用于静电卡盘的具有凸状内表面的环形边缘密封件制造技术

本发明专利技术提供了一种用于静电卡盘的具有凸状内表面的环形边缘密封件。一种边缘密封件布置在衬底处理系统的静电卡盘形成的环形沟槽内。边缘密封件包括环形主体、径向内表面、径向外表面、顶表面和底表面。所述径向内表面是凸起的。所述径向内表面、顶表面和底表面是大致平坦的。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年8月10日提交的美国临时申请No.62/203,118的权益。以上所引用申请的全部公开内容通过引用的方式被并入本文。
本公开涉及衬底处理系统，更具体而言，涉及用在衬底处理系统中的边缘密封件
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。在此
技术介绍
部分中所描述范围内，当前指定的专利技术人的工作以及在申请时可能没有另行界定为现有技术的描述方面既没有明示也没有暗示地承认为相对于本公开的现有技术。衬底处理系统包括具有衬底支撑件的处理室。在处理过程中衬底如半导体晶片被布置在衬底支撑件上。在一些系统中，衬底支撑件包括静电卡盘(ESC)。在诸如蚀刻、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或原子层蚀刻(ALE)之类的衬底处理过程中，气体混合物可被引入到处理室中。射频(RF)等离子体可在处理过程中用于激活化学反应。位于所述衬底处理系统内的部件需要能够耐受在处理过程中使用的等离子体和/或气体化学物质。ESC可包括保护被用于将加热器板粘接到ESC的陶瓷顶板的粘接层的边缘密封件。当不加以保护时，所述粘接层被损坏且发生颗粒污染。如果粘接层被严重侵蚀的话，ESC可能会永久损坏。
技术实现思路
一种用于衬底处理系统的静电卡盘的边缘密封件包括环形主体、径向内表面、径向外表面、顶表面和底表面。所述径向内表面是凸状的。在其它特征中，在所述径向内表面、所述径向外表面、所述顶表面和所述底表面之间的角部是成圆角的。在所述顶表面和所述径向外表面之间的第一角部与所述底表面和所述径向外表面之间的第二角部之间，所述主体的径向外表面是大致平坦的。在其它特征中，在所述顶表面和所述径向内表面之间的第三角部与所述顶表面和所述径向外表面之间的第一角部之间，所述主体的顶表面是大致平坦的。在所述底表面和所述径向内表面之间的所述第四角部与所述底表面和所述径向外表面之间的第二角部之间，所述主体的底表面是大致平坦的。在所述顶表面和所述径向内表面之间的所述第三角部与所述底表面和所述径向内表面之间的所述第四角部之间，所述主体的径向内表面是凸状的。在其它特征中，在所述主体的中心处的所述主体的径向厚度比邻近于所述顶表面和所述底表面的所述主体的径向厚度大10％至30％。在所述主体的中心处的所述主体的径向厚度比邻近于所述顶表面和所述底表面的所述主体的径向厚度大15％至25％。在所述主体的中心处的所述主体的径向厚度比邻近于所述顶表面和所述底表面的所述主体的径向厚度大20％至24％。一种静电卡盘包括上层、中间层、下层、配置在所述上层和所述中间层之间的第一粘接层和配置在所述中间层和所述下层之间的第二粘接层。所述中间层和所述第一粘接层和所述第二粘接层的径向外边缘相对于所述上层和所述下层形成环形槽。边缘密封件配置在所述环形槽中。在其它特征中，所述上层包括陶瓷层，所述中间层包括加热器板，所述下层包括下部电极。所述第一粘接层和所述第二粘接层包括有机硅弹性体。所述第一粘接层和所述第二粘接层包括硅橡胶。一种衬底处理系统包括处理室、输送处理气体到所述处理室的气体输送系统、在所述处理室中生成等离子体的等离子体发生器、和所述静电卡盘。本公开的应用的其它方面将根据详细描述、权利要求和附图变得更加明显。详细描述和具体实施例旨在仅用于说明的目的，并不旨在限制本公开的范围。具体而言，本专利技术的一些方面可以描述如下:1.一种静电卡盘，其包括：上层；中间层；下层；第一粘接层，其配置在所述上层和所述中间层之间；第二粘接层，其配置在所述中间层和所述下层之间，其中所述中间层和所述第一粘接层和所述第二粘接层的径向外边缘相对于所述上层和所述下层形成环形槽；以及配置在所述环形槽内的边缘密封件，其中所述边缘密封件包括包含径向内表面、径向外表面、顶表面和底表面的环形主体，并且其中所述径向内表面为凸状。2.根据条款1所述的边缘密封件，其中在所述径向内表面、所述径向外表面、所述顶表面和所述底表面之间的角部是成圆角的。3.根据条款1所述的边缘密封件，其中：在所述顶表面和所述径向外表面之间的第一角部与所述底表面和所述径向外表面之间的第二角部之间，所述主体的径向外表面是大致平坦的；在所述顶表面和所述径向内表面之间的第三角部与所述顶表面和所述径向外表面之间的第四角部之间，所述主体的顶表面是大致平坦的；在所述底表面和所述径向内表面之间的第四角部与所述底表面和所述径向外表面之间的第二角部之间，所述主体的底表面是大致平坦的；并且在所述顶表面和所述径向内表面之间的所述第三角部与所述底表面和所述径向内表面之间的所述第一角部之间，所述主体的径向内表面是凸状的。4.根据条款1所述的边缘密封件，其中所述主体的在所述主体的中心处的径向厚度比所述主体的邻近于所述顶表面和所述底表面的径向厚度大10％至30％。5.根据条款1所述的边缘密封件，其中所述主体的在所述主体的中心处的径向厚度比所述主体的邻近于所述顶表面和所述底表面的径向厚度大15％至25％。6.根据条款1所述的边缘密封件，其中所述主体的在所述主体的中心处的径向厚度比所述主体的邻近于所述顶表面和所述底表面的径向厚度大20％至24％。7.根据条款1所述的静电卡盘，其中所述上层包括陶瓷层，所述中间层包括加热器板，并且所述下层包括下部电极。8.根据条款7所述的静电卡盘，其中所述第一粘接层和所述第二粘接层包括有机硅弹性体。9.根据条款7所述的静电卡盘，其中所述第一粘接层和所述第二粘接层包括硅橡胶。10.一种衬底处理系统，其包括：处理室；输送处理气体到所述处理室的气体输送系统；在所述处理室中生成等离子体的等离子体发生器；以及根据条款1所述的静电卡盘。11.一种用于衬底处理系统的静电卡盘的边缘密封件，所述边缘密封件包括：环形主体；所述主体的径向内表面，其中所述径向内表面是凸状的；所述主体的径向外表面，其中，在所述顶表面和所述径向外表面之间的第一角部与所述底表面和所述径向外表面之间的第二角部之间，所述主体的所述径向外表面是大致平坦的；所述主体的顶表面；以及所述主体的底表面。12.根据条款11所述的边缘密封件，其中在所述径向内表面、所述径向外表面、所述顶表面和所述底表面之间的角部是成圆角的。13.根据条款11所述的边缘密封件，其中：在所述顶表面和所述径向内表面之间的第三角部与所述顶表面和所述径向外表面之间的第四角部之间，所述主体的顶表面是大致平坦的；在所述底表面和所述径向内表面之间的第四角部与所述底表面和所述径向外表面之间的第二角部之间，所述主体的底表面是大致平坦的；并且在所述顶表面和所述径向内表面之间的所述第三角部与所述底表面和所述径向内表面之间的所述第四角部之间，所述主体的径向内表面是凸状的。14.根据条款11所述的边缘密封件，其中所述主体的在所述主体的中心处的径向厚度比所述主体的邻近于所述顶表面和所述底表面的径向厚度大10％至30％。15.根据条款11所述的边缘密封件，其中所述主体的在所述主体的中心处的径向厚度比所述主体的邻近于所述顶表面和所述底表面的径向厚度大15％至25％。16.根据条款11所述的边缘密封件，其中所述主体的在所述主体的中心处的径向厚度比所述主体的邻近于所述顶表面和所述底表面的径向厚度大20％至24％。17.一种静电卡盘，其包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电卡盘，其包括：上层；中间层；下层；第一粘接层，其配置在所述上层和所述中间层之间；第二粘接层，其配置在所述中间层和所述下层之间，其中所述中间层和所述第一粘接层和所述第二粘接层的径向外边缘相对于所述上层和所述下层形成环形槽；以及配置在所述环形槽内的边缘密封件，其中所述边缘密封件包括包含径向内表面、径向外表面、顶表面和底表面的环形主体，并且其中所述径向内表面为凸状。

【技术特征摘要】
2015.08.10 US 62/203,118;2015.08.26 US 14/836,2021.一种静电卡盘，其包括：上层；中间层；下层；第一粘接层，其配置在所述上层和所述中间层之间；第二粘接层，其配置在所述中间层和所述下层之间，其中所述中间层和所述第一粘接层和所述第二粘接层的径向外边缘相对于所述上层和所述下层形成环形槽；以及配置在所述环形槽内的边缘密封件，其中所述边缘密封件包括包含径向内表面、径向外表面、顶表面和底表面的环形主体，并且其中所述径向内表面为凸状。2.根据权利要求1所述的边缘密封件，其中在所述径向内表面、所述径向外表面、所述顶表面和所述底表面之间的角部是成圆角的。3.根据权利要求1所述的边缘密封件，其中：在所述顶表面和所述径向外表面之间的第一角部与所述底表面和所述径向外表面之间的第二角部之间，所述主体的径向外表面是大致平坦的；在所述顶表面和所述径向内表面之间的第三角部与所述顶表面和所述径向外表面之间的第四角部之间，所述主体的顶表面是大致平坦的；在所述底表面和所述径向内表面之间的第四角部与所述底表面和所述径向外表面之间的第二角部之间，所述主体的底表面是大致平坦的；并且在所述顶表面和所述径向内表面之间的所述第三角部与所述底表面和所述径向内表面之间的所述第一角部之间，所述主体的径向内表面是凸状的。4.一种衬底处理系统，其包括：处理室；输送处理气体到所述处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：马修·迈克尔·李，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US