基于纳米银导电膜的蚀刻膏及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于纳米银导电膜的蚀刻膏，所述蚀刻膏具有以下组分：SiO2基质，蚀刻剂，聚乙烯吡咯烷酮，吸水剂的水性分散体，多元醇溶剂。本发明专利技术的基于纳米银导电膜的蚀刻膏主要通过加入吸水剂的水性分散体，以吸水剂作为水的载体，使得蚀刻膏和纳米银在常温条件下不反应，高温迅速反应的特点，且在不同高温条件下，可实现蚀刻速度可控；实现了蚀刻条件可控。另外，蚀刻反应后残留的膏体能够通过水洗快速除去，而且蚀刻反应的痕迹浅，蚀刻后的纳米银导电膜材光学均匀性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蚀刻膏，尤其涉及一种蚀刻条件可控的基于纳米银导电膜的蚀刻膏及其制备方法。
技术介绍
在触摸屏、光电显示等领域目前使用的主要导电材料是氧化铟锡，但是随着市场对产品轻薄化、可弯折、低方块电阻的要求越来越强烈，纳米银线、纳米银粉等制备的纳米银导电膜逐渐发展成为替代氧化铟锡的一种重要材料。将纳米银线涂布在各种基材如聚酯薄膜等表面可以得到各种导电材料。实际应用中会在导电膜表面制备各种电路图案以实现不同的电学功能。制备导电图案的一种重要方法是采用蚀刻膏通过丝网印刷的方式在导电基材上蚀刻出各种电路。目前市场上的蚀刻膏采用耐酸油墨印刷、晾干；再用强酸的酸液浸泡蚀刻未被耐酸油墨覆盖的导电区域；过清洗线采用过清水和碱水清洗；除去耐酸油墨，过清洗线再次清洗。生产过程中使用的强酸强碱，腐蚀性强、有刺激性气味，污染环境、有害操作人员健康和设备寿命；且工艺复杂，制作周期长，工艺管控严苛，工序繁琐，且一般只能用于氧化铟锡导电膜体系，对纳米银导电膜体系难以适用。目前市场上少有的基于纳米银导电膜的蚀刻膏，使用双氧水、铜盐或铁盐体系，以粘土或微纳米结构二氧化硅等作为基体，以乙二醇等多元醇作为溶剂和保湿剂，制备出的膏体直接丝印于纳米银导电膜表面，使形成线路；常温放置5~10min，高温烘烤10min即可实现时刻效果；过清洗线冲洗去残余蚀刻膏即可。然而，该蚀刻膏难以在实际生产中确切控制，即无法实现蚀刻条件可控，对生产具有很大的制约因素。有鉴于此，有必要提供一种基于纳米银导电膜的蚀刻膏及其制备方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种蚀刻条件可控的基于纳米银导电膜的蚀刻膏及其制备方法。为实现上述专利技术目的，本专利技术提供了一种基于纳米银导电膜的蚀刻膏，所述蚀刻膏具有以下组分：SiO2基质，蚀刻剂，聚乙烯吡咯烷酮，吸水剂的水性分散体，多元醇溶剂。作为本专利技术的进一步改进，所述蚀刻膏具有以下重量份的组分：3~30份SiO2基质，0.1~10份蚀刻剂，2~20份聚乙烯吡咯烷酮，1~20份吸水剂的水性分散体，10~80份多元醇溶剂。作为本专利技术的进一步改进，所述吸水剂为活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、SAPs、硅胶中的一种或多种的组合。作为本专利技术的进一步改进，所述蚀刻剂为铜盐、铁盐、过硫酸盐、有机胺盐、硫醇类、酸类或双氧水中的一种或多种的组合。作为本专利技术的进一步改进，多元醇溶剂为乙二醇和/或聚乙二醇，乙二醇与聚乙二醇的体积比范围为10:0~0:10，且乙二醇与聚乙二醇中的至少一个的量大于0。为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供了一种基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法，包括如下步骤：制备膏体一：将SiO2基质和蚀刻剂溶于多元醇溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将聚乙烯吡咯烷酮溶于多元醇溶剂中，得到膏体二；将膏体一、膏体二混合并搅拌均匀得到混合液；制备溶液三：将吸水剂加入去离子水中，搅拌均匀得到吸水剂的水性分散体；将溶液三加入到上述膏体一、膏体二的混合液中并搅拌均匀；得到基于纳米银导电膜的蚀刻膏。作为本专利技术的进一步改进，基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法包括如下步骤：制备膏体一：将10份~30份SiO2基质和0.1份~10份蚀刻剂溶于60份~89.9份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将10份~30份PVP溶于70份~90份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，得到膏体二；将上述膏体一、膏体二按照质量比介于1:2~3:1之间进行混合并搅拌均匀得到混合液；制备溶液三：将40份~70份活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、SAPs、或硅胶中的一种或多种溶解于30份~60份去离子水中，得到溶液三；将2份~20份溶液三加入到80份~98份上述膏体一、膏体二的混合液中并搅拌均匀；得到基于纳米银导电膜的蚀刻膏。作为本专利技术的进一步改进，基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法包括如下步骤：制备膏体一：将20份气相SiO2和1.6份CuCl2溶于78.4份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将20份PVP溶于80份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，得到膏体二；将上述膏体一、膏体二按照质量比介于1:2~3:1之间进行混合并搅拌均匀得到混合液；制备溶液三：将55份活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、SAPs、或硅胶中的一种或多种溶解于45份去离子水中，得到溶液三；将6份溶液三加入到94份上述膏体一、膏体二的混合液中并搅拌均匀；得到基于纳米银导电膜的蚀刻膏。为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供了一种基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法，包括如下步骤：制备膏体一：将亲水SiO2基质和蚀刻剂溶于多元醇溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将疏水SiO2基质和蚀刻剂溶于多元醇溶剂中，搅拌均匀得到膏体二；制备膏体三：将聚乙烯吡咯烷酮溶于多元醇溶剂中，得到膏体三；将膏体一、膏体二、膏体三混合并搅拌均匀形成混合液；制备溶液四：将吸水剂溶解于去离子水中，得到溶液四；将溶液四加入到上述膏体一、膏体二、膏体三的混合液中并搅拌均匀；得到最终的基于纳米银导电膜的蚀刻膏。作为本专利技术的进一步改进，基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法包括如下步骤：制备膏体一：将10份~30份亲水SiO2和0.1份~10份CuCl2溶于60份~89.9份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将10份~30份疏水SiO2和0.1份~10份CuCl2溶于60份~89.9份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，搅拌均匀得到膏体二；制备膏体三：将10份~30份PVP溶于70份~90份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，得到膏体三；将上述膏体一、膏体二以1：4~5:0的比例混合，再和膏体三以1:2~3:1的比例混合，并搅拌均匀形成混合物；制备溶液四：将40份~70份分子筛、氧化钙、铁粉、SAPs、或硅胶中的一种或多种加入到30份~60份去离子水中并搅拌均匀，得到溶液四；将2份~20份溶液四加入到80份~98份上述膏体一、膏体二、膏体三的混合液中并搅拌均匀；得到最终的基于纳米银导电膜的蚀刻膏。作为本专利技术的进一步改进，基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法包括如下步骤：制备膏体一：将20份亲水SiO2和1.6份CuCl2溶于78.4份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将20份疏水SiO2和1.6份CuCl2溶于78.4份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，搅拌均匀得到膏体二；制备膏体三：将20份PVP溶于80份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，得到膏体三；将上述膏体一、膏体二、膏体三以20份：30份：44份的比例混合并搅拌均匀形成混合物；制备溶液四：将55份活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、SAPs、或硅胶中的一种或多种加入到45份去离子水中并搅拌均匀，得到溶液四；将6份溶液四加入到94份上述膏体一、膏体二、膏体三的混合液中并搅拌均匀；得到最终的基于纳米银导电膜的蚀刻膏。本专利技术的有益效果是：本专利技术的基于纳米银导电膜的蚀刻膏主要通过加入吸水剂的水性分散体，以吸水剂作为水的载体，使得蚀刻膏和纳米银在常温条件下不反应，高温迅速反应的特点，且在不同高温条件下，可实现蚀刻速度可控；实现了蚀刻条件可控。另外，蚀刻反应后残留的膏体能够通过水洗快速除去，而且蚀刻反应的痕迹浅，蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于纳米银导电膜的蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏具有以下组分： SiO2基质，蚀刻剂，聚乙烯吡咯烷酮，吸水剂的水性分散体，多元醇溶剂。

【技术特征摘要】
1.一种基于纳米银导电膜的蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏具有以下组分：SiO2基质，蚀刻剂，聚乙烯吡咯烷酮，吸水剂的水性分散体，多元醇溶剂。2.根据权利要求1所述的基于纳米银导电膜的蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏具有以下重量份的组分：SiO2基质3~30份蚀刻剂0.1~10份聚乙烯吡咯烷酮2~20份吸水剂的水性分散体1~20份多元醇溶剂10~80份。3.根据权利要求1或2所述的基于纳米银导电膜的蚀刻膏，其特征在于：所述吸水剂为活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、SAPs、硅胶中的一种或多种的组合。4.根据权利要求1或2所述的基于纳米银导电膜的蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻剂为铜盐、铁盐、过硫酸盐、有机胺盐、硫醇类、酸类或双氧水中的一种或多种的组合。5.根据权利要求1或2所述的基于纳米银导电膜的蚀刻膏，其特征在于：多元醇溶剂为乙二醇和/或聚乙二醇，乙二醇与聚乙二醇的体积比范围为10:0~0:10，且乙二醇与聚乙二醇中的至少一个的量大于0。6.一种用于制备如权利要求1~5中任意一项所述的基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：制备膏体一：将SiO2基质和蚀刻剂溶于多元醇溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将聚乙烯吡咯烷酮溶于多元醇溶剂中，得到膏体二；将膏体一、膏体二混合并搅拌均匀得到混合液；制备溶液三：将吸水剂加入去离子水中，搅拌均匀得到吸水剂的水性分散体；将溶液三加入到上述膏体一、膏体二的混合液中并搅拌均匀；得到基于纳米银导电膜的蚀刻膏。7.根据权利要求6所述的基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：制备膏体一：将10份~30份SiO2基质和0.1份~10份蚀刻剂溶于60份~89.9份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将10份~30份PVP溶于70份~90份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，得到膏体二；将上述膏体一、膏体二按照质量比介于1:2~3:1之间进行混合并搅拌均匀得到混合液；制备溶液三：将40份~70份活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、SAPs、或硅胶中的一种或多种溶解于30份~60份去离子水中，得到溶液三；将2份~20份溶液三加入到80份~98份上述膏体一、膏体二的混合液中并搅拌均匀；得到基于纳米银导电膜的蚀刻膏。8.根据权利要求6所述的基于纳米银导电膜的蚀刻膏的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：制备膏体一：将20份气相SiO2和1.6份CuCl2溶于78.4份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，搅拌均匀得到膏体一；制备膏体二：将20份PVP溶于80份乙二醇和聚乙二醇的混合溶剂中，得到膏体二；将上述膏体一、膏体二按照质量比介于1:2~3:1之间进行混合并搅拌均匀得到混...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥浩，刘洋，潘克菲，
申请(专利权)人：苏州诺菲纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32