抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法技术

本发明专利技术涉及抗蚀剂剥离液组合物使用其的抗蚀剂剥离方法，更详细地说，涉及如下的抗蚀剂剥离液组合物，该抗蚀剂剥离液组合物通过包含乙醇胺、化学式1所表示的酰胺和在苯环具有两个以上取代基的苯并三唑系防腐蚀剂，从而显示出优异的剥离能力，与此同时，能够使对下部金属配线、绝缘膜的腐蚀最小化，并且经时稳定性优异，能够从根本上抑制自身反应导致的抗蚀剂剥离能力下降、副产物生成等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抗蚀剂剥离液组合物使用其的抗蚀剂剥离方法。
技术介绍
光致抗蚀剂(Photoresist)是能够利用通过光的光化学反应在所需的基板上将预先画在光掩模(Photomask)的微细图案显影的化学被膜，是与光掩模一起应用于曝光技术的高分子材料，被认为是对元件的集成度直接带来影响并决定最终的分辨率极限的主要因子。根据又名摩尔定律(Moore'slaw；半导体的集成度每2年增加2倍的理论)，为了将每年增加的电路的集成度放入被限定大小的半导体，需要将设计的电路进行更小的图案化(patterning)，因此半导体集成度的增加必然会不断要求新的光致抗蚀剂的开发。为了制造半导体元件或高分辨率的平板显示器，一般使用利用这种光致抗蚀剂在基板上形成微细的配线的光刻工序，这是利用光致抗蚀剂的热特性、机械特性、化学特性，在基板涂布光致抗蚀剂后，使其在一定波长的光中曝光(exposure)，进行干式蚀刻或湿式蚀刻的方法。在利用了光致抗蚀剂的微细的图案化技术中，与开发新的光致抗蚀剂一同受到重视的领域是抗蚀剂剥离液(Stripper或PhotoresistRemover)。光致抗蚀剂需要在工序结束后利用被称为剥离液(Stripper或PhotoresistRemover)的溶剂除去，这是因为在蚀刻过程后不必要的光致抗蚀剂层和通过蚀刻和洗涤过程残留在基板上的金属残留物或变质的光致抗蚀剂残留物会引起使半导体制造的收率下降等问题。作为代表性地使用的干式蚀刻法，可举出等离子体蚀刻、离子注入蚀刻等方法，在这种等离子体蚀刻的情况下，由于利用等离子体气体与导电层之类的物质膜之间的气相-固相反应进行蚀刻工序，所以等离子体蚀刻气体的离子和自由基与光致抗蚀剂引起化学反应，使光致抗蚀剂膜固化和变性，因此难以除去。另外，离子注入工序是在半导体/LED/LCD元件的制造工序中，为了在基板的特定区域赋予导电性，使磷、砷、硼等元素扩散的工序，离子与正性光致抗蚀剂引起化学反应而使其变性，因此仍然难以除去。因此，要求对于蚀刻残渣的清除力和对于变质的光致抗蚀剂残留物的优异的剥离能力，具体而言，要求对于在干式蚀刻工序后发生的蚀刻残渣的清除力、对于下部金属配线和硅的腐蚀抑制力等要求相当高水平的剥离特性。韩国公开专利第2011-0130563号中公开了光致抗蚀剂剥离组合物。现有技术文献专利文献韩国公开专利第2011-0130563号
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的目的在于提供显示出优异的剥离能力，与此同时，使下部金属配线、绝缘膜的腐蚀最小化的抗蚀剂剥离液组合物。解决课题的方法1.一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含乙醇胺、下述化学式1所表示的酰胺和在苯环具有两个以上取代基的苯并三唑系防腐蚀剂：[化学式1](式中，R1和R2各自独立地为甲基或乙基)。2.根据上述1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，上述化学式1所表示的酰胺为选自由下述化学式2～4组成的组中的一种以上的化合物：[化学式2][化学式3][化学式4]3.根据上述1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，上述防腐蚀剂为下述化学式5所表示的化合物：[化学式5](式中，R1和R2各自独立地为卤素原子、甲基、-NH2、-NHCOR3、-OH、-OR4、-COOR5、-CONHR6，R3～R6各自独立地为碳原子数1～12的烷基)。4.根据上述1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，上述防腐蚀剂为选自由下述化学式6～10所表示的化合物组成的组中的一种以上：[化学式6][化学式7][化学式8][化学式9][化学式10]5.根据上述1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其进一步包含二元醇系溶剂。6.根据上述5所述的抗蚀剂剥离液组合物，其包含乙醇胺0.1～10重量％、在苯环具有两个以上取代基的苯并三唑系防腐蚀剂0.01～5重量％、以及化学式1所表示的酰胺和二元醇系溶剂合计85～99重量％。7.根据上述5所述的抗蚀剂剥离液组合物，其包含乙醇胺0.1～10重量％、在苯环具有两个以上取代基的苯并三唑系防腐蚀剂0.01～5重量％、化学式1所表示的酰胺15～60重量％和二元醇系溶剂25～75重量％。8.根据上述1～7中任一项所述的抗蚀剂剥离液组合物，其用于剥离形成有金属配线的基板的抗蚀剂，上述金属配线包含选自由铝、铜和钼组成的组中的金属。9.一种抗蚀剂的剥离方法，其中，用上述1～7中任一项所述的剥离液组合物对蒸镀有导电性金属膜的基板的蚀刻工序后残留的抗蚀剂进行剥离。10.一种图像显示装置的制造方法，其包括上述9所述的抗蚀剂剥离步骤。专利技术效果本专利技术的抗蚀剂剥离液组合物能够显示出优异的剥离能力，与此同时，能够使对下部金属配线、绝缘膜的腐蚀最小化。本专利技术的抗蚀剂剥离液组合物由于使组合物自身的反应性最小化，从而经时稳定性优异。据此，能够从根本上抑制自身反应导致的抗蚀剂剥离能力下降、副产物生成等问题。具体实施方式本专利技术涉及一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含乙醇胺、化学式1所表示的酰胺和在苯环具有两个以上取代基的苯并三唑系防腐蚀剂，从而显示出优异的剥离能力，与此同时，能够使对下部金属配线、绝缘膜的腐蚀最小化，并且经时稳定性优异，能够从根本上抑制自身反应导致的抗蚀剂剥离能力下降、副产物生成等问题。以下，详细说明本专利技术。本专利技术的抗蚀剂剥离液组合物包含乙醇胺、酰胺和防腐蚀剂。乙醇胺起到在干式蚀刻或湿式蚀刻、灰化(ashing)或离子注入工序(ionimplantprocessing)等各个工序条件下强力浸透变质或交联的抗蚀剂(resist)的高分子基体而破坏存在于分子内或分子间的键的作用。就这样的乙醇胺的作用而言，通过在残留于基板的抗蚀剂内的结构性的脆弱的部分形成空间，使抗蚀剂变成无定形的高分子凝胶(gel)块的状态，从而使附着于基板上部的抗蚀剂能够容易除去。乙醇胺的含量没有特别限定，例如在组合物总重量中可以包含0.1～10重量％。如果含量小于0.1重量％，则光致抗蚀剂清除力甚微，如果超过10重量％，则对于光致抗蚀剂下部层的金属配线的腐蚀性可能变大。从具有优异的光致抗蚀剂清除力的同时具有防腐蚀能力的方面考虑，可以优选包含0.5～5重量％。酰胺在本专利技术的抗蚀剂剥离液组合物中相当于溶解光致抗蚀剂的溶剂。另外，降低组合物的表面张力而改善对光致抗蚀剂的湿润性。烷醇胺和酰胺一同使用时存在自反应性(胺交换反应)，因此烷醇胺的含量降低而剥离性能降低。另外，作为上述反应的副产物，生成烷基胺，不仅产生刺激性气味，而且使用时产生环境安全问题，存在剥离液的寿命降低的问题。但是，本专利技术使用下述化学式1所表示的酰胺，从而能够减少乙醇胺的浓度并能够抑制副产物生成。根据本专利技术的酰胺由下述化学式1表示。[化学式1](式中，R1和R2各自独立地为甲基或乙基)。在化学式1中，R1为甲基或乙基，与R1为氢的情况相比，能够显著降低乙醇胺对酰胺的反应性。认为这是由于甲基和乙基的电子供体的性质，抑制羰基的碳原子的亲电子性，另外，与氢相比，空间位阻大导致的。相反，如果R1的碳原子数为3以上，则光致抗蚀剂的溶解性能降低。认为这是由于随着分子大小增加而粘度增加，所以向光致抗蚀剂内部的浸透速度变慢，极性降低所致。在化学式1中，R2也是甲基或乙基，同样能够降低乙醇胺对酰胺的反应性。认为这是因为甲基、乙基诱发空间位阻。如果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含乙醇胺、下述化学式1所表示的酰胺和在苯环具有两个以上取代基的苯并三唑系防腐蚀剂：化学式1式中，R1和R2各自独立地为甲基或乙基。

【技术特征摘要】
2015.08.18 KR 10-2015-01161621.一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含乙醇胺、下述化学式1所表示的酰胺和在苯环具有两个以上取代基的苯并三唑系防腐蚀剂：化学式1式中，R1和R2各自独立地为甲基或乙基。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述化学式1所表示的酰胺是选自由下述化学式2～4组成的组中的一种以上的化合物：化学式2化学式3化学式43.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述防腐蚀剂为下述化学式5所表示的化合物：化学式5式中，R1和R2各自独立地为卤素原子、甲基、-NH2、-NHCOR3、-OH、-OR4、-COOR5、-CONHR6，R3～R6各自独立地为碳原子数1～12的烷基。4.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述防腐蚀剂为选自由下述化学式6～10所表示的化合物组成的组中的一种以上：化学式6化学式7化学式8化...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔汉永，高京俊，李喻珍，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR