各向异性导电膜及其制备方法技术

可以高生产率制备、且可以抑制短路发生率的各向异性导电膜(1A)具有：在其膜厚方向(z)的规定深度分散有导电粒子(2a)的第1导电粒子层(3a)和在与第1导电粒子层(3a)不同的深度分散有导电粒子(2b)的第2导电粒子层(3b)。各导电粒子层(3a、3b)中，相邻的导电粒子(2a、2b)的最接近距离(La、Lb)为导电粒子(2a、2b)的平均粒径的2倍以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及各向异性导电膜及其制备方法。
技术介绍
IC芯片等电子部件的安装中广泛使用各向异性导电膜，近年来，从适用于高密度安装的观点出发，以提高导电粒子捕捉效率或连接可靠性、降低短路发生率为目的，有人提出了使用转印型，而使导电粒子单层排列(专利文献1)。该各向异性导电膜的制备方法中，首先，在具有多个孔部的转印型的该孔部使导电粒子保持，从其上压合形成有转印用粘着层的粘着膜，使导电粒子一次转印到粘着层上。其次，对于附着于粘着层的导电粒子，压合成为各向异性导电膜的构成因素的高分子膜，进行加热加压，使导电粒子二次转印到高分子膜表面上。其次，在二次转印有导电粒子的高分子膜的导电粒子一侧表面上，形成使导电粒子包覆的粘接层。由此，制备导电粒子的配置间距为9μm左右的各向异性导电膜。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2010-33793号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，根据专利文献1的各向异性导电膜的制备方法，若导电粒子的配置间距进一步狭窄，则难以按照转印型使导电粒子保持、或难以确实地转印所保持的导电粒子，各向异性导电膜的生产率降低。另外，各向异性导电膜的制备工序、或将各向异性导电膜用于电子部件的安装时，有3个以上导电粒子连接，由此还容易产生短路的问题。本专利技术的课题在于，为了与高密度安装对应，即使各向异性导电膜中的导电粒子的配置间距窄，也可以高生产率制备各向异性导电膜，抑制将各向异性导电膜用于电子部件安装时的短路发生率。用于解决课题的手段本专利技术人发现：使用转印型制备导电粒子分散于绝缘性树脂层的各向异性导电膜时，若使用转印型使分散有导电粒子的第1和第2的绝缘性树脂层彼此贴合，则能够以高生产率制备导电粒子的配置间距窄的各向异性导电膜，而且可以控制导电粒子的不必要的连接，从而完成了本专利技术。即，本专利技术提供各向异性导电膜，其为导电粒子分散于绝缘性树脂层的各向异性导电膜，所述各向异性导电膜具有：在各向异性导电膜的膜厚的规定深度分散有导电粒子的第1导电粒子层和在与第1导电粒子层不同的深度分散有导电粒子的第2导电粒子层，在各导电粒子层中，相邻的导电粒子的最接近距离为导电粒子的平均粒径的2倍以上。另外，本专利技术可以提供制备上述的各向异性导电膜的方法，所述制备方法具有下述的工序：工序A，在形成有多数凹部的第1转印型的凹部装入导电粒子；工序B，形成第1转印型内的导电粒子转帖于绝缘性树脂层的第1绝缘性树脂层；工序C，在形成有多数凹部的第2转印型的凹部装入导电粒子；工序D，形成第2转印型内的导电粒子转贴到绝缘性树脂层的第2绝缘性树脂层；工序E，使第1绝缘性树脂层的导电粒子的转贴面与第2绝缘性树脂层的导电粒子的转贴面对置，将它们叠层制成一体化，其中，各转印型中，相邻的凹部的最接近距离为该转印型中装入的导电粒子的平均粒径的2倍以上。专利技术效果本专利技术的各向异性导电膜可以通过使用转印型使分散有导电粒子的第1和第2的绝缘性树脂层贴合进行制备。因此，可以使贴合前的转印型的导电粒子的间距较各向异性导电膜中的导电粒子的间距变宽，可以提高各向异性导电膜的生产率。另外，制备各向异性导电膜时、或各将向异性导电膜用于电子部件的安装时，即使第1导电粒子层中所含的第1导电粒子和第2导电粒子层中所含的第2导电粒子在膜面方向上连接，第1导电粒子层和第2导电粒子层的各层中，相邻的导电粒子的最接近距离也为导电粒子的平均粒径的2倍以上，因此，除了所连接的第1导电粒子和第2导电粒子之外、几乎不进一步连接第3导电粒子。因此，可以降低短路的发生率。附图简述图1A是实施例的各向异性导电膜1A的截面图；图1B是实施例的各向异性导电膜1A的、显示导电粒子的配置的平面图。图2A是实施例的各向异性导电膜1B、且第1导电粒子层的导电粒子与第2导电粒子层的导电粒子呈连接的方式的截面图；图2B是实施例的各向异性导电膜的、第1导电粒子层的导电粒子与第2导电粒子层的导电粒子呈连接的方式的平面图。图3A是各向异性导电连接时实施例的各向异性导电膜1B的导电粒子捕捉性能的说明图；图3B是各向异性导电连接时实施例的各向异性导电膜1B的导电粒子捕捉性能的说明图。图4是实施例的各向异性导电膜1C的、显示导电粒子的配置的平面图。图5是实施例的各向异性导电膜1D的、显示导电粒子的配置的平面图。图6是导电粒子的配置间距小的各向异性导电膜1X的截面图。图7A是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图；图7B是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图；图7C是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图；图7D是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图；图7E是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图；图7F是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图；图7G是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图。图8是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图。图9A是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图；图9B是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图。图10A是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图；图10B是各向异性导电膜的制备方法的工序说明图。图11是各向异性导电膜的截面图。图12是各向异性导电膜的截面图。具体实施方式以下，参见附图详细地说明本专利技术的各向异性导电膜的一个例子。需要说明的是，各图中，相同符号表示相同或相等的构成因素。<<各向异性导电膜的整体构成>>图1A是本专利技术的一个实施例的各向异性导电膜1A的截面图，图1B是该各向异性导电膜1A的、显示导电粒子的配置的平面图。该各向异性导电膜1A是在绝缘性树脂层4中分散有导电粒子2a、2b，具有在各向异性导电膜1A的膜厚方向z的规定深度分散有导电粒子2a(图中，以深色表示)的第1导电粒子层3a和在与第1导电粒子层3a不同的深度分散有导电粒子2b(图中，以浅色表示)的第2导电粒子层3b。如图1B所示，在各导电粒子层3a、3b中，导电粒子2a、2b分别正方排列，第2导电粒子层3b的导电粒子2b的排列，对于第1导电粒子层3a的导电粒子2a的排列，在第1导电粒子层3a的排列方向x上，形成排列格子的半间距分错位的配置。在此，第1导电粒子层3a的分散有导电粒子2a的膜厚方向z的深度与第2导电粒子层3b的分散有导电粒子2b的膜厚方向z的深度不同是指，平行于膜面的导电粒子2a的中心线Pa与平行于膜面的导电粒子2b的中心线Pb的距离S为导电粒子2a、2b的平均粒径的1/5以上隔开。该距离S优选为导电粒子2a、2b的平均粒径的1/2以上、更优选为1/2～5倍。在此，导电粒子2a、2b的平均粒径为导电粒子2a、2b整体的平均粒径。该各向异性导电膜1A中，在第1导电粒子层3a内相邻的导电粒子的最接近距离La为第1导电粒子层3a中的导电粒子2a的平均粒径Da的2倍以上、优选为2倍以上且50倍以下。在第2导电粒子层3b内相邻的导电粒子的最接近距离Lb也为第2导电粒子3b中的导电粒子2b的平均粒径Db的2倍以上、优选为2倍以上且50倍以下。如此，在各导电粒子层3a、3b中，通过使相邻的导电粒子的最接近距离La、Lb为导电粒子2a、2b的平均粒径Da、Db的2倍以上，在各向异性导电膜的制备工序中，第1导电粒子层3a与第2导电粒子层3b的彼此配置产生错位，如图2A、图2B所示的各向异性导电膜1B，第1导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
各向异性导电膜，其是在绝缘性树脂层上分散有导电粒子的各向异性导电膜，所述各向异性导电膜具有：在各向异性导电膜的膜厚的规定深度分散有导电粒子的第1导电粒子层和在与第1导电粒子层不同的深度分散有导电粒子的第2导电粒子层，在各导电粒子层中，相邻的导电粒子的最接近距离为导电粒子的平均粒径的2倍以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.31 JP 2014-0723901.各向异性导电膜，其是在绝缘性树脂层上分散有导电粒子的各向异性导电膜，所述各向异性导电膜具有：在各向异性导电膜的膜厚的规定深度分散有导电粒子的第1导电粒子层和在与第1导电粒子层不同的深度分散有导电粒子的第2导电粒子层，在各导电粒子层中，相邻的导电粒子的最接近距离为导电粒子的平均粒径的2倍以上。2.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，各导电粒子层中，导电粒子的最接近粒子间距离为导电粒子的平均粒径的2倍以上且50倍以下。3.权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，第1导电粒子层的导电粒子和第2导电粒子层的导电粒子彼此不同以消除应该进行各向异性导电连接的对置电极间距离的偏差。4.权利要求1～3的任一项中所述的各向异性导电膜，其中，第1导电粒子层的导电粒子和第2导电粒子层的导电粒子在平均粒径和/或粒子硬度方面彼此不同。5.权利要求1～4的任一项中所述的各向异性导电膜，其中，平视各向异性导电膜时，第1导电粒子层的导电粒子和第2导电粒子层的导电粒子的位置交错。6.权利要求1～5的任一项中所述的各向异性导电膜，其中，相对于各向异性导电膜的膜厚方向，第1导电粒子层的中心与第2导电粒子层的中心的距离为导电粒子的平均粒径的1/5以上。7.权利要求1～6的任一项中所述的各向异性导电膜，其中，各导电粒子层中，导电粒子排列成格子状。8.权利要求1～7的任一项中所述的各向异性导电膜，其中，第1导电粒子层和第2导电粒子层的导电粒子的排列相同。9.权利要求1～8的任一项中所述的各向异性导电膜，其中，绝缘性树脂层由光聚合树脂形成。10.权利要求1～8的任一项中所述的各向异性导电膜，其中，绝缘性树脂层具有：由聚合性树脂形成的第1绝缘性树脂层、不含有聚合引发剂的中间树脂层、和由聚合性树脂形成的第2绝缘性树脂层的叠层结构，第1导电粒子层的各导电粒子的至少一部分埋入第1绝缘性树脂层中，第2导电粒子层的各导电粒子...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿久津恭志，荒木雄太，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP