一种高PF填谷式装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种高PF填谷式装置，它包括：全波桥式整流电路；其为第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4四个整流二极管组成的整流电路,整流电路设有正、负极连接点；新型填谷式滤波电路；其为第一电解电容C1、第二电解电容C2和第三电解电容C3三个等量电解电容和第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10六个二极管组成的电路；电网电源接入开关电源通过保险管连接到全波桥式整流电路，全波桥式整流电路连接新型填谷式滤波电路；所述新型填谷式滤波电路的功率因数PE达0.93以上。本实用新型专利技术改进为三只电解电容和六个二极管组成的新型填谷电路，从而达到高效节能的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种开关电源
，尤其涉及一种高PF填谷式装置。
技术介绍
原有填谷式开关电源，包括保险管，四个整流二极管组成的全波桥式整流，由二只电解电容和三只二极管组成的填谷式滤波电路，及开关电源电路所组成。这种填谷式开关电源的PF电源有频内现象，导致电路运行不稳定，如果一种新型的填谷式开关电源具有高PF电源，并且无频内现象。为了克服上述的问题，我们研制了一种高PF填谷式装置。
技术实现思路
本技术的目的所要解决的技术问题是要提供一种高PF填谷式装置，它改进了原有的填谷式滤波电路，将原来的二只电解电容和三只二极管，改进为三只电解电容和六个二极管组成的填谷电路，使得原来的功率因数PF从0.85提高到0.93以上，从而达到节能的目的。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案：一种高PF填谷式装置，它包括：全波桥式整流电路；其为第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4四个整流二极管组成的整流电路,所述整流电路设有正、负极连接点；填谷式滤波电路；其为第一电解电容C1、第二电解电容C2和第三电解电容C3三个等量电解电容和第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10六个二极管组成的电路；电网电源接入开关电源通过保险管连接到所述全波桥式整流电路，所述全波桥式整流电路连接所述填谷式滤波电路；所述填谷式滤波电路的功率因数PE达0.93以上。于本技术的一个或多个实施例中，电网电源的火线，零线分别接入到开关电源输入端的L,N端，再通过保险管接到由D1-D4四个整流二极管组成的所述全波桥式整流电路。于本技术的一个或多个实施例中，所述全波桥式整流电路输出为直流电压，整流电路正极设为A点，负极设为B点。于本技术的一个或多个实施例中，所述填谷式滤波电路的第一电解电容C1的正极接所述A点，负极接到第五二极管D5负极，第五二极管D5的正极接到所述B点。于本技术的一个或多个实施例中，所述填谷式滤波电路的第二电解电容C2的正极接到第六二极管D6的正极，第六二极管D6接到所述A点，第二电解电容C2的负极接到第七二极管D7的负极，第七二极管D7的正极接到所述B点。于本技术的一个或多个实施例中，所述填谷式滤波电路的第三电解电容C3的负极接到所述B点，电解电容C3的正极接到第八二极管D8的正极，第八二极管D8的负极接到所述A点，第九二极管D9的正极接到所述第一电解电容C1的负极，第九二极管D9的负极接到所述第二电解电容C2的正极，第十二极管D10的正极接到所述第二电解电容C2的负极，第十二极管D10的负极接到第三电解电容C3的正极。本技术同
技术介绍
相比所产生的有益效果：本技术采用了上述技术方案，将原来的填谷式滤波电路改进为三只电解电容和六个二极管组成的填谷电路，使得原来的功率因数PF从0.85提高到0.93以上，从而达到节能的目的。原来填谷式滤波电路，开光电源从电网取得能量要少，从电解电容C1,C2,C3取得能量要多；本技术的填谷式滤波电路，开光电源从电网取得能量要多，从电解电容C1,C2,C3取得能量要少，提高了电路质量和效率。【附图说明】图1为本技术一个实施方式中高PF填谷式装置的电路图；图2为原来填谷式滤波电路的电路图；图3为本技术一个实施方式中高PF填谷式装置放电时的电压峰值图；图4为本技术一个实施方式中高PF填谷式装置充电时的电压峰值图。【具体实施方式】下面详细描述本技术的实施例，所述的实施例示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。在本技术的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”，“横向”、“纵向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本技术的具体保护范围。此外，如有术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含包括一个或者多个该特征，在本技术描述中，“至少”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除另有明确规定和限定，如有术语“组装”、“相连”、“连接”术语应作广义去理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；也可以是机械连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介相连，可以是两个元件内部相连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述的术语在本技术中的具体含义。在技术中，除非另有规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一特征和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“之下”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅是表示第一特征水平高度高于第二特征的高度。第一特征在第二特征“之上”、“之下”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度低于第二特征。下面结合说明书的附图，通过对本技术的具体实施方式作进一步的描述，使本技术的技术方案及其有益效果更加清楚、明确。下面通过参考附图描述实施例是示例性的，旨在解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。请参看图1-4所示的，本技术提供较佳的一种高PF填谷式装置，它包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第九二极管D9、第十二极管D10、第一电解电容C1、第二电解电容C2、第三电解电容C3、保险管和开关电源。全波桥式整流电路；其为第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4四个整流二极管组成的整流电路,所述整流电路设有正、负极连接点；填谷式滤波电路；其为第一电解电容C1、第二电解电容C2和第三电解电容C3三个等量电解电容和第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10六个二极管组成的电路；电网电源接入开关电源通过保险管连接到所述全波桥式整流电路，所述全波桥式整流电路连接所述填谷式滤波电路；所述填谷式滤波电路的功率因数PE达0.93以上。电网电源的火线，零线分别接入到开关电源输入端的L,N端，再通过保险管接到由D1-D4四个整流二极管组成的所述全波桥式整流电路。所述全波桥式整流电路输出为直流电压，整流电路正极设为A点，负极设为B点。所述填谷式滤波电路的第一电解电容C1的正极接所述A点，负极接到第五二极管D5负极，第五二极管D5的正极接到所述B点。所述填谷式滤波电路的第二电解电容C2的正极接到第六二极管D6的正极，第六二极管D6接到所述A点，第二电解电容C2的负极接到第七二极管D7的负极，第七二极管D7的正极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高PF填谷式装置，其特征在于，它包括：全波桥式整流电路；其为第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4四个整流二极管组成的整流电路,所述整流电路设有正、负极连接点；填谷式滤波电路；其为第一电解电容C1、第二电解电容C2和第三电解电容C3三个等量电解电容和第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10六个二极管组成的电路；电网电源接入开关电源通过保险管连接到所述全波桥式整流电路，所述全波桥式整流电路连接所述填谷式滤波电路；所述填谷式滤波电路的功率因数PE达0.93以上。

【技术特征摘要】
1.一种高PF填谷式装置，其特征在于，它包括：全波桥式整流电路；其为第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4四个整流二极管组成的整流电路,所述整流电路设有正、负极连接点；填谷式滤波电路；其为第一电解电容C1、第二电解电容C2和第三电解电容C3三个等量电解电容和第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10六个二极管组成的电路；电网电源接入开关电源通过保险管连接到所述全波桥式整流电路，所述全波桥式整流电路连接所述填谷式滤波电路；所述填谷式滤波电路的功率因数PE达0.93以上。2.根据权利要求1所述的一种高PF填谷式装置，其特征在于：电网电源的火线，零线分别接入到开关电源输入端的L,N端，再通过保险管接到由D1-D4四个整流二极管组成的所述全波桥式整流电路。3.根据权利要求2所述的一种高PF填谷式装置，其特征在于：所述全波桥式整流电路输出为直流电压，整流电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘登校，
申请(专利权)人：中山市尚能电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44