掩膜结构的制造方法技术

一种掩膜结构的制造方法，包括：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜；所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部。将所述支架黏附在所述图形金属层上之前，本发明专利技术通过向开口吹入气体，使开口处的杂质被吹落；同时，将保护膜装置置于由静电发生装置提供的静电场中，被吹落且带电的杂质，在静电场作用下被吸附并远离保护膜装置，从而去除开口处的杂质，进而提高掩膜版的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种掩膜结构的制造方法。
技术介绍
掩膜版包括对曝光光线具有遮光性的基板，以及位于基板上的图形金属层，所述图形金属层包括对曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，可实现有选择地遮挡照射到光刻胶上的光线，以在光刻胶上形成图案。掩膜版的质量会直接影响所形成的光刻胶图案的质量，如果掩膜版附有了异物，则所述异物的图形容易转移到晶片上，从而影响晶片上器件的性能和成品率。因此，现有技术对掩膜版的质量具有较高的要求。为了在使用过程中更好地保护掩膜版，降低掩膜版上颗粒或杂质的几率，防止因有杂质落到掩膜版的图形区而影响曝光质量，现有技术通常通过保护膜装置在掩膜版的图形区上覆盖透明的薄膜，所述保护膜装置包括：支架、位于支架底部的封口带以及位于支架上通过支架撑起的保护膜(pellicle)，所述保护膜为能使曝光光线透过的透明薄膜。现有技术在掩膜版制造工艺中，撕去封口带后，将掩膜版基板黏附至所述保护膜装置上，形成具有保护膜的掩膜版。但是，采用现有技术制造的掩膜版仍然容易沾上颗粒或杂质，从而影响掩膜版的质量。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种掩膜结构的制造方法，提高掩膜版的质量。为解决上述问题，本专利技术提供一种掩膜结构的制造方法。包括如下步骤：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层，所述图形金属层包括图形区以及图形区以外的非图形区；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜，所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部，且使所述多个支撑侧壁与图形金属层的非图形区相接触且围绕所述图形区设置。可选的，将所述保护膜置于静电场环境中的步骤包括：采用静电发生装置提供所述静电场，所述静电发生装置包括电源、相对设置的第一极板和第二极板，所述第一极板接电源负极，所述第二极板接电源正极；将所述保护膜装置置于所述第一极板和第二极板之间，且所述支架顶部靠近所述第一极板，所述支架底部靠近所述第二极板；所述静电发生装置接通电源后，所述第一极板为负极板，所述第二极板为正极板，形成自第二极板至第一极板方向的静电场。可选的，所述第一极板与第二极板为相互平行的平板，且与所述保护膜装置的保护膜平行。可选的，所述保护膜装置位于第一极板和第二极板之间的中间位置处。可选的，所述静电发生装置的静电压为50V至1000V。可选的，向所述开口中吹入的气体为氮气或压缩空气。可选的，向所述开口中吹入的气体带负电。可选的，向所述开口中吹入的气体流量为4LPM至6LPM。可选的，所述保护膜装置还包括贴附于支架底部的封口带，所述支架、封口带和所述保护膜围成一空腔。可选的，在将所述保护膜装置置于静电场之前，去除所述封口带。可选的，向所述开口吹入气体的步骤包括：向朝向空腔的方向吹入气体。可选的，在使所述保护膜装置离开静电场后，将所述支架黏附在所述图形金属层上之前，所述掩膜结构的制造方法还包括：对所述保护膜装置进行静电释放处理。可选的，对所述保护膜装置进行静电释放处理的步骤包括：通过离子发生器对所述保护膜装置进行所述静电释放处理。可选的，静电释放处理的步骤中，将所述保护膜装置置于离子发生器下方预定距离处。可选的，所述预定距离为30厘米至100厘米。可选的，提供保护膜装置的步骤中，所述保护膜通过粘膜剂黏附于所述支架顶部。可选的，将所述图形金属层粘附在所述支架底部的步骤中，通过掩膜版黏胶使图形金属层和支架底部相贴合。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：将所述支架黏附在所述图形金属层上之前，向所述开口吹入带电气体，使所述开口处的杂质被吹落且使所述杂质带电；同时，将所述保护膜装置置于由静电发生装置提供的静电场中，被吹落且带电的杂质在静电场作用下被吸附并远离所述保护膜装置，从而去除所述开口处的杂质，进而提高掩膜版的质量。附图说明图1至图3是现有技术掩膜结构的制造方法各步骤对应的结构示意图；图4至图8是本专利技术掩膜结构的制造方法一实施例各步骤对应结构示意图。具体实施方式现有技术制造的掩膜版容易在使用过程中沾上颗粒或杂质，结合图1至图3分析掩膜版被污染的原因，在掩膜版制造工艺中，主要包括：提供掩膜版和保护膜装置100，所述掩膜版包括基板140以及位于所述基板140上的图形金属层；所述保护膜装置100包括位于装置顶部的保护膜110，以及位于保护膜110下方的支架，所述支架一侧的侧壁内形成有开口130，用于使保护膜装置100内的气压与外界环境的气压相同；撕去保护膜的封口带120后，直接将所述基板140黏附至所述保护膜装置100上，使所述图形金属层与所述支架相接触，形成具有保护膜110的掩膜版，所述保护膜110和所述支架用于保护所述金属图形层中的图形区160不受污染。然而，在将所述基板140黏附至所述保护膜装置100上之前，所述开口130处容易形成有杂质180；在形成具有保护膜110的掩模版后，检测机台通常只针对掩膜版图形区160表面进行检测，而针对非图形区150或保护膜装置100并不做检测；杂质180未从开口130处掉落至掩膜版图形区160，因此所述杂质180不能被检测出。在掩膜版的使用过程中，为了改善掩膜版外部的清洁度，通常使掩膜版处于氮气环境中。当氮气由开口130吹入保护膜装置100与掩膜版基板140构成的密闭空间170时，所述开口130处的杂质180容易被吹落至掩膜版图形区160，从而污染掩膜版，进而影响掩模版的质量。为了解决所述技术问题，本专利技术提供一种掩膜结构的制造方法，具体为：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层，所述图形金属层包括图形区以及图形区以外的非图形区；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜，所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部，且使所述多个支撑侧壁与图形金属层的非图形区相接触且围绕所述图形区设置。将所述支架黏附在所述图形金属层上之前，向所述开口吹入气体，使所述开口处的杂质被吹落；同时，将所述保护膜装置置于由静电发生装置提供的静电场中，被吹落且带电的杂质，在静电场作用下被吸附并远离所述保护膜装置，从而去除所述开口处的杂质，进而提高掩膜版的质量。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图4至图8是本专利技术掩膜结构的制造方法一实施例各步骤对应结构示意图。参考图4，提供掩膜版(未标注)，包括基板300以及位于所述基板300上的图形金属层(未标注)，所述图形金属层(未标注)包括图形区320以及图形区320以外的非图形区310。具体地，所述掩膜版的制造工艺包括：提供基板300、在所述基板300上形成金属膜，然后在所述金属膜上形成光刻胶层(未标注)；将待形成图形的几何数据标准源数据传给光刻机并转换成待曝光图形；根据所述待曝光图形对光刻胶层进行曝光，曝光光束将所述待曝光图形转移本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜结构的制造方法，其特征在于，包括：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层，所述图形金属层包括图形区以及图形区以外的非图形区；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜，所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部，且使所述多个支撑侧壁与图形金属层的非图形区相接触且围绕所述图形区设置。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜结构的制造方法，其特征在于，包括：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层，所述图形金属层包括图形区以及图形区以外的非图形区；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜，所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部，且使所述多个支撑侧壁与图形金属层的非图形区相接触且围绕所述图形区设置。2.如权利要求1所述的掩膜结构的制造方法，其特征在于，将所述保护膜装置置于静电场中的步骤包括：采用静电发生装置提供所述静电场，所述静电发生装置包括电源、相对设置的第一极板和第二极板，所述第一极板接电源负极，所述第二极板接电源正极；将所述保护膜装置置于所述第一极板和第二极板之间，且所述支架顶部靠近所述第一极板，所述支架底部靠近所述第二极板；所述静电发生装置接通电源后，所述第一极板为负极板，所述第二极板为正极板，形成自第二极板至第一极板方向的静电场。3.如权利要求2所述的掩膜结构的制造方法，其特征在于，所述第一极板与第二极板为相互平行的平板，且与所述保护膜装置的保护膜平行。4.如权利要求2所述的掩膜结构的制造方法，其特征在于，所述保护膜装置位于第一极板和第二极板之间的中间位置处。5.如权利要求2所述的掩膜结构的制造方法，其特征在于，所述静电发生装置的静电压为50V至1000V。6.如权利要求1所述的掩膜结构的制造方法，其特征在于，向所述开口中吹入的气体为氮气或压缩空气。7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢子轩，王跃刚，王清蕴，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31