【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种带有辅助定位标记图案的光刻掩膜版,用于制作带有标记的基底材料从而达到快速标记与定位基底材料上样品位置的目的。
技术介绍
目前,在光学、电学实验中往往需要将样品转移至基底材料上才能进行实验,基底材料通常使用石英片、云母片、硅片表面氧化一定厚度的二氧化硅材料。所使用的基底材料大小在厘米量级,而转移到基底材料上的样品大小只有微米量级。因此,在每次进行光学或电学实验时都需要在显微镜下定位样品。若所需要研究的样品过小或特征不明显,在定位时往往需要花费大量的时间。光刻技术是指利用紫外光促使光刻胶发生化学反应,从而将掩膜版的图形转移到光刻胶上的技术。光刻胶是由溶解在一种或几种有机溶剂中的光敏聚合物或预聚合物的混合物组成的。光刻胶有两种类型:一种是负型光刻胶,它们在曝光时发生交联反应形成较曝光前更难溶的聚合物;另一种是正型光刻胶,它们在曝光时聚合物发生链断裂分解而变得更容易溶解。根据他们的特性,负型光刻胶显影后曝光部分被固定而费曝光部分被洗掉;正型光刻胶则是曝光的部分在显影后被洗掉,非曝光部分被固定。掩膜版是指在光刻过程中作为掩膜的部分,其作用是在一个平面上有选择性地阻挡紫外光通过,从而实现光刻胶的局部曝光。掩膜版的图形及尺度由计算机设计完成,常用的设计软件有L-edit和AutoCAD等。
技术实现思路
为了解决在光学、电学实验中所遇到的在基底材料上寻找样品费时费力的问题,本技术提供了一种带有辅助定位标记图案的光刻掩膜版,通过光刻和镀膜的工艺在基底材料上留下带有数字的图案,从而能够方便地标记和寻找样品。 ...
【技术保护点】
一种带有辅助定位标记图案的光刻掩膜版,其特征是:由十字符号和数字以及直线等元素规律排列而组成。
【技术特征摘要】
1.一种带有辅助定位标记图案的光刻掩膜版,其特征是:由十字符号和数字以及直线等元素规律排列而组成。
2.根据权利要求1所述的一种带有辅助定位标记图案的光刻掩膜版,其特征是十字符号有两种大小,分别为64×64微米和23×23微米,其中较大的十字位于每个数字...
【专利技术属性】
技术研发人员:张芷铭,邱俊,
申请(专利权)人:安庆美晶新材料有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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