发光装置、电子设备及检查方法制造方法及图纸

提供在近红外区域发光的高效率且长寿命的发光元件、具备该发光元件的发光装置、认证装置以及电子设备。本发明专利技术的发光装置(100)具备发光元件(1A)，其具有：阳极(3)、阴极(8)以及发光层(5)，发光层设于阳极(3)与阴极(8)之间，通过在阳极(3)与阴极(8)之间通电而发出近红外区域的光，当在阳极(3)与阴极(8)之间以300A/cm2以下的电流密度进行了通电时，发光装置发出5cd/cm2以上的可见光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光装置、电子设备及检查方法。
技术介绍
有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)是具有在阳极与阴极之间插入有至少一层发光性有机层的结构的发光元件。在这样的发光元件中，通过在阴极与阳极之间施加电场，从而从阴极侧向发光层注入电子并从阳极侧向发光层注入空穴，通过在发光层中电子与空穴的复合而生成激子，当该激子回到基态时，其相应的能量以光的形式释放。作为这样的发光元件，已知有在超过700nm的近红外区域发光的元件(例如参照专利文献1、2)，近年来，将这样的在近红外区域进行面发光的发光元件例如作为使用静脉、指纹等生物体信息来认证个人的生物体认证用的光源、军事用途等的近红外线显示器这样的发光装置，不断在研究其实现。可是，在制造该发光装置后的出厂前检查中，必须将发生了起因于异物及气泡等的黑斑、不发光以及像素缺陷等不良情况的发光装置作为缺陷品而拣出。如果是发出可见光的发光装置，则在出厂前检查中，通过点亮该发光装置并用肉眼观察上述不良情况，从而无需使用规定的检查设备即可拣出缺陷品。这意味着能够用肉眼来确认由该规定的检查设备得到的检查结果的正确性并能由人来确认该规定的检查设备的工作。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2000-091073号公报专利文献2：特开2001-110570号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题然而，在发出近红外区域的光的发光装置中，由于无法通过肉眼来识别近红外区域的光，因此不能够应用上述这样的方法。本专利技术的目的之一在于，提供可在出厂前检查中简单地知道是否为缺陷品的发光装置、具备这样的发光装置的电子设备以及检查这样的发光装置是否为缺陷品的检查方法。用于解决技术问题的方案为了解决上述技术问题中的至少之一，本专利技术申请可采用以下的构成。本专利技术的发光装置的特征在于，具备发光元件，所述发光元件具有阳极、阴极以及发光层，所述发光层设于所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极与所述阴极之间通电，所述发光层发出近红外区域的光，当在所述阳极与所述阴极之间以300mA/cm2以下的电流密度进行了通电时，所述发光装置发出5cd/m2以上的可见光。这样，由于发光装置发出5cd/m2以上的可见光，因此，在出厂前检查中，通过观察该可见光而能简单地知道发光装置是否为缺陷品。在本专利技术的发光装置中，优选地，所述发光层构成为包括发光材料和保持所述发光材料的主体材料。由此，通过适当地组合发光材料与主体材料而能使发光层在近红外区域和可见光区域双方都发光。在本专利技术的发光装置中，优选地，所述发光材料包括由以下通式(IRD-1)表示的化合物、由以下通式(IRD-2)表示的化合物、由以下通式(IRD-3)表示的化合物、以及由以下通式(IRD-4)表示的化合物中的至少一种。[化学式1][所述通式(IRD-1)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基(arylaminogroup)、三芳胺基(triarylamine)、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。][化学式2][所述通式(IRD-2)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基、三芳胺基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。][化学式3][所述通式(IRD-3)中，X表示结合有氢的碳原子、或氮原子，R表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、烯丙基、烷氧基或者杂环基。][化学式4][所述通式(IRD-4)中，各R分别独立地表示苯基、苯硫基、呋喃基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。]由此，可使发光层在近红外区域发光。在本专利技术的发光装置中，优选地，所述主体材料包括由下述式IRH-1表示的化合物。[化学式5][所述式IRH-1中，n表示1～12的自然数，R分别独立地表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳胺基。]由此，能够使发光层成为发出可见光的层，具体而言，能够使发光层发出绿色光。在本专利技术的发光装置中，优选地，所述发光层中的所述发光材料的含量为4.0wt％以下。由此，在发光层中，不仅能够将注入发光层的载体用于发光材料中的复合，而且还能用于主体材料中的复合，因此，能够使发光元件可靠地发出5cd/m2以上的可见光。并且，能够使发光元件的发光效率与寿命的平衡变得优异。在本专利技术的发光装置中，优选地，所述发光元件具备设于所述发光层与所述阴极之间的电子传输层。由此，能够将电子传输层应用作为发出可见光的层。在本专利技术的发光装置中，优选地，所述电子传输层构成为包括具有蒽骨架的化合物。由此，能够使电子传输层成为发出可见光的层，具体而言，能够使电子传输层发出蓝色光。在本专利技术的发光装置中，优选地，所述电子传输层的厚度为20nm以上200nm以下。由此，发光元件可靠地发出5cd/m2以上的可见光。