射频开关电路制造技术

本发明专利技术提供了一种射频开关电路，包括由M个晶体管连接组成的晶体管链，还包括由M个第一电阻串联组成的电阻链，该电阻链上有M个连接点，所述M个晶体管的衬底依次通过不同的第二电阻依次连接在所述M个连接点上；还提供了另一种射频开关电路，包括由N个第一电阻串联组成的第一电阻链和由M‑N个第一电阻串联组成的第二电阻链，该第一电阻链上有N个连接点，第二电阻链上有M‑N个连接点，所述晶体管链中前N个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述N个连接点上，后M‑N个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述M‑N个连接点上。这两种射频开关电路能够降低晶体管源极和漏极之间的最大压差，使晶体管上的电压分布更均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体电路
，特别涉及一种射频开关电路。
技术介绍
射频开关是用于控制射频信号传输路径及信号大小的控制器件之一，在无线通信、电子对抗、雷达系统及电子测量仪器等许多领域有广泛用途。现有的射频开关电路由M个晶体管连接组成，如图1所示，从左至右分别为第一晶体管1、第二晶体管2、第三晶体管3......第M-1晶体管M-1和第M晶体管M。所述第一晶体管1的漏极作为射频开关电路的输入端，其源极与所述第二晶体管2的漏极相连；所述第二晶体管2的源极与所述第三晶体管3的漏极相连......所述第M-1晶体管M-1的源极与所述第M晶体管M的漏极相连，所述第M晶体管M的源极作为所述射频开关电路的输出端；每个所述晶体管的栅极通过高电阻接偏置电压Vg；每个晶体管的衬底上都连有高电阻，并且通过高电阻接地(或者统一接偏置电压)；每个晶体管的漏极与源极之间接有高电阻。图1中所有高电阻的阻值均一致且至少为50K欧姆。随着现代雷达和无线电通信技术等的发展，各种电子设备对其内部应用或系统测试使用的射频开关电路不断提出更高的要求，其中重要的一点就是现有的射频开关电路使电压分布不平衡，严重影响功率处理能力甚至导致晶体管上出现的高电压击穿晶体管，因此有必要改善现有射频开关电路的结构，降低分配在晶体管源极和漏极之间的最大压差，减小晶体管被高电压击穿的风险。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种射频开关电路，降低分配在晶体管源极和漏极之间的最大压差，以降低现有的射频开关电路中的晶体管被高电压击穿的风险。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种射频开关电路，包括由M个晶体管连接组成的晶体管链，用于电子电路中控制射频信号，所述射频开关电路还包括：电阻链，所述电阻链包括M个串联的第一电阻，所述电阻链上有M个连接点，分布在每个第一电阻的同侧，并且任意两个连接点之间至少有一个第一电阻；M个第二电阻，所述晶体管链中每个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述M个连接点上。可选的，在所述射频开关电路中，所述电阻链中第一个第一电阻和第M个第一电阻接地。可选的，在所述射频开关电路中，所述电阻链上接有第一负偏压。可选的，在所述射频开关电路中，所述第一负偏压连接处在第二个第一电阻和第M-1个第一电阻之间。可选的，在所述射频开关电路中，所述晶体管链中，第一个晶体管的源极与第二个晶体管的漏极相连；所述第二个晶体管的源极与第三个晶体管的漏极相连......第M-1个晶体管的源极与第M个晶体管的漏极相连。可选的，在所述射频开关电路中，所述第一个晶体管的漏极为所述射频开关电路输入端，所述第M个晶体管的源极为所述射频开关电路输出端。可选的，在所述射频开关电路中，所述晶体管链上每个晶体管的漏极和源极通过不同的第三电阻连接。可选的，在所述射频开关电路中，所述晶体管链中每个晶体管的栅极都连有不同的第四电阻并接第二负偏压。可选的，在所述射频开关电路中，所述第三电阻和所述第四电阻的阻值至少为50K欧姆。可选的，在所述射频开关电路中，所述第二电阻的阻值至少为50K欧姆。可选的，在所述射频开关电路中，所述M是至少为4的自然数。为实现上述目的以及其它相关目的，本专利技术提供了一种射频开关电路，包括由M个晶体管连接组成的晶体管链，用于电子电路中控制射频信号，所述射频开关电路还包括：第一电阻链，所述第一电阻链包括N个串联的第一电阻，所述第一电阻链上有N个连接点，分布在每个第一电阻的同侧，并且任意两个连接点之间至少有一个第一电阻；第二电阻链，所述第二电阻链包括M-N个串联的第一电阻，所述第二电阻链上有M-N个连接点，分布在每个第一电阻的同侧，并且任意两个连接点之间至少有一个第一电阻；M个第二电阻，所述晶体管链中前N个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述N个连接点上，后M-N个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述M-N个连接点上。可选的，在所述射频开关电路中，所述第一电阻链中，第一个第一电阻接地，第N个第一电阻接第一负偏压。可选的，在所述射频开关电路中，所述第二电阻链中，第一个第一电阻接地，第M-N个第一电阻接第一负偏压。可选的，在所述射频开关电路中，所述第一电阻链和所述第二电阻链上的电阻至少是2个。可选的，在所述射频开关电路中，所述M>N，且M是至少为4的自然数。