贴片温度补偿石英晶体振荡器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种贴片温度补偿石英晶体振荡器，包括陶瓷基座、集成电路、石英晶片和外盖，陶瓷基座从上至下依次设置有密封层、陶瓷层、第二放置层、连接层、第一放置层和底面层，集成电路放置于第一放置层，石英晶片放置于第二放置层，外盖与密封层焊接。本实用新型专利技术将陶瓷基座作为温度补偿晶体振荡器集成电路的承载，可以直接将石英晶片与集成电路设于陶瓷基座内，通过陶瓷基座将集成电路的各个功能引脚引出连接外部端口。由于将集成电路置于陶瓷基座下层，石英晶片放置于上层而实现了立体布置，陶瓷基座顶层使用外盖密封，表面无裸露元器件，提高了产品的密封性与可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及移动通讯电子
，具体地指一种贴片温度补偿石英晶体振荡器。
技术介绍
传统模拟温补晶振采用分立器件，体积偏大，很难满足需求晶振小型化趋势要求。目前市场上出现用于温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座(如中国专利：5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，申请号：201220733935.7)，仅是将集成电路放置于陶瓷基座中，但需要使用环氧树脂对集成电路进行覆盖起保护作用，再通过基座顶面裸露的焊盘焊接单独的贴片石英晶体谐振器成品，该设计方案导致温度补偿石英晶体振荡器产品整体厚度偏大，且内部含有环氧树脂不能满足产品的密封性和高可靠性要求。
技术实现思路
为了解决上述现有
技术介绍
中所存在的问题，本技术提供了一种密封性强、可靠性更高的贴片温度补偿石英晶体振荡器。为实现上述目的，本技术所设计的贴片温度补偿石英晶体振荡器，包括陶瓷基座、集成电路、石英晶片和外盖，其特殊之处在于，所述陶瓷基座从上至下依次设置有密封层、陶瓷层、第二放置层、连接层、第一放置层和底面层，所述集成电路放置于第一放置层，所述石英晶片放置于第二放置层，所述外盖与密封层焊接。进一步地，所述底面层为矩形结构，设有八个外部端口，分别为第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口、第六端口、第七端口和第八端口，所述第一端口、第二端口、第三端口和第四端口沿逆时针方向分别设置于底面层的两条长边的两端；所述第五端口与第六端口设于第一端口与第二端口之间，且紧靠底面层的边缘设置；所述第七端口与第八端口设于第三端口与第四端口之间，且紧靠底面层的边缘设置。更进一步地，所述连接层为矩形结构，设有十一个连接管脚，分别为第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚、第五管脚、第六管脚、第七管脚、第八管脚、第九管脚、第十管脚、第十一管脚，所述十一个连接管脚沿逆时针方向依次环绕设置于连接层边缘处。更进一步地，所述第二放置层为矩形结构，设有两个粘接点，分别为第一粘接点、第二粘接点，所述两个粘接点垂直对称设置于第二放置层的短边左侧。更进一步地，所述连接层的第一管脚连接底面层的第一端口，第二管脚连接第二放置层的第二粘接点，第三管脚连接第一端口，第四管脚连接第五端口，第五脚连接第六端口，第六管脚连接第二端口、第一放置层以及密封层，七管脚连接第三端口，第八管脚连接第七端口，第九管脚连接第八端口，第十管脚连接第四端口，第十一管脚连接第二放置层的第二粘接点。更进一步地，所述密封层、陶瓷层、第二放置层、连接层、第一放置层和底面层的整体厚度约为1.1mm。由于采用了上述技术方案，本技术与现有技术相比，所取得的技术进步在于：(1)本技术包括底面层、第一放置层、连接层、第二放置层、陶瓷层及密封层，可以将集成电路放置于第一放置层中，将石英晶片放置于第二放置层中，通过内部各个管脚、端口及粘接点的连接，将石英晶片及集成电路的功能引脚连接并引出，形成完整的振荡补偿电路；(2)温度补偿晶体振荡器整体厚度不到1.3mm,体较小，厚度薄，能够满足小型化生产要求；(3)产品表面无裸露元器件，提高了产品的密封性与可靠性。(4)结构简单，体积小，可靠性高，且便于批量化生产。附图说明图1为本技术贴片温度补偿石英晶体振荡器结构示意图；图2为图1的俯视剖视图；图3为图1中陶瓷基座的俯视结构图。图中：密封层1，陶瓷层2，第二放置层3，第一粘接点3-1，第二粘接点3-2，连接层4，第一管脚4-1，第二管脚4-2，第三管脚4-3，第四管脚4-4，第五管脚4-5，第六管脚4-6，第七管脚4-7，第八管脚4-8，第九管脚4-9，第十管脚4-10，第十一管脚4-11，第一放置层5，底面层6，第一端口6-1，第二端口6-2，第三端口6-3，第四端口6-4，第五端口6-5，第六端口6-6，第七端口6-7，第八端口6-8，集成电路7、石英晶片8，外盖9。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术作进一步的详细描述。如图1～图3所示的本技术贴片温度补偿石英晶体振荡器，包括陶瓷基座、集成电路7、石英晶片8和外盖9，其特征在于：陶瓷基座从上至下依次设置有密封层1、陶瓷层2、第二放置层3、连接层4、第一放置层5和底面层6，集成电路7放置于第一放置层5，石英晶片8放置于第二放置层3，外盖9与密封层1焊接。底面层6为矩形结构，设有八个外部端口，分别为第一端口6-1、第二端口6-2、第三端口6-3、第四端口6-4、第五端口6-5、第六端口6-6、第七端口6-7和第八端口6-8，第一端口6-1、第二端口6-2、第三端口6-3和第四端口6-4沿逆时针方向分别设置于底面层6的两条长边的两端；第五端口6-5与第六端口6-6设于第一端口6-1与第二端口6-2之间，且紧靠底面层6的边缘设置；第七端口6-7与第八端口6-8设于第三端口6-3与第四端口6-4之间，且紧靠底面层6的边缘设置。连接层4为矩形结构，设有十一个连接管脚，分别为第一管脚4-1、第二管脚4-2、第三管脚4-3、第四管脚4-4、第五管脚4-5、第六管脚4-6、第七管脚4-7、第八管脚4-8、第九管脚4-9、第十管脚4-10、第十一管脚4-11，十一个连接管脚沿逆时针方向依次环绕设置于连接层4边缘处。第二放置层3为矩形结构，设有两个粘接点，分别为第一粘接点4-1、第二粘接点4-2，两个粘接点垂直对称设置于第二放置层3的短边左侧。连接层4的第一管脚4-1连接底面层6的第一端口6-1，第二管脚4-2连接第二放置层3的第二粘接点3-2，第三管脚4-3连接第一端口6-1，第四管脚4-4连接第五端口6-5，第五脚4-5连接第六端口6-6，第六管脚4-6连接第二端口6-2、第一放置层5中集成电路放置平台D/A以及密封层1，七管脚4-7连接第三端口6-3，第八管脚4-8连接第七端口6-7，第九管脚4-9连接第八端口6-8，第十管脚4-10连接第四端口6-4，第十一管脚4-11连接第二放置层3的第一粘接点3-1。此外，本实施例中陶瓷基座的密封层1、陶瓷层2、第二放置层3、连接层4、第一放置层5、底面层6的厚度约为1.1mm,陶瓷基座及外盖9的整体厚度低于1.3mm，底面层6的尺寸为5×3.2mm。本技术适用于7.0×5.0mm尺寸的SMD5032温度补偿石英晶体振荡器，将陶瓷基座作为温度补偿晶体振荡器集成电路的承载，可以直接将石英晶片8与集成电路7设于陶瓷基座内，通过陶瓷基座将集成电路7的各个功能引脚引出连接外部端口。由于将集成电路7置于陶瓷基座下层，石英晶片8放置于上层而实现了立体布置，陶瓷基座顶层使用外盖9密封，从而使产品体积实现7.0×5.0×1.3mm以下，且表面无裸露元器件，提高了产品的密封性与可靠性。以上所述实施例仅仅是本技术的优选实施方式进行描述，并非对本技术的范围进行限定，在不脱离本技术设计精神的前提下，本领域技术人员对本技术的技术方案做出的各种变形及改进，均应落入本技术的权利要求书确定的保护范围内。其它未详细说明的部分均为现有技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
贴片温度补偿石英晶体振荡器，包括陶瓷基座、集成电路(7)、石英晶片(8)和外盖(9)，其特征在于：所述陶瓷基座从上至下依次设置有密封层(1)、陶瓷层(2)、第二放置层(3)、连接层(4)、第一放置层(5)和底面层(6)，所述集成电路(7)放置于第一放置层(5)，所述石英晶片(8)放置于第二放置层(3)，所述外盖(9)与密封层(1)焊接。

【技术特征摘要】
1.贴片温度补偿石英晶体振荡器，包括陶瓷基座、集成电路(7)、石英晶片(8)和外盖(9)，其特征在于：所述陶瓷基座从上至下依次设置有密封层(1)、陶瓷层(2)、第二放置层(3)、连接层(4)、第一放置层(5)和底面层(6)，所述集成电路(7)放置于第一放置层(5)，所述石英晶片(8)放置于第二放置层(3)，所述外盖(9)与密封层(1)焊接。2.根据权利要求1所述的贴片温度补偿石英晶体振荡器，其特征在于：所述底面层(6)为矩形结构，设有八个外部端口，分别为第一端口(6-1)、第二端口(6-2)、第三端口(6-3)、第四端口(6-4)、第五端口(6-5)、第六端口(6-6)、第七端口(6-7)和第八端口(6-8)，所述第一端口(6-1)、第二端口(6-2)、第三端口(6-3)和第四端口(6-4)沿逆时针方向分别设置于底面层(6)的两条长边的两端；所述第五端口(6-5)与第六端口(6-6)设于第一端口(6-1)与第二端口(6-2)之间，且紧靠底面层(5)的边缘设置；所述第七端口(6-7)与第八端口(6-8)设于第三端口(6-3)与第四端口(6-4)之间，且紧靠底面层(6)的边缘设置。3.根据权利要求2所述的贴片温度补偿石英晶体振荡器，其特征在于：所述连接层(4)为矩形结构，设有十一个连接管脚，分别为第一管脚(4-1)、第二管脚(4-2)、第三管脚(4-3)、第四管脚(4-4...

【专利技术属性】
技术研发人员：万鹏，吴仲杰，毛晶，张亚芳，刘文新，
申请(专利权)人：武汉海创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42