用于沉积纳米管的设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于在基板(6)上沉积尤其含碳的结构、例如纳米管或石墨形式的层的设备，所述基板由被安置在处理室壳体(19)内的基板支架(1)支承，其中，通过安置在处理室壳体(19)内的进气机构(24、25)的排气口(39)能够朝着至少一个基板(6)的方向供给处理气体。为了有利应用的改进而建议，所述处理室壳体(19)具有两个相对置的具备固持槽(34、35、36、37、38)的壁件(48、48’)，并且至少一个板状构件(24、25、26、30、31)布置在处理室壳体(19)内，所述板状构件的两个相互背离指向的边缘段分别插在两个壁件(48、48’)之一的固持槽(34至38)内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种用于在基板上沉积尤其含碳的结构、例如纳米管或石墨形式的层的设备，所述基板由被安置在处理室壳体内的基板支架支承，其中，通过安置在处理室壳体内的进气机构的排气口能够朝着至少一个基板的方向供给处理气体。DE19522574A1、US2010/0319766A1和US2013/0084235A1描述了一种用于涂覆基板的装置。基板部分地安置在基板支架上；但是基板也部分地在两个对置的进气机构之间悬空。US2013/0089666A1描述了两个具有宽侧面的铜基板。本专利技术涉及一种用于沉积碳纳米管的装置。为此，气态的初始物质被引入到处理室内。这借助进气机构实现。在处理室内部有安置在基板支架上的基板。含碳的处理气体、例如CH4、C2H4、C2H2或C6H6被引入到处理室内。此外GB2458776A或JP2005-133165A描述了用于涂覆柔性基板的装置。US2012/0000425A1描述了一种用于对基板热处理的设备，其中，多个基板支架在处理室内水平地上下相叠地布置。US2008/0152803A1描述了一种用于对基板热处理的设备，其中，基板放射形式地布置在处理室内。本专利技术所要解决的技术问题是，有利应用地改进所述设备。所述技术问题按照权利要求提供的专利技术解决。首先和基本建议，处理室壳体具有具备空腔的壁件，穿过该壁件向进气机构的气体体积空间供给处理气体。处理室壳体的壁件由此被充气，处理气体可以从外部充入壁件内，使得处理气体通过供气口尤其从边缘可以充入进气机构的气体体积空间内。在处理室壳体的内部优选布置有多个板状部件。这些板状部件在其相互远离指向的边缘上具有边缘段，该边缘段被插入由处理室壳体的两个相互平行延伸的壁件构成的固持槽中。固持槽优选由沟槽构成，该沟槽具有相互平行延伸的沟槽壁。两个壁件的沟槽的开口相互指向。矩形的板件可以插入相应的沟槽对中。处理室壳体优选具有翻转对称的结构。对称平面是中央平面，在该中央平面内可以存在基板支架。基板支架可以在其相互背离指向的宽侧面上分别支承着基板，所述基板可以被同时覆层。为此，处理室壳体在沿竖向延伸的基板支架的两侧上具有排气机构。各个排气机构由具有多个排气口的板状部件构成。在此涉及进气板，处理气体可以穿过进气板流入处理室内，基板支架处在处理室的中央。在进气板的背后具有后壁，进气机构的气体体积空间通过后壁在背离处理室的方向上被封闭。进气板和后壁分别形成被插入固持槽内的边缘段。处理气体的供气按照本专利技术通过处理室壳体壁件实现。进气机构的气体体积空间优选处在进气板和后壁之间的空隙内。处理室壳体壁件具有多个通入到在进气板和后壁之间的空隙内的供气口。处理室壳体壁件具有空腔，处理气体可以从外部供给到空腔内。空腔将处理气体分配在各个供气口上，所述供气口通入到进气机构的气体体积空间内。石英板处在后壁的后面。产生红外射线的电阻加热装置处在石英板的后面。石英板和两个构成进气机构的板件是红外射线可穿透的并且由石英构成。此外可以规定，后壁和反射器同样具有被插入到固持槽内的边缘段。能够以简单的方式更换被插入到固持槽内的板状部件，也就是进气板、后壁、石英板、反射器或后壁。仅仅需要移除处理室壳体的盖板。随后可将所述板状部件通过沿竖向延伸的固持槽从处理室壳体拉出。以相反的方式实现板状部件对处理室壳体的配属。处理室壳体优选布置在反应器壳体内。反应器壳体可以具有盖子，从而可以到达或接近处理室壳体的盖板。在关闭盖子时反应器壳体是气密的，从而可以对其抽真空。此外，本专利技术涉及一种用于在基板上沉积尤其含碳的结构、例如纳米管层或石墨层的设备，其中，所述处理室壳体具有两个相对置的且垂直于基板支架的、具备固持槽的壁件，板状构件的两个相互背离指向的边缘段插在所述固持槽内。板状构件可以是进气板、进气机构的后壁、屏蔽板、反射器或处理室壳体的后壁。按照本专利技术，至少一个所述板状构件能够通过所述构件在其延伸平面内的移位而从处理室壳体中移除。以下结合附图阐述本专利技术的实施例。在附图中：图1示出基板支架的分解视图，图2示出基板支架的宽侧视图，图3示出基板支架的窄侧视图，图4示出根据图2的剖切线IV-IV所得的剖视图，其中，在基板支架的两个宽侧面中的每一个上分别安置有基板6，图5示出根据图4的视图，其中，基板支架1支承着柔性的基板6，该基板延伸越过边棱11，图6示出反应器壳体20的侧视图，具有打开的盖板46和示出的安置在内部的处理室壳体19，图7示出反应器壳体20的正视图，具有关闭的盖板和示出的安置在内部的处理室壳体19，图8示出根据图7的剖切线VIII-VIII所得的剖视图，图9示出根据图8的剖切线IX-IX所得的剖视图，示出安置在处理室壳体19内的基板支架10，图10示出根据图8的剖切线X-X所得的剖视图，示出排气板24，图11示出根据图8的剖切线XI-XI所得的剖视图，示出处理室壳体19的壁件48的位于处理室壳体内侧的侧面，图12示出根据图8的放大的截图XII。