在本专利技术提供的射频开关电路中，包括由M个晶体管连接组成的晶体管链和M个第一电阻串联组成的电阻链，所述电阻链上有M个连接点，分布在每个第一电阻的同侧，并且任意两个连接点之间至少有一个第一电阻；M个第二电阻，所述晶体管链中每个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述M个连接点上。本专利技术提供了另一种射频开关电路，包括由M个晶体管连接组成的晶体管链、N个第一电阻串联组成的第一电阻链和M-N个第一电阻串联组成的第二电阻链，所述第一电阻链上有N个连接点，所述第二电阻链上有M-N个连接点；M个第二电阻，所述晶体管链中前N个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述第一电阻链上的N个连接点上，后M-N个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述第二电阻链上的M-N个连接点上。总之，这两种射频开关电路能够使晶体管上的电压分布更均匀，降低晶体管源极和漏极之间的最大压差，从而降低现有的射频开关电路中的晶体管被高电压击穿的风险。附图说明图1是现有的射频开关电路结构示意图；图2是实施例一提供的射频开关电路结构示意图；图3是实施例二提供的射频开关电路结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的射频开关电路作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。实施例一本专利技术提供了一种射频开关电路，具体结构如图2所示，包括由M个晶体管连接组成的晶体管链，用于电子电路中控制射频信号，其特征在于，还包括：电阻链，所述电阻链包括M个串联的第一电阻：第一个第一电阻R1、第二个第一电阻R2......第M-1个第一电阻RM-1和第M个第一电阻RM。所述电阻链上有M个连接点(图中未示出)，分布在每个第一电阻的同侧，并且任意两个连接点之间至少有一个第一电阻；M个第二电阻，所述晶体管链中每个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述电阻链上的M个连接点上。具体的，所述电阻链的两端接地，如图所示，即所述第一个第一电阻R1的左边和第M个第一电阻RM的右边分别接地。请继续参阅图2，所述电阻链上接有第一负偏压Vusb，所述第一负偏压Vusb连接处在第二个第一电阻R2和第M-1个第一电阻RM-1之间，具体的，所述第一负偏压Vusb可以接在第二个第一电阻R2和第三个第一电阻R3之间、第三个第一电阻R3和第四个第一电阻R4之间......第M-3个第一电阻RM-3和第M-2个第一电阻RM-2之间以及第M-2个第一电阻RM-2和第M-1个第一电阻RM-1之间。优选的，所述第一负偏压Vusb接在所述电阻链的中间位置或尽量接近中间位置。具体的，如果所述电阻链上第一电阻的个数是偶数，即M是偶数，则所述第一负偏压Vusb连接处在第个第一电阻和第个第一电阻之间；如果所述电阻链上第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频开关电路，包括由M个晶体管串联组成的晶体管链，用于电子电路中控制射频信号，其特征在于，还包括：电阻链，所述电阻链包括M个串联的第一电阻，所述电阻链上有M个连接点，分布在每个第一电阻的同侧，并且任意两个连接点之间至少有一个第一电阻；M个第二电阻，所述晶体管链中每个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述M个连接点上。

【技术特征摘要】
1.一种射频开关电路，包括由M个晶体管串联组成的晶体管链，用于电子电路中控制射频信号，其特征在于，还包括：电阻链，所述电阻链包括M个串联的第一电阻，所述电阻链上有M个连接点，分布在每个第一电阻的同侧，并且任意两个连接点之间至少有一个第一电阻；M个第二电阻，所述晶体管链中每个晶体管的衬底上通过一个不同的第二电阻依次连接在所述M个连接点上。2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述电阻链中第一个第一电阻和第M个第一电阻接地。3.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，所述电阻链上接有第一负偏压。4.如权利要求3所述的射频开关电路，其特征在于，所述第一负偏压连接处在第二个第一电阻和第M-1个第一电阻之间。5.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述晶体管链中，第一个晶体管的源极与第二个晶体管的漏极相连；所述第二个晶体管的源极与第三个晶体管的漏极相连......第M-1个晶体管的源极与第M个晶体管的漏极相连。6.如权利要求5所述的射频开关电路，其特征在于，所述第一个晶体管的漏极为所述射频开关电路输入端，所述第M个晶体管的源极为所述射频开关电路输出端。7.如权利要求5所述的射频开关电路，其特征在于，所述晶体管链上每个晶体管的漏极和源极通过不同的第三电阻连接。8.如权利要求7所述的射频开关电路，其特征在于，所述晶体管链中每个晶体管的栅极都连有不同的第四电阻并接第二负偏压。9.如权利要求8所述的射频开关电路，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31