关于改进的射频模块的系统、设备和方法技术方案

关于改进的射频(RF)模块的系统、设备和方法。在一些实施例中，RF模块可以包括封装基板、在安装在所述封装基板上的第一裸芯上实现的功率放大器(PA)组件、以及在安装在所述第一裸芯上的第二裸芯上实现的控制器电路。所述控制器电路可以配置为提供所述PA组件的至少一些控制。所述RF模块还可以包括一个或多个输出匹配网络(OMN)器件，其安装在所述封装基板上并且配置为提供所述PA组件的输出匹配功能。所述RF模块还可以包括安装在每个OMN器件上的带选择开关器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年2月25日提交的、名称为“SYSTEMS，DEVICESANDMETHODSRELATEDTOIMPROVEDRADIO-FREQUENCYMODULES(关于改进的射频模块的系统、设备和方法)”的美国临时申请No.61/944,563的优先权，在此通过引用明确地将其公开全部并入本文。
本公开涉及射频(RF)模块。
技术介绍
在射频(RF)应用中，用于提供诸如放大的信号的发送和/或接收的信号的处理的功能的电路和组件可以作为封装的模块的部分实现。这种模块然后可以被安装在诸如电话板的电路板上。
技术实现思路
根据一些实施方式，本公开涉及射频(RF)模块，其包括配置为容纳多个组件的封装基板。所述RF模块还包括在安装所述封装基板上的第一裸芯上实现的功率放大器(PA)组件、以及在安装在所述第一裸芯上的第二裸芯上实现的控制器电路。所述控制器电路配置为提供PA组件的至少一些控制。所述RF模块还包括一个或多个输出匹配网络(OMN)器件，其安装在所述封装基板上并且配置为提供所述PA组件的输出匹配功能。所述RF模块还包括安装在每个OMN器件上的带选择开关器件。在一些实施例中，所述第一裸芯可以是砷化镓(GaAs)裸芯。所述GaAs裸芯可以配置用于多个异质结双极晶体管(HBT)PA的实现。所述HBTPA可以包括多个配置用于3G/4G操作的PA。所述配置用于3G/4G操作的PA可以包括四个或更多个PA。所述HBTPA还可以包括多个配置用于2G操作的PA。在一些实施例中，所述第二裸芯可以是硅(Si)裸芯。所述控制器电路可以包括用于3G/4G操作和2G操作任一者或两者的控制功能。在一些实施例中，所述GaAs裸芯和所述Si裸芯可以通过多个焊线互连。在一些实施例中，所述Si裸芯和所述封装基板可以通过多个焊线互连。在一些实施例中，所述GaAs裸芯和所述封装基板可以通过多个焊线互连。在一些实施例中，所述一个或多个OMN器件可以包括配置用于3G/4G操作的第一OMN器件。所述第一OMN器件可以是以倒装芯片配置实现的集成无源器件(IPD)。所述IPD倒装芯片器件可以包括与安装侧相对的表面，所述表面配置为容纳所述带选择开关器件。所述带选择开关器件在诸如硅绝缘体(SOI)裸芯的裸芯上实现。在一些实施例中，所述带选择开关裸芯和所述封装基板可以通过多个焊线互连。在一些实施例中，所述RF模块还可以包括在所述IPD倒装芯片器件的表面上实现的调谐电路。所述调谐电路可以作为IPD实现。所述调谐电路可以包括谐波谐振电路。在一些实施例中，所述第二裸芯上的所述控制器电路和所述带选择开关裸芯可以通过一个或多个飞焊线互连。在一些实施例中，所述封装基板可以包括层压封装基板。所述层压封装基板包括第一数量的层压层，所述第一数量小于第二数量的层压层，所述第二数量的层压层与没有所述一个或多个OMN器件的模块相关联。在一些实施例中，所述RF模块还可以包括多个安装在所述封装基板上的双工器。所述RF模块还可以包括多个安装在所述封装基板上的滤波器器件。所述滤波器器件的至少一些可以配置为便利于所述封装基板上的第一区域和第二区域之间的RF屏蔽。在一些教导中，本公开涉及一种用于制造射频(RF)模块的方法。所述方法包括提供或形成配置用于容纳多个组件的封装基板。所述方法还包括在所述封装基板上安装功率放大器(PA)裸芯，以及在所述PA裸芯上堆叠控制器电路裸芯。所述方法还包括在所述封装基板上安装一个或多个输出匹配网络(OMN)器件，以及在每个OMN器件上堆叠带选择开关。在一些实施例中，本公开涉及一种无线设备，所述无线设备包括配置为产生射频(RF)信号的收发器、与所述收发器通信的前端模块(FEM)。所述FEM还包括配置为容纳多个组件的封装基板、在安装在所述封装基板上的第一裸芯上实现的功率放大器(PA)组件，其中所述PA组件配置为放大所述RF信号。所述FEM还包括在安装在所述第一裸芯上的第二裸芯上实现的控制器电路，其中所述控制器电路配置为提供PA器件的至少一些控制。所述FEM还包括一个或多个安装在所述封装基板上并配置为提供用于所述PA组件的输出匹配功能的输出匹配网络(OMN)器件、以及安装在每个OMN器件上的带选择开关器件。所述无线设备还包括与所述FEM通信并配置为发送放大的RF信号的天线。在一些实施例中，所述FEM还包括多个双工器，使得所述FEM是含双工器的FEM(FEMiD)。出于概括本公开的目的，已在这里描述了本专利技术的某些方面、益处和新颖的特征。应当理解，根据本专利技术的任何特定实施例并不一定必须实现所有所述益处。因此，本专利技术可以以实现或优化如这里所教导的一个益处或一组益处、而不必实现如这里可能教导或启示的其他益处的方式来体现或执行。附图说明图1描绘了具有多个可以便利于射频(RF)信号的发送和/或接收的组件的模块。图2示出了具有例如在诸如砷化镓(GaAs)基板的半导体基板上实现的、配置用于3G/4G操作的多个功率放大器(PA)的示例性PA裸芯。图3示出了具有一个或多个例如在硅(Si)基板上实现的控制器电路的示例性裸芯。图4示出了其中PA裸芯被安装在层压封装基板上，以及Si控制器裸芯被安装在PA裸芯上的配置。图5A和图5B示出了其中图4的Si控制器裸芯、PA裸芯和层压基板之间的连接可以实现为焊线的示例性配置的侧视图和主视图。图6示出了可以在匹配网络器件中实现的各种电路的示例性配置。图7描绘了在放大处理期间RF信号可以传输经过的示例性路径。图8示出了输出匹配网络(OMN)器件可以被安装在层压基板上，以及对应的带选择开关可以被堆叠在该OMN器件上。图9A和9B示出了其中带选择开关、OMN器件和层压基板之间的连接可以实现为倒装芯片连接和焊线的示例性配置的侧视图和主视图。图10A和图10B示出了其中OMN器件可被放置为相当接近于PA裸芯的示例性配置的侧视图和主视图。图11A和图11B示出了其中诸如调谐电路的额外的器件可以被堆叠在OMN器件上的示例性配置的侧视图和主视图。图12示出了可以由通过如此处所描述的组件的堆叠提供的空间节省导致的模块的横向尺寸的减小的示例。图13示出了具有多个层压层的示例层压基板，其中匹配网络电路的一些或全部在一个或多个这种层压层中实现。图14示出了如此处所描述的在层压基板上实现的OMN器件允许与层压基板相关的横向空间量和/或层数量的减少。图15示出了类似于参考图1所描述的模块的示例布局的配置，其中可以在模块内的不同位置之间提供RF屏蔽功能。图16描绘了具有此处所描述的一个或多个有利特征的示例性无线设备。图17示出了可以在如此处所描述的控制器裸芯和如此处所描述的PA裸芯之间实现的互连配置的框图。图18示出了可以实现的互连配置的更具体的示例。图19示出了可以用于便利于图18的互连示例的操作的三电平逻辑状态的示例。图20示出了其中可以在例如驱动器级和输出级之间共享参考电流(Iref)以便提供(例如)PA裸芯和Si控制器裸芯之间I/O连接的减少、相关联的滤波器的数量和/或尺寸的减少、以及PA和/或控制器裸芯的尺寸的减小的PA控制配置。图21示出了可以被实现以包括和/或便利于例如图20的共享Iref特征和图18和图19的三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频(RF)模块，包括：配置为容纳多个组件的封装基板；在安装在所述封装基板上的第一裸芯上实现的功率放大器(PA)组件；在安装在所述第一裸芯上的第二裸芯上实现的控制器电路，所述控制器电路配置为提供所述PA组件的至少一些控制；一个或多个输出匹配网络(OMN)器件，其安装在所述封装基板上并且配置为提供所述PA组件的输出匹配功能；以及安装在每个OMN器件上的带选择开关器件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.25 US 61/944,5631.一种射频(RF)模块，包括：配置为容纳多个组件的封装基板；在安装在所述封装基板上的第一裸芯上实现的功率放大器(PA)组件；在安装在所述第一裸芯上的第二裸芯上实现的控制器电路，所述控制器电路配置为提供所述PA组件的至少一些控制；一个或多个输出匹配网络(OMN)器件，其安装在所述封装基板上并且配置为提供所述PA组件的输出匹配功能；以及安装在每个OMN器件上的带选择开关器件。2.根据权利要求1所述的RF模块，其中，所述第一裸芯是砷化镓(GaAs)裸芯。3.根据权利要求2所述的RF模块，其中，所述GaAs裸芯配置用于多个异质结双极晶体管(HBT)PA的实现。4.根据权利要求3所述的RF模块，其中，所述HBTPA包含多个配置用于3G/4G操作的PA。5.根据权利要求4所述的RF模块，其中，所述配置用于3G/4G操作的PA包含四个或更多个PA。6.根据权利要求4所述的RF模块，其中，所述HBTPA还包含多个配置用于2G操作的PA。7.根据权利要求2所述的RF模块，其中，所述第二裸芯是硅(Si)裸芯。8.根据权利要求7所述的RF模块，其中，所述控制器电路包含用于3G/4G操作和2G操作中任一者或两者的控制功能。9.根据权利要求7所述的RF模块，其中，所述GaAs裸芯和所述Si裸芯通过多个焊线互连。10.根据权利要求7所述的RF模块，其中，所述Si裸芯和所述封装基板通过多个焊线互连。11.根据权利要求7所述的RF模块，其中，所述GaAs裸芯和所述封装基板通过多个焊线互连。12.根据权利要求1所述的RF模块，其中，其中所述一个或多个OMN器件包含配置用于3G/4G操作的第一OMN器件。13.根据权利要求12所述的RF模块，其中，所述第一OMN器件是以倒装芯片配置实现的集成无源器件(IPD)。14.根据权利要求13所述的RF模块，其中，所述IPD倒装芯片器件包含与安装侧相对的表面，所述表面配置为容纳所述带选择开关器件。15.根据权利要求14所述的RF模块，其中，所述带选择开关器件在裸芯上实现。16.根据权利要求15所述的RF模块，其中，用于所述带选择开关的裸芯是硅绝缘体(SOI)裸芯。17.根据权利要求15所述的RF模块，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：RA赖斯纳，JR金，Z阿朗，TW关，AA利亚林，X徐，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：美国;US