附图中所示的反应器壳体20具有具备四个侧壁44、44’、45、45’的矩形形状。上壳体壁件形成可翻转的盖子46。在感应器运行时，盖子46关闭。但是，为了进行维护也可以打开盖子。侧壁44、44’、45、45’具有通道47，冷却液可以流动穿过通道47，以便冲刷壁件44、44’、45、45’。侧壁之一44具有沿竖向延伸的开口43。所述开口43可以通过未示出的滑块被气密地封闭。这是装载口和卸载口。处理室壳体19处于反应器壳体20的内部，处理室壳体同样具有沿竖向延伸的装载口和卸载口23。处理室壳体19在其内部具有下部的导引件21和上部的导引件22。两个导引件21、22具有条形形状并且具有相互指向的凹槽21’、22’。两个进气机构24、25限定了处理室的竖直侧的边界。基板支架1可以通过竖向的装载口23、43移入处理室内。在此，基板支架1的导引段12啮合导引件21、22的凹槽21’、22’。在装入状态下，基板支架1处于两个进气机构24之间的中央。矩形反应器壳体20的所有六个壁件均可以具有调温通道47，调温液可以流动穿过调温通道47，用于或者冷却或者加热反应器壁。基板支架1是扁平体并且具有基本矩形的轮廓外形。它具有两个相互背离指向的宽侧面2、3，该宽侧面分别构成基板容纳区域4、5。相互背离指向的基本容纳区域4、5具有基本上矩形的横截面。图2示出具有基板容纳区域4的宽侧面2。相对置的宽侧面3同样构造有其基板容纳区域5。构成基板支架1的扁平体具有小于10mm的材料增强体。基板支架1的边棱长度至少等于100mm。与基板容纳区域5相同设计的基板容纳区域4具有两个第一边缘4’。第一边缘4’涉及假想的线。基板容纳区域4还具有第二边缘，其由基板支架1的边棱11形成。边棱11被倒圆。在基板容纳区域4、5的角部范围内具有固定件14。固定件14在本实施例中设计为螺栓14与螺母14’。但是，固定件14、14’也可以是夹紧件。通过该固定件14、14’，基本上矩形的基板6被固定在两个基板容纳区域4、5之一上。每个基板6分别处于两个宽侧面2、3之一上，使得两个相互背离的基板容纳区域4、5分别支承一个基本上矩形的基板6，其中，基板6通过固定件14、14’固定在基板支架1上。基板可以是铜制、铝制或镍制基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在基板(6)上沉积尤其含碳的结构、例如纳米管或石墨形式的层的设备，所述基板(6)由被安置在处理室壳体(19)内的基板支架(1)支承，其中，通过安置在处理室壳体(19)内的进气机构(24、25)的排气口(39)能够朝着至少一个基板(6)的方向供给处理气体，其特征在于，所述处理室壳体(19)具有至少一个具备空腔(28)的壁件(48、48’)，其中，所述空腔(28)借助供气口(40)与进气机构(24、25)的气体体积空间相连。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.24 DE 102014104011.21.一种用于在基板(6)上沉积尤其含碳的结构、例如纳米管或石墨形式的层的设备，所述基板(6)由被安置在处理室壳体(19)内的基板支架(1)支承，其中，通过安置在处理室壳体(19)内的进气机构(24、25)的排气口(39)能够朝着至少一个基板(6)的方向供给处理气体，其特征在于，所述处理室壳体(19)具有至少一个具备空腔(28)的壁件(48、48’)，其中，所述空腔(28)借助供气口(40)与进气机构(24、25)的气体体积空间相连。2.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述供气口(40)尤其通入到进气机构的后壁(25)和进气板(24)之间。3.按照前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，所述处理室壳体(19)具有相互对置的具备空腔(28)的壁件(48、48’)，其中，每个空腔(28)均通过供气口(40)与进气机构(24、25)的气体体积空间相连。4.按照前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，所述处理室壳体(19)具有参照基板支架(1)所处的平面呈翻转对称的结构，其中，所述基板支架(1)是在对称平面中延伸的面状体，所述面状体的两个宽侧分别能够支承基板(6)，并且所述基板支架(1)的两个宽侧面(2)中的每一个均与具有排气口(39)的排气板(24)相对置，其中，分别布置在排气板(24)后侧的气体体积空间经由通向处理室壳体壁件(48、48’)的至少一个的供气口(40)被供气。5.按照前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，至少一个空腔(28)通过输入管路与提供处理气体的气体混合系统相连，其中，所述输入管路尤其配属于所述壁件(48、48’)的窄侧。6.一种用于在基板(6)上沉积尤其含碳的结构、例如纳米管层或石墨层的设备，所述基板(6)由被安置在处理室壳体(19)内的基板支架(1)支承，其中，通过安置在处理室壳体(19)内的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A朱弗雷，DE里平顿，KBK特奥，NL鲁普辛赫，
申请(专利权)人：艾克斯特朗欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE