一种有机发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种有机发光二极管及其制作方法，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，其中，金属网栅层位于阳极层和空穴注入层之间；空穴注入层、空穴传输层中分别包含与金属网栅层的栅格对应的独立单元。在空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定阈值时，空穴注入层、空穴传输层中分别包含与金属网栅层的栅格对应的独立单元能够避免电子或空穴的横向漂移，有效解决有机发光二极管横向导通的问题，在使有机发光二极管产生的单色画面时不会有其他颜色的画面出现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板显示
，尤其涉及一种有机发光二极管及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)不仅具有自发光特性，而且结构简单、轻薄、响应速度快、可视角度大、发光效率高以及可实现柔性显示，是一种极具发展前景的平板显示技术。有机发光二极管通常包括：玻璃基板、位于玻璃基板上的阳极层，位于阳极层上的空穴注入层(HoleInjectionLayer，HIL)，位于空穴注入层上的空穴传输层(HoleTransportLayer，HTL)，位于空穴传输层上的有机发光层(EmittingMaterialLayer，EML)，位于有机发光层上的电子传输层(ElectronTransportLayer，ETL)，位于电子传输层上的电子注入层(ElectronInjectionLayer，EIL)以及位于电子注入层上的阴极。有机发光层中依次排列的是由有机发光材料构成的发光单元。当阳极层中产生的空穴经过空穴注入层和空穴传输层到达有机发光层的发光单元，阴极层中产生的电子经过电子注入层和电子传输层到达有机发光层的发光单元时，有机发光二极管被导通，电子和空穴在有机发光层的发光单元中复合释放能量，激发发光单元中的有机材料发光。由于有机发光二极管的空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定数值，在激发有机发光二极管的发光层的发光单元中的有机材料发光时，容易导致有机发光二极管横向导通，在使有机发光二极管产生单色画面时同时还有其他颜色出现。例如：假设使有机发光二极管发红光时，需要激发有机发光二极管中能够产生红光的发光单元被导通。但是由于有机发光二极管的空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定数值，空穴在经过空穴注入层和空穴传输层到达有机发光层的发光单元时发生横向漂移，使得产生红光的发光单元在被导通的同时，导致临近的产生红光的发光单元的能够产生绿光的发光单元也部分被导通，此时，在有机发光二极管中既能够看到红色画面，也能够看到微弱的绿色画面。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种有机发光二极管及其制作方法，用于解决有机发光二极管横向导通的问题。本专利技术提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，其特征在于，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，其中：所述金属网栅层位于所述阳极层和所述空穴注入层之间；所述空穴注入层、所述空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元。可选地，所述空穴注入层中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到第一设定温度后所述空穴注入层被加热分隔得到的。可选地，所述空穴传输层中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到第二设定温度后所述空穴传输层被加热分隔得到的。可选地，所述金属网栅层包含金属网栅结构，所述金属网栅的线宽为5～40μm，宽方向的周期为单个像素的宽度值，长方向的周期为单个像素的长度值，厚度为0.1～15μm。可选地，所述金属网栅层中栅格的位置与所述有机发光层中的发光单元的位置对应，且所述金属网栅层中栅格的大小大于所述有机发光层中的发光单元的大小，所述独立单元与所述有机发光层中的发光单元对应。本专利技术提供了一种有机发光二极管的制作方法，包括：在有机发光二极管的阳极层上沉积金属网栅层；在所述金属网栅层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层；对所述金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度。可选地，在有机发光二极管的阳极层上沉积金属网栅层，包括：在所述有机发光二极管的阳极层上蚀刻金属网栅层。可选地，在所述金属网栅层上沉积空穴传输层之后，所述方法还包括：在所述空穴传输层上沉积有机发光层，其中，所述有机发光层中的发光单元的位置与所述金属网栅层中栅格的位置一一对应，且所述发光单元的大小小于所述金属网栅层栅格的大小。可选地，在所述空穴传输层上沉积所述有机发光层之后，所述方法还包括：在所述有机发光层上依次沉积电子传输层、电子注入层。可选地，在对金属网栅层通电，使所述金属网栅层达到设定温度之后，所述方法还包括：在所述有机发光二极管的电子注入层上沉积所述有机发光二极管的阴极层。本专利技术有益效果如下：本专利技术提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，所述金属网栅层位于所述阳极层和所述空穴注入层之间；所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，所述独立单元与所述有机发光层中的发光单元对应。在空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定数值时，所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，能够避免电子或空穴的横向漂移，有效解决了有机发光二极管横向导通的问题，在使有机发光二极管产生单色画面时不会有其他颜色的画面出现。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的一种有机发光二极管的制作方法的流程示意图；图2为空穴注入层被分隔成独立单元结构的示意图；图3为有机发光二极管中有机发光层的示意图；图4(a)为本专利技术提供的一种有机发光二极管的结构示意图；图4(b)为本专利技术提供的一种有机发光二极管的结构示意图。具体实施方式目前，解决有机发光二极管横向导通的方法主要有两种，一种是有机发光二极管中每个发光单元对应的空穴注入层和空穴传输层采用透过金属遮罩(FineMetalShadowMask，FMM)方法蒸镀，当阳极产生的空穴经过空穴注入层、空穴传输层进入有机发光层时能够避免出现横向漂移，解决了有机发光二极管横向导通的问题，但是采用金属遮罩方法完成有机发光二极管不同膜层的蒸镀使得有机发光二极管的生产工艺比较复杂，在实际应用中使用率极低；另一种方法是空穴注入层和空穴传输层选用迁移率小于设定数值的材料来解决有机发光二极管横向导通的问题，但是这样会导致有机发光二极管的运行速度降低、性能下降、功耗增加。为了实现本专利技术的目的，本专利技术提供了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，其特征在于，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，所述金属网栅层位于所述有机发光二极管的所述阳极层和所述空穴注入层之间；所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，所述独立单元与所述有机发光层中的发光单元对应。由于空穴注入层和/或空穴传输层所使用的材料的迁移率大于设定数值，所述阳极层产生的空穴经过所述空穴注入层、所述空穴传输层到达所述有机发光层，采用本专利技术实施例中所记载的技术方案在阳极层和空穴注入层之间增加金属网栅层，使得所述空穴注入层、空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元，能够避免电子或空穴的横向漂移，有效解决有机发光二极管横向导通的问题，在使有机发光二极管产生单色画面时不会有其他颜色的画面出现。下面结合说明书附图对本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，其特征在于，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，其中：所述金属网栅层位于所述阳极层和所述空穴注入层之间；所述空穴注入层、所述空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层，其特征在于，所述有机发光二极管还包括：金属网栅层，其中：所述金属网栅层位于所述阳极层和所述空穴注入层之间；所述空穴注入层、所述空穴传输层中分别包含与所述金属网栅层的栅格对应的独立单元。2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到第一设定温度后所述空穴注入层被加热分隔得到的。3.如权利要求1或2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层中的所述独立单元是通过对所述金属网栅层通电使得所述金属网栅层达到第二设定温度后所述空穴传输层被加热分隔得到的。4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述金属网栅层包含金属网栅结构，所述金属网栅的线宽为5～40μm，宽方向的周期为单个像素的宽度值，长方向的周期为单个像素的长度值，厚度为0.1～15μm。5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述金属网栅层中栅格的位置与所述有机发光层中的发光单元的位置对应，并且所述金属网栅层中栅格的大小大于所述有机发光层中的发光单元的大小，所述独立单元与...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖伟，赵长征，刘玉成，罗志忠，刘金强，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32