发光模块以及具有此发光模块的头灯制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光模块，包含：一基板、至少一半导体元件、一透明层及一光线转换层，其中，所述半导体元件，设置于该基板上，该半导体元件包含有一顶面以及一第一侧面，且该半导体元件主要藉由该顶面射出具有一第一波长的一第一光线；所述透明层，包含有一第二侧面；所述光线转换层，该光线转换层包含有一第三侧面，该光线转换层吸收部分具有该第一波长的该第一光线且射出具有一第二波长的一第二光线，该光线转换层位于该半导体元件与该透明层之间，其中该第一侧面、该第二侧面以及该第三侧面实质上为共一平面。还公开了包含上述发光模块的头灯。本实用新型专利技术提升了发光模块的发光均匀度以及照明区域的清晰度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光模块以及一种头灯，尤其涉及一种包含透明层的发光模块以及具有此发光模块的头灯。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种电致发光元件，主要是由磷化稼(Gap)、磷砷化锌(GaAsP)等半导体材料制成。由于发光二极管具有耗电量低、元件寿命长、反应时间短(fastresponsetime)以及体积小等优点，因而高功率的发光二极管被广泛地应用在汽车头灯以及投影机投影灯等照明装置中。一般而言，为了提高照明装置的对比度，在封装制程中会于发光二极管晶片/晶粒(CHIP/DIE)周围设置具有低透光度的反射层以提升光准直性。然而，此反射层容易令相邻的两个发光二极管之间形成暗区(DarkZone)，而使得照明装置的发光均匀度不佳，同时也降低照明区域的清晰度。
技术实现思路
针对上述不足，本技术的目的在于提供一种发光模块以及具有此发光模块的头灯，有助于消除相邻两个发光二极管之间的暗区以提升发光均匀度。本技术为达到上述目的所采用的技术方案是：一种发光模块，其特征在于，包含：一基板；至少一半导体元件，设置于该基板上，该半导体元件包含有一顶面以及一第一侧面，且该半导体元件主要藉由该顶面射出具有一第一波长的一第一光线；一透明层，包含有一第二侧面；以及一光线转换层，该光线转换层包含有一第三侧面，该光线转换层吸收部分具有该第一波长的该第一光线且射出具有一第二波长的一第二光线，该光线转换层位于该半导体元件与该透明层之间，其中该第一侧面、该第二侧面以及该第三侧面实质上为共一平面。作为本技术的进一步改进，该至少一半导体元件的数量为多个，该些半导体元件设置于该基板上且两两相邻。作为本技术的进一步改进，该光线转换层具有多个间隙，该些半导体元件的侧边定义出该些间隙的位置与形状。作为本技术的进一步改进，该透明层的厚度大于0.2厘米并且小于等于3.0厘米。作为本技术的进一步改进，该透明层的厚度小于等于1.0厘米。作为本技术的进一步改进，该透明层的折射率大于等于1并且小于等于3。作为本技术的进一步改进，还包含一第一反射层，设置于该基板上，该第一反射层位于该第一侧面旁。作为本技术的进一步改进，还包含一第二反射层，该第二反射层设置于该些半导体元件相邻的两个第四侧面之间。作为本技术的进一步改进，还包含一第一反射层和一第二反射层，其中该第一反射层设置于该基板上并且位于该第一侧面旁，该第二反射层设置于该些半导体元件相邻的两个第四侧面之间，该第二反射层直接接合该光线转换层，且该第一反射层直接接合该透明层。作为本技术的进一步改进，还包含一第一反射层和一第二反射层，其中该第一反射层设置于该基板上并且位于该第一侧面旁，该第二反射层设置于该些半导体元件相邻的两个第四侧面之间，该第一反射层和该第二反射层皆包含一本体和多个光反射粒子，该些光反射粒子分布于该本体内，该本体的材质为透光材料，并且该些光反射粒子的材质选自氧化钛、氧化硅、氮化硼及其组合所组成的群组中之一。作为本技术的进一步改进，该至少一光线转换层朝相对于该共平面的方向延伸且突出于该半导体元件的该顶面。一种包含上述发光模块的头灯。本技术所公开的发光模块的半导体元件、光线转换层与透明层依序堆叠于基板上。藉由半导体元件的顶面射出光线，光线转换层将半导体元件所射出的光线转换成波长相异的另一光线。其中，半导体元件的侧面、透明层的侧面以及光线转换层的侧面实质上为共一平面。本技术的有益效果为：光线转换层介于半导体元件与透明层之间，并且半导体元件的侧面、透明层的侧面以及光线转换层的侧面实质上为共一平面。藉此，当光线转换层出射的光线进入透明层时，透明层有助于将此光线进行混光(MixedLight)，而能消除相邻的两个半导体元件之间的暗区，进而提升发光模块的发光均匀度以及照明区域的清晰度。此外，透明层亦有助于提升发光模块的光准直性，使得发光模块除了能消除暗区之外，还同时兼具良好光准直性的功效。上述是技术技术方案的概述，以下结合附图与具体实施方式，对本技术做进一步说明。附图说明图1为本技术第一实施例的发光模块的立体示意图；图2为图1中的发光模块沿剖切线A-A剖切的剖切示意图；图3为本技术第二实施例的发光模块的剖切示意图；图4为本技术第三实施例的头灯的剖切示意图。其中，附图标记：1发光模块2头灯3壳体4灯罩10基板20半导体元件210、430、620顶面220、230、510、610侧面30、40反射层310、410本体320、420光反射粒子430顶面50光线转换层520贴附面60透明层具体实施方式以下在实施方式中详细叙述本技术的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域的技术人员了解本技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所公开的内容、权利要求保护范围及附图，任何本领域的技术人员可轻易地理解本技术相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本技术的观点，但非以任何观点限制本技术的范畴。需注意的是，本文在提及X大于或小于N时，除非另有注明，否则X的数值并不包含N本身。请同时参照图1和图2。图1为本技术第一实施例的发光模块的立体示意图。图2为图1中的发光模块沿剖切线A-A剖切的剖切示意图。本实施例的发光模块1包含一基板10、多个半导体元件20、两个反射层30与40、一光线转换层50以及一透明层60。半导体元件20的数量并不以多个为限。在其他实施例中，半导体元件20的数量可以是单个。基板10的材质例如但不限于是陶瓷材料，惟按使用于散热或是成本需求的相异性，基板10亦得由硅、铝或是其他得以提供晶片承载的用的金属、非金属的材料所组成。半导体元件20例如但不限于是透过覆晶技术(又称倒晶封装法，FlipChip)连接于基板10的一二极管发光晶片(LEDDIE)。这些半导体元件20皆设置于基板10上且两两相邻。每一半导体元件20具有一顶面210以及两个侧面(lateralside)，且半导体元件20主要藉由顶面210射出一光线。也就是说，顶面210具有较大的出光量。如图2所示，反射层30形成于基板10的表面且围绕并形成有一空间以供半导体元件20、反射层30、反射层40、光线转换层50以及透明层60容置于其中。详细来说，反射层30包含一本体310和多个光反射粒子320，并且光反射粒子320分布于本体310内。反射层30的本体310设置于基板10上并且环绕这些半导体元件20。而上述多颗半导体元件20当中，有部份半导体元件20与反射层30相邻近，并且这些半导体元件20面对且接触反射层30的侧面被定义为侧面220。反射层30的本体310设置于侧面220。任两个相邻的半导体元件20的这些侧面220皆不互相面对。其中，反射层30除了避免发光模块1的侧边产生漏光，亦帮助使半导体元件20产生的光朝顶面210的方向射出。反射层40设置于相邻两个半导体元件20的两个侧面间。详细来说，如图2所示，反射层40包含一本体410和多个光反射粒子420，并且光反射粒子420分布于本体410内。半导体元件20的侧面230面对相邻的其他半导体元件20的侧面230。而相互面对的两个侧面230间具有一间隙，反射层40本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光模块，其特征在于，包含：一基板；至少一半导体元件，设置于该基板上，该半导体元件包含有一顶面以及一第一侧面，且该半导体元件主要藉由该顶面射出具有一第一波长的一第一光线；一透明层，包含有一第二侧面；以及一光线转换层，该光线转换层包含有一第三侧面，该光线转换层吸收部分具有该第一波长的该第一光线且射出具有一第二波长的一第二光线，该光线转换层位于该半导体元件与该透明层之间，其中该第一侧面、该第二侧面以及该第三侧面实质上为共一平面。

【技术特征摘要】
2015.07.06 CN 20151039134781.一种发光模块，其特征在于，包含：一基板；至少一半导体元件，设置于该基板上，该半导体元件包含有一顶面以及一第一侧面，且该半导体元件主要藉由该顶面射出具有一第一波长的一第一光线；一透明层，包含有一第二侧面；以及一光线转换层，该光线转换层包含有一第三侧面，该光线转换层吸收部分具有该第一波长的该第一光线且射出具有一第二波长的一第二光线，该光线转换层位于该半导体元件与该透明层之间，其中该第一侧面、该第二侧面以及该第三侧面实质上为共一平面。2.如权利要求1所述的发光模块，其特征在于，该至少一半导体元件的数量为多个，该些半导体元件设置于该基板上且两两相邻。3.如权利要求2所述的发光模块，其特征在于，该光线转换层具有多个间隙，该些半导体元件的侧边定义出该些间隙的位置与形状。4.如权利要求1所述的发光模块，其特征在于，该透明层的厚度大于0.2厘米并且小于等于3.0厘米。5.如权利要求1所述的发光模块，其特征在于，该透明层的厚度小于等于1.0厘米。6.如权利要求1所述的发光模块，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡尚勳，張誼誼，
申请(专利权)人：东莞艾笛森光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44