在本专利技术的发光装置中，优选地，所述发光层的厚度为5nm以上100nm以下。由此，发光元件可靠地发出5cd/m2以上的可见光。本专利技术的电子设备的特征在于，具备本专利技术的发光装置。这样的电子设备由于具备被视为不是缺陷品的发光装置，因而可靠性优异。本专利技术的检查方法的特征在于，在本专利技术的发光装置中，通过在所述阳极与所述阴极之间以300mA/cm2以下的电流密度通电并观察所发出的5cd/m2以上的可见光来进行检查。通过这样的检查方法，能够简单地知道发光装置是否为缺陷品。附图说明图1是示出发光装置的实施方式的纵截面图。图2是将图1所示的发光装置具备的发光元件示意性放大后的局部放大截面图。图3是示出应用了发光装置的认证装置的实施方式的图。图4是示出应用了电子设备的移动型(或笔记本型)个人计算机的构成的立体图。图5是示出实施例1、2所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图6是示出实施例3、4所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图7是示出实施例5、6所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图8是示出实施例7、8所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图9是示出实施例9、10所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图10是示出实施例11、12所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图11是示出实施例13、14所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图12是示出实施例15、16所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图13是示出实施例17、18所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图14是示出实施例19、20所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图15是示出实施例21、22所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图16是示出实施例23、24所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。图17是示出实施例25、26所涉及的发光元件的发光光谱的曲线图。具体实施方式下面，针对附图所示的优选实施方式，说明本专利技术的发光装置、电子设备以及检查方法。首先，对本专利技术的发光装置进行说明。图1为示出本专利技术的发光装置的实施方式的纵截面图，图2为将图1所示的发光装置具备的发光元件示意性放大后的局部放大截面图。需要注意的是，以下为了便于说明，将图1、2中的上侧作为“上”、将下侧作为“下”来进行说明。图1所示的发光装置100具有：基板21、多个发光元件1A、以及用于分别驱动各发光元件1A的多个驱动用晶体管24。在此，发光装置100具有从基板21的相反侧(后述的密封基板20侧)取出所发的光的顶部发光结构。在基板21上设有多个驱动用晶体管24，以覆盖这些驱动用晶体管24的方式形成有由绝缘材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具备发光元件，所述发光元件具有阳极、阴极以及发光层，所述发光层设于所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极与所述阴极之间通电，所述发光层发出近红外区域的光，当在所述阳极与所述阴极之间以300mA/cm2以下的电流密度进行了通电时，所述发光装置发出5cd/m2以上的可见光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.02 JP 2014-1143391.一种发光装置，其特征在于，具备发光元件，所述发光元件具有阳极、阴极以及发光层，所述发光层设于所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极与所述阴极之间通电，所述发光层发出近红外区域的光，当在所述阳极与所述阴极之间以300mA/cm2以下的电流密度进行了通电时，所述发光装置发出5cd/m2以上的可见光。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光层构成为包括发光材料和保持所述发光材料的主体材料。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述发光材料包括由以下通式(IRD-1)表示的化合物、由以下通式(IRD-2)表示的化合物、由以下通式(IRD-3)表示的化合物、以及由以下通式(IRD-4)表示的化合物中的至少一种。[化学式1][所述通式(IRD-1)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基、三芳胺基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。][化学式2][所述通式(IRD-2)中，各R分别独立地表示芳基、芳胺基、三芳胺基、或者包括它们的衍生物中的至少一种的基团。][化学式3][所述通式(IRD-3)中，X表示结合有氢的碳原子、或氮原子，R表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、烯丙基、烷氧基...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田彻司，滨出唯芽，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP