磁传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使应力由于工作时的发热等而相对于磁传感器芯片被施加的时候也能够防止检测误差增大的磁传感器装置(1)，其具备：俯视图为方形状的磁传感器芯片(2)、具有搭载磁传感器芯片(2)的搭载面(41)的裸片垫(die pad)(4)；在裸片垫(4)上，在与搭载于搭载面(41)的磁传感器芯片(2)的4个角部(21)分别重叠的位置上形成有开口部(43)，相对于裸片垫(4)面积的开口部(43)面积之比为20％以上，在裸片垫(4)的俯视图中磁传感器芯片(2)与开口部(43)的重叠部分的面积相对于开口部(43)面积为40％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关将磁传感器芯片搭载于裸片垫(diepad)而成的磁传感器装置。
技术介绍
一直以来，在机床等领域所使用的是用于检测移动体的由旋转移动或直线移动引起的位置变动的位置检测装置。作为该位置检测装置众所周知有具备记录磁信号的媒介物和磁传感器装置的位置检测装置，该磁传感器装置能够根据媒介物和磁传感器装置作相对移动的时候的磁场方向的变动输出表示它们的相对位置关系的信号。作为在所涉及的位置检测装置中所使用的磁传感器装置是一种具有自由层和磁化固定层的层叠体，其特征在于：具备包含电阻伴随于对应于外部磁场的自由层的磁化方向变化而发生变化的磁阻效应元件(MR元件)的磁传感器芯片、具有搭载磁传感器芯片的搭载面的裸片垫、被配置于裸片垫周围并被电连接于磁传感器芯片端子的多根引接线，由传递模塑法(transfermolding)来对这些构件进行树脂封装并实现包装化。在如此磁传感器装置中，相对于磁传感器芯片由于工作时的发热等而会有被施加应力(热应力)的情况。特别是应力集中于在俯视图中具有大致方形状的磁传感器芯片的4个角部中的至少任意一个。使磁传感器芯片以及搭载有该磁传感器芯片的裸片垫变形的方向的上述热应力被施加于上述角部的结果，会有所谓磁传感器装置的检测误差变大的问题。一直以来，虽然是相关于树脂封装半导体装置的技术，但是以防止由于其安装时的加热而在封装树脂上发生龟裂为目的有方案提出在载置半导体芯片的裸片垫的周边部形成槽口或贯通孔的半导体装置(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利申请公开平11-150213号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在上述专利文献1中有方案提出在载置半导体芯片(半导体元件)的裸片垫的周边部形成槽口或贯通孔。但是，在上述专利文献1中会有所谓以下所述问题，即，在替代半导体芯片而使用磁传感器芯片的时候，以根据相对于裸片垫面积的槽口面积或贯通孔面积之比而能够减少磁传感器装置上的检测误差的程度来减小由于工作时的发热而被施加于磁传感器芯片的应力(热应力)是困难的。因此，本专利技术就是借鉴了以上所述的技术问题而做出的不懈努力之结果，其目的在于提供一种即使是应力由于工作时的发热等而相对于磁传感器芯片被施加的时候也能够防止检测误差增大的磁传感器装置。解决技术问题的手段为了解决以上所述技术问题，本专利技术所提供的磁传感器装置的特征在于：具备：俯视图为方形状的磁传感器芯片、具有搭载所述磁传感器芯片的搭载面的裸片垫(diepad)；在所述裸片垫，在与搭载于所述搭载面的所述磁传感器芯片的4个角部各自重叠的位置上形成有开口部，所述开口部面积相对于所述裸片垫面积之比为20％以上，在所述裸片垫的俯视图中所述磁传感器芯片与所述开口部的重叠部分的面积相对于所述开口部面积为40％以上(专利技术1)。根据上述(专利技术1)，通过磁传感器芯片的对应于4个角部的开口部被形成于搭载有磁传感器芯片的裸片垫并且将其开口部的面积控制在规定数值范围内，从而即使是应力由于工作时的发热等而相对于磁传感器芯片被施加的时候也能够防止检测误差增大。在上述专利技术(专利技术1)中，相对于所述裸片垫面积的所述开口部面积之比优选为20～40％(专利技术2)。根据该专利技术(专利技术2)，因为即使是热应力被施加于磁传感器芯片的时候也能够防止检测误差增大并且能够充分确保裸片垫的搭载面和磁传感器芯片进行接触的面积，所以能够切实地将磁传感器芯片固定于该搭载面上。在上述专利技术(专利技术1)中，所述开口部优选对应于所述磁传感器芯片的4个角部的各个，在所述裸片垫独立地形成，并且具有大致圆形状或者大致椭圆形状(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1)中，优选在所述磁传感器芯片与所述裸片垫之间介有互相固定对方的粘结层，所述粘结层优选为俯视图为大致十字状(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术1)中，能够进一步具备至少将所述磁传感器芯片和所述裸片垫做成一体并进行封装的封装树脂体(专利技术5)，作为所述磁传感器芯片能够使用包含TMR元件或者GMR元件的磁传感器芯片(专利技术6)。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种即使是应力由于工作时的发热等而相对于磁传感器芯片被施加的时候也能够防止检测误差增大的磁传感器装置。附图说明图1A是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的磁传感器装置的概略结构的平面图，图1B是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的裸片垫概略结构的平面图。图2表示本专利技术的一个实施方式所涉及的磁传感器装置的概略结构，并且是图1A中的I-I线截面图。图3是示意性地表示本专利技术的一个实施方式所涉及的磁传感器芯片的电路结构的电路图。图4是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的作为磁检测元件的MR元件概略结构的截面图。图5是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的引接线框架的概略结构的平面图。图6A、6B是示意性地表示本专利技术的一个实施方式所涉及的磁传感器装置的制造工序一部分的切断截面图。图7是表示实施例以及比较例的磁传感器装置中的实验结果的图表。具体实施方式以下是参照附图并就本专利技术的实施方式进行详细说明。图1A是表示本实施方式所涉及的磁传感器装置的概略结构的平面图，图1B是表示本实施方式所涉及的裸片垫的概略结构的平面图，图2表示本实施方式所涉及的磁传感器装置的概略结构，并且是图1A中的I-I线截面图，图3是示意性地表示本实施方式所涉及的磁传感器芯片的电路结构的电路图，图4是表示本实施方式所涉及中的作为磁检测元件的MR元件的概略结构的截面图，图5是表示本实施方式所涉及的引接线框架的概略结构的平面图，图6是示意性地表示本实施方式所涉及的磁传感器装置的制造工序一部分的切断截面图。如图1A和图1B以及图2所示，本实施方式所涉及的磁传感器装置1是一种为了检测由旋转体等的相对移动形成的旋转角度等而被使用的装置，具备俯视图为大致方形状的磁传感芯片2、磁传感器芯片2通过粘结层3被粘结固定的裸片垫4、被配置于裸片垫4周围并且分别包含内引接线51以及外引接线52的多根(在本实施方式中为8个)引接线5、电连接磁传感器芯片2的端子焊垫22和内引接线51的电线6、将磁传感器芯片2和裸片垫4和各个内引接线51以及电线6作为一体并进行封装的封装树脂体7。裸片垫4为俯视图大致方形状，具有搭载磁传感器芯片2的搭载面41、用于连续于裸片垫4的4个角并且将裸片垫4支撑于后面所述的引接线框架10(参照图5)的框架部11的悬挂引线(suspensionlead)42。在裸片垫4的搭载面41上，与被搭载的磁传感器芯片2的4个角部21各自进行重叠的4个开口部43独立(不会互相连续)地形成。在裸片垫4以及被搭载于其搭载面41的磁传感器芯片2的俯视图中，磁传感器芯片2的4个角部21各自分别物理性地包含于裸片垫4的被形成于搭载面41的4个开口部43。如果磁传感器芯片2的角部21不重叠于开口部43的话则检测误差在应力被施加的时候会由于工作时的发热等而增大。还有，作为开口部43的形状并没有特别的限定，例如可以列举大致圆形状以及大致椭圆形状等。被形成于裸片垫4的4个开口部43的总面积是裸片垫4面积的20％以上，优选为20～40％。从后面所述的实施例也可得到了解那样如果相对于裸片垫4面积的开口部43总面积之比(开口部43的开口率)成为小于20％的话则检测误差变大。另外，如果该开口部43的开口率超过40％的话则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器装置，其特征在于：具备：在俯视图中具有方形形状的磁传感器芯片；以及具有搭载有所述磁传感器芯片的搭载面的裸片垫；在所述裸片垫，在与搭载于所述搭载面的所述磁传感器芯片的4个角部分别重叠的位置上形成有开口部，所述开口部的面积相对于所述裸片垫的面积的面积比为20％以上，在所述裸片垫的俯视图中所述磁传感器芯片与所述开口部的重叠部分的面积相对于所述开口部的面积为40％以上。

【技术特征摘要】
2015.08.21 JP 2015-1633691.一种磁传感器装置，其特征在于：具备：在俯视图中具有方形形状的磁传感器芯片；以及具有搭载有所述磁传感器芯片的搭载面的裸片垫；在所述裸片垫，在与搭载于所述搭载面的所述磁传感器芯片的4个角部分别重叠的位置上形成有开口部，所述开口部的面积相对于所述裸片垫的面积的面积比为20％以上，在所述裸片垫的俯视图中所述磁传感器芯片与所述开口部的重叠部分的面积相对于所述开口部的面积为40％以上。2.如权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于：所述开口部的面积相对于所述裸片垫的面积的面积比为20～...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田善光，上田国博，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP