有机发光二极管显示器制造技术

公开了一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：屏蔽层，其在基板上；半导体层，其在所述屏蔽层上；栅极绝缘层，其在所述半导体层上；第一栅极，其在所述栅极绝缘层上；第一层间介电层，其在所述第一栅极上；第二栅极和连接电极，它们在所述第一层间介电层上，所述连接电极电连接到所述屏蔽层并且穿过所述半导体层；第二层间介电层，其在所述第二栅极和所述连接电极上；源极和漏极，它们在所述第二层间介电层上，所述漏极电连接到所述半导体层，所述源极电连接到所述连接电极；绝缘层，其在所述漏极和所述源极上；以及第一电极，其在所述绝缘层上并且电连接到所述源极。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，更具体地说，涉及一种高清晰度OLED显示器。
技术介绍
近来已经开发了各种平板显示器(FPD)，以代替沉重并且大尺寸的阴极射线管(CRT)显示器。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光二极管(OLED)显示器。OLED显示器是被配置为通过激发有机化合物来发光的自发射显示装置。OLED显示器通常不需要LCD装置中使用的背光单元，进而能够通过简化的制造工艺被实现为薄外形和轻重量。OLED显示器还可以在低温制造，并且具有诸如1ms或更短的快速响应时间、低功耗、宽视角和高对比度的许多优点。OLED显示器通常包括用作阳极的第一电极和用作阴极的第二电极之间的有机材料的发光层。OLED显示器通过使从第一电极接收的空穴和从第二电极接收的电子在发光层内结合来形成空穴-电子对(激子)，并且根据激子返回基态能级或低能级时生成的能量来发光。随着显示技术的进步，用户需求不断增加。具体地说，像素尺寸可能需要逐渐减小，以便满足高清晰度显示装置的需要。然而，由于根据现有技术的OLED显示器在其像素结构中具有许多接触孔，所以难以减小像素尺寸和增加OLED显示器的清晰度。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于一种有机发光二极管显示器及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的一个或更多个问题。本专利技术的优点在于提供了一种适用于高清晰度显示装置的有机发光二极管显示器。本专利技术的另外的特征和优点将在下面的描述中阐述，并且从这些描述将部分地变得显而易见，或者可以从本专利技术的实践中得知。通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构可以实现并获得本专利技术的这些和其它优点。为了实现这些和其它优点并且根据本专利技术的目的，如具体实现并广义描述的，一种有机发光二极管显示器可以包括：屏蔽层，其在基板上；半导体层，其在所述屏蔽层上；栅极绝缘层，其在所述半导体层上；第一栅极，其在所述栅极绝缘层上；第一层间介电层，其在所述第一栅极上；第二栅极和连接电极，它们在所述第一层间介电层上，所述连接电极电连接到所述屏蔽层并且穿过所述半导体层；第二层间介电层，其在所述第二栅极和所述连接电极上；源极和漏极，它们在所述第二层间介电层上，所述漏极电连接到所述半导体层，所述源极电连接到所述连接电极；绝缘层，其在所述漏极和所述源极上；以及第一电极，其在所述绝缘层上并且电连接到所述源极。所述连接电极通过穿过所述第一层间介电层、所述栅极绝缘层、所述半导体层和所述缓冲层的第一接触孔连接到所述屏蔽层。所述连接电极与暴露到所述第一接触孔的内周表面的半导体层接触。所述半导体层包括沟道、轻度掺杂区、源区和漏区。所述连接电极与所述半导体层的源区接触。所述源极通过穿过所述第二层间介电层、所述第一层间介电层和所述栅极绝缘层的第二接触孔连接到所述半导体层。所述源极通过穿过所述第二层间介电层的第三接触孔连接到所述连接电极。所述连接电极与所述第一栅极位于同一层上。所述源极与所述半导体层分离。要理解的是，本专利技术的以上总体描述和以下详细描述二者均是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本专利技术的进一步说明。附图说明附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，并且被并入本说明书并且构成本说明书的一部分，附图示出本专利技术的实施方式并且与说明书一起用于说明本专利技术的原理。附图中：图1是有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图；图2例示子像素的电路配置的第一示例；图3例示子像素的电路配置的第二示例；图4是例示根据本专利技术的第一实施方式的OLED显示器的一部分的平面图；图5是沿着图4的线I-I’截取的横截面图；图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F、图6G、图6H、图6I、图6J、图6K和图6L是依次例示根据本专利技术的第一实施方式的OLED显示器的制造方法的各个阶段的横截面图；图7是例示根据本专利技术的第二实施方式的OLED显示器的一部分的平面图；图8是沿着图7的线II-II’截取的横截面图；图9A、图9B、图9C、图9D、图9E、图9F、图9G、图9H、图9I、图9J、图9K和图9L是依次例示根据本专利技术的第二实施方式的OLED显示器的制造方法的各个阶段的横截面图；图10是例示根据本专利技术的实施方式的OLED显示器的第一接触孔的横截面图；以及图11例示利用扫描电子显微镜(SEM)截取的图10所示的第一接触孔的图像。具体实施方式现在将详细参照本专利技术的实施方式，其示例示出于附图中。只要可能，贯穿附图将使用相同的标号来指代相同或相似的部件。将注意的是，如果确定已知技术的详细描述可能误导本专利技术的实施方式，则它将被省略。根据本专利技术的实施方式的显示装置是塑料显示装置，其中显示元件被形成在柔性塑料基板上。塑料显示装置的示例包括有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和电泳显示器。通过示例利用塑料OLED显示器描述本专利技术的实施方式，但是本专利技术不限于此。OLED显示器包括用作阳极的第一电极和用作阴极的第二电极之间的有机材料的发光层。OLED显示器是被配置为通过使从第一电极接收的空穴和从第二电极接收的电子在发光层内结合来形成空穴-电子对(激子)的自发射显示装置，并且根据激子返回基态能级或低能级时生成的能量来发光。根据本专利技术的实施方式的OLED显示器可以使用玻璃基板以及塑料基板。下文中，将参照图1至图11描述本专利技术的实施方式。图1是有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图。图2例示子像素的电路配置的第一示例。图3例示子像素的电路配置的第二示例。参照图1，根据本专利技术的实施方式的OLED显示器包括图像处理单元10、定时控制器20、数据驱动器30、选通驱动器40和显示面板50。图像处理器10输出从外部供应的数据信号DATA和数据使能信号DE。除了数据使能信号DE以外，图像处理单元10可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。针对简洁和便于阅读的目的，不示出这些信号。图像处理单元10按照集成电路(IC)形式形成在系统电路板上。定时控制器20从图像处理单元10接收数据信号DATA和包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等在内的驱动信号。定时控制器20基于驱动信号输出用于控制选通驱动器40的操作定时的选通定时控制信号GDC以及用于控制数据驱动器30的操作定时的数据定时控制信号DDC。定时控制器20按照IC形式形成在控制电路板上。数据驱动器30响应于从定时控制器20供应的数据定时控制信号DDC对从定时控制器20接收的数据信号DATA进行采样和锁存，并且利用伽马基准电压转换所采样和锁存的数据信号DATA。数据驱动器30向数据线DL1和DLn输出所转换的数据信号DATA。数据驱动器30按照IC形式形成在数据电路基板上。选通驱动器40响应于从定时控制器20供应的选通定时控制信号GDC在使选通电压的电平移位的同时输出选通信号。选通驱动器40向选通线GL1至GLm输出选通信号。选通驱动器40按照IC形式形成在选通电路板上或者按照面板内选通(GIP)的方式形成在显示面板40上。显示面板50响应于分别从数据驱动器30和选通驱动器40接收的数据信号DATA和选通信号显示图像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：屏蔽层，其位于基板上；半导体层，其位于所述屏蔽层上；栅极绝缘层，其位于所述半导体层上；第一栅极，其位于所述栅极绝缘层上；第一层间介电层，其位于所述第一栅极上；第二栅极和连接电极，它们位于所述第一层间介电层上，所述连接电极电连接到所述屏蔽层并且穿过所述半导体层；第二层间介电层，其位于所述第二栅极和所述连接电极上；源极和漏极，它们位于所述第二层间介电层上，所述漏极电连接到所述半导体层，所述源极电连接到所述连接电极；绝缘层，其位于所述漏极和所述源极上；以及第一电极，其位于所述绝缘层上并且电连接到所述源极。

【技术特征摘要】
2015.08.31 KR 10-2015-01232471.一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：屏蔽层，其位于基板上；半导体层，其位于所述屏蔽层上；栅极绝缘层，其位于所述半导体层上；第一栅极，其位于所述栅极绝缘层上；第一层间介电层，其位于所述第一栅极上；第二栅极和连接电极，它们位于所述第一层间介电层上，所述连接电极电连接到所述屏蔽层并且穿过所述半导体层；第二层间介电层，其位于所述第二栅极和所述连接电极上；源极和漏极，它们位于所述第二层间介电层上，所述漏极电连接到所述半导体层，所述源极电连接到所述连接电极；绝缘层，其位于所述漏极和所述源极上；以及第一电极，其位于所述绝缘层上并且电连接到所述源极。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器还包括缓冲层，该缓冲层位于所述屏蔽层上。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二栅极按照基本上对应于所述第一栅极的方式位于所述第一层间介电层上。4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述连接电极通过穿过所述第一层间介电层、所述栅极绝缘层、所述半导体层和所述缓冲层的第一接触孔电连接到所述屏蔽层。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述连接电极与暴露到所述第一接触孔的内周表面的所述半导体层接触。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述半导体层包括沟道、轻度掺杂区、源区和漏区。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述连接电极与所述半导体层的所述源区接触。8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述漏极通过穿过所述第二层间介电层、所述第一层间介电层和所述栅极绝缘层的第二接触孔电连接到所述半导体层。9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述源极通过穿过所述第二层间介电层的第三接触孔电连接到所述连接电极。10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述源极与所述半导体层分离。11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，位于所述漏极和所述源极上的所述绝缘层是平坦化层。12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑湘勋，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR