半导体装置制造方法及图纸

通过连续地利用激光进行点照射，从而在表面实施了金属镀敷的引线框(2)设置使金属镀敷变形成鳞状而得到的鳞状部(3)。鳞状部(3)被配置在引线框(2)的任意部位，例如浇口切断痕迹(8)附近、被模塑树脂(8)密封的区域内的外周部、半导体元件(1)的周围等。利用该鳞状部(3)的锚固效果，引线框(2)与模塑树脂(8)的密接力提高，从而能够抑制模塑树脂(8)从引线框(2)剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及树脂模塑型的半导体装置，尤其涉及引线框与模塑树脂的密接性的提高。
技术介绍
半导体装置中，将铜板或铜合金板用于搭载半导体元件的引线框，并在其表面施加金、银、镍、或锡等金属镀敷，目的在于改善耐腐蚀性、耐热性。其中大多采用镀镍。另一方面，由于在引线框表面覆盖金属镀敷，因此有时会导致与用于传递模塑成型的环氧树脂等模塑树脂的密接性降低。因此，在传递模塑成型之后，在引线框与模塑树脂之间会立刻发生初始剥离。并且，众所周知由于使用环境下的反复的热应力，模塑树脂容易从引线框剥离。作为具有用于提高引线框表面的金属镀敷与模塑树脂的密接性的结构的现有例，在专利文献1中，采用下述结构：在至少表面的一部分具备被绝缘性树脂密封的覆盖面的封装元器件中，利用导电性皮膜覆盖引线框的表面，进一步在上述覆盖面具有对该导电性皮膜进行粗糙化后得到的粗糙面镀层。此外，在专利文献2中，通过利用金属模具对引线框进行冲压即进行所谓的填孔(dimple)加工，从而以大致相等的间隔着纵横方向上配置多个方形凹部，由此利用锚固效果来抑制模塑树脂的剥离(参照图14)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5264939号专利文献2：日本专利第3748849号
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，专利文献1所示的封装元器件的粗糙面镀层与平滑面镀层相比，存在导线键合性较差的问题。因此，导线的接合强度下降、以及未接合的可能性提高。此外，还存在着对与导线的连接部局部地实施条纹镀敷、掩模镀敷的方法，但与全面镀敷相比，存在成本增加的问题。若考虑到填孔加工的加工性，则专利文献2所示的半导体装置的方形凹部需要具有200μm左右的宽度，从而在引线框中无法确保足够的面积的情况下难以进行加工。尤其是引线框的与导线连接的连接部附近多为面积狭窄的区域，因此存在填孔加工无法进行的问题。此外，若要确保形成方形凹部的面积，则会阻碍半导体装置的小型化。此外，在引线框表面形成镀镍层的情况下，由于与铜相比，镀镍的硬度较高，用于形成方形凹部的金属模具的突起的磨损变快，存在生产性下降的问题。并且，引线框会因填孔加工而发生变形，从而存在难以确保引线框的平坦度的问题。尤其是在桥接安装电子元器件的半导体装置的情况下，由于引线框的变形会导致产生应力，给焊料、电子元器件造成损伤，因此必须要确保引线框的平坦度。本专利技术的目的在于，鉴于上述问题点，提供一种使表面施加了金属镀敷的引线框与模塑树脂的密接性提高，能够进行小型化，且生产性和可靠性较高的半导体装置。解决技术问题所采用的技术方案本专利技术所涉及的半导体装置包括搭载半导体元件的引线框、以及对引线框的至少搭载有半导体元件的面进行密封的模塑树脂，引线框的表面的一部分或整体被金属镀敷覆盖，并且在被模塑树脂密封的区域内具有使金属镀敷的表面形状变形成鳞状的鳞状部。专利技术效果根据本专利技术所涉及的半导体装置，利用鳞状部的锚固效果，引线框与模塑树脂的密接力提高，从而能够抑制模塑树脂从引线框剥离。鳞状部由于是通过使金属镀敷的表面形状变形而得到的，因此，能够容易地配置于任意的部位，在加工时不会损坏引线框的平坦度，因此，能够得到可进行小型化且生产性和可靠性较高的半导体装置。本专利技术的上述以外的目的、特征、观点和效果可根据参照附图下述本专利技术的详细说明来得以进一步明确。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图。图2是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的传递模塑成型工序的剖视图。图3是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的俯视图。图4是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的剖视图。图5是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的剖视图。图6是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的形态的扫描电子显微镜照片的图。图7是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的形态的扫描电子显微镜照片的图。图8是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的配置例的图。图9是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的配置例的图。图10是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的配置例的图。图11是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的配置例的图。图12是表示本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的鳞状部的配置例的图。图13是表示现有半导体装置中用于提高引线框与模塑树脂的密接性的结构的图。图14是表示现有的其他半导体装置中用于提高引线框与模塑树脂的密接性的结构的图。图15是表示本专利技术的实施方式2所涉及的半导体装置的鳞状部的俯视图。图16是表示本专利技术的实施方式2所涉及的半导体装置的鳞状部的剖视图。图17是表示本专利技术的实施方式3所涉及的半导体装置的剖视图。图18是表示本专利技术的实施方式3所涉及的其他半导体装置的剖视图。具体实施方式实施方式1.下面，基于附图说明本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置。图1示出了本实施方式1所涉及的树脂模塑型的半导体装置的结构的一个示例。本实施方式1所涉及的半导体装置100构成为包括半导体元件1、引线框2、导线5、内引线6以及外部端子7等。另外，在下述所有图中，对图中相同、相当部分标注相同标号。半导体元件1例如是IGBT、MOSFET、IC芯片、LSI芯片等，经由焊料、银等接合构件4安装于引线框2的上表面。搭载半导体元件1或其他电子元器件的引线框2由铜板或铜合金板构成，其表面被金、银、镍、锡等金属镀敷(省略图示)覆膜。并且，引线框2具有使金属镀敷的表面形状变形成鳞状的鳞状部3。该鳞状部3将在后文中详细说明。半导体元件1的电极焊盘经由通过导线键合连接的导线5、或者由铜板或铜合金板的材料制成的内引线6与外部端子7连接。导线5与内引线6彼此可替换。导线5由金、银、铝、铜等形成，线径为20μm到500μm左右。引线框2的至少搭载有半导体元件1的面由环氧树脂等模塑树脂8通过传递模塑成型来进行密封。图1的示例中，利用模塑树脂8对引线框2的两面进行密封。模塑树脂8的规定部位存在浇口切断痕迹8a。图2示出了半导体装置100的制造工序中的传递模塑成型工序。如图2所示，在成型金属模具20的内部设置有安装了半导体元件1和其他构件的引线框2。熔融后的模塑树脂被注入到成型金属模具20的空洞21。残留在成型金属模具20中模塑树脂的通道即浇口22内的模塑树脂被称为浇道(runner)8b。在传递模塑成型后，从成型金属模具20取出半导体装置100之后，实施分离浇道8b与半导体装置100的浇口切断。浇口切断后的半导体装置100中残留有浇口切断痕迹8a。在该传递模塑成型工序中，在从成型金属模具20排出半导体装置100时，从引线框2剥下模塑树脂8的应力发生作用，从而发生初始剥离。该应力是由于下述原因而产生的，例如模塑树脂8虽然只有一点但仍与成型金属模具20密接、以及为了不使模塑树脂8大量从成型金属模具20漏出而将外部端子7与成型金属模具20的间隙设得非常狭窄等。此外，在半导体装置100的浇口切断痕迹8a附近也容易发生初始剥离。这是主要是由于下述原因导致的，即：在浇口切断时对引线框2施加力，以及浇口切断痕迹8a附近是流过粘度较高的模塑树脂8的部位，与引线框2的密接性较差。在半导体装置100中距浇口切断痕迹8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：搭载半导体元件的引线框；以及对所述引线框的至少搭载有所述半导体元件的面进行密封的模塑树脂，所述半导体装置的特征在于，所述引线框的表面的一部分或整体被金属镀敷覆盖，并且在被所述模塑树脂密封的区域内，具有使所述金属镀敷的表面形状变形成鳞状后得到的鳞状部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：搭载半导体元件的引线框；以及对所述引线框的至少搭载有所述半导体元件的面进行密封的模塑树脂，所述半导体装置的特征在于，所述引线框的表面的一部分或整体被金属镀敷覆盖，并且在被所述模塑树脂密封的区域内，具有使所述金属镀敷的表面形状变形成鳞状后得到的鳞状部。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述鳞状部按规定宽度配置在任意的直线上或曲线上。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述鳞状部中，在所述规定宽度的中央部附近，所述金属镀敷下的所述引线框露出。4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体装置，其特征在于，利用所述模塑树脂进行密封时所使用的成型金属模具具有熔融后的所述模塑树脂的通道即浇口，所述鳞状部配置在所述引线框的靠近所述浇口的部位。5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，利用所述模塑树脂进行密封时所使用的成型金属模具具有熔融后的所述模塑树脂的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原孝信，中岛大辅，大前胜彦，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP