术的发光装置和第二专利技术的发光装置的任一装置中，上述半导体纳米颗粒荧光体优选为发出波长380～780nm的可见光的荧光体，所述半导体纳米颗粒荧光体更优选为含有选自InP、InN、InAs、InSb、InBi、ZnO、In2O3、Ga2O3、ZrO2、In2S3、Ga2S3、In2Se3、Ga2Se3、In2Te3、Ga2Te3、CdSe、CdTe及CdS中的至少一种材料。第一专利技术的发光装置和第二专利技术的发光装置的任一装置中，所述半导体纳米颗粒荧光体也可以包含发红色光的第一半导体纳米颗粒荧光体及发绿色光的第二半导体纳米颗粒荧光体。该情况下，优选的是，第一专利技术的发光装置中的所述波长转换部件或第二专利技术的发光装置中的所述波长转换部从光源的一侧起依次设置有第一波长转换层和第二波长转换层，第一波长转换层和第二波长转换层中的任一者含有发红色光的第一半导体纳米颗粒荧光体，第一波长转换层和第二波长转换层中的另一者含有发绿色光的第二半导体纳米颗粒荧光体。另外，该情况下，更优选的是，所述第一波长转换层含有发红色光的第一半导体纳米颗粒荧光体，所述第二波长转换层含有发绿色光的第二半导体纳米颗粒荧光体。另外，该情况下，优选的是，所述光源发蓝色光，发光装置发白色光。第一专利技术的发光装置和第二专利技术的发光装置的任一装置中，所述半导体纳米颗粒荧光体也可以是在其表面键合有离子性表面修饰分子的荧光体，该情况下，更优选所述离子性表面修饰分子为选自2-(二乙氨基)乙硫醇盐酸盐、十六烷基三甲基溴化铵、十四本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于：具备光源和一体地覆盖所述光源的至少一部分的波长转换部，该波长转换部具有：含有构成单元的树脂，该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体；和分散于所述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体。

【技术特征摘要】
2015.07.31 JP 2015-152237;2015.07.31 JP 2015-152231.一种发光装置，其特征在于：具备光源和一体地覆盖所述光源的至少一部分的波长转换部，该波长转换部具有：含有构成单元的树脂，该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体；和分散于所述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体。2.一种波长转换部件，其特征在于，具备：含有构成单元的树脂，该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体；和分散于所述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体，所述波长转换部件接收激发光而发出荧光。3.一种发光装置，其特征在于，具备：权利要求2所述的波长转换部件；和与波长转换部件分体设置的向波长转换部件射出激发光的光源。4.如权利要求1或3所述的发光装置，其特征在于：所述聚合性官能团为(甲基)丙烯酸酯基。5.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于：具有所述丙烯酸酯基的离子性液体为2-(甲基丙烯酰氧基)乙基三甲基铵双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺或1-(3-丙烯酰氧基-丙基)-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。6.如权利要求1或3所述的发光装置，其特征在于：所述半导体纳米颗粒荧光体是发出波长380～780nm的可见光的荧光体。7.如权利要求1或3所述的发光装置，其特征在于：所述半导体纳米颗粒荧光体含有选自InP、InN、InAs、InSb、InBi、ZnO、In2O3、Ga2O3、ZrO2、In2S3、Ga2S3、In2Se3、Ga2Se3、In2Te3、Ga2Te3、CdSe、CdTe及CdS中的至少一种材料。8.如权利要求1或3所述的发光装置，其特征在于：所述半导体纳米颗粒荧光体包含发红色光的第一半导体纳米颗粒荧光体和发绿色光的第二半导体纳米颗粒荧光体。9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于：从接近光源的一侧起依次...

【专利技术属性】
技术研发人员：两轮达也，森下麻美，山角师之，和泉真，葛本恭崇，中嶋琢也，河合壮，
申请(专利权)人：夏普株式会社，国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP