半导体器件和制造半导体器件的方法技术

本技术涉及能够抑制半导体器件的翘曲的半导体器件以及制造半导体器件的方法。脱模剂(101)涂布于上芯片(11)的侧面部分。因此，当涂布用于保护凸块(21)的密封树脂(31)时，上芯片(11)与下芯片(12)之间的凸块(21)得到保护，并且由于脱模剂(101)，其成填角形状突出的一部分不会粘附至上芯片(11)的侧面部分，并且因此形成间隙(111)。因此，即使伴随上芯片(11)的侧面部分与下芯片(12)的上表面之间的密封树脂(31)的干燥而出现收缩，也不会产生使下芯片(12)翘曲的压力，因此可以抑制翘曲。该技术可应用于半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体器件及制造半导体器件的方法并且尤其涉及能够抑制半导体器件的翘曲的半导体器件及制造半导体器件的方法。
技术介绍
通过在电路基板上倒装芯片安装半导体芯片获取的半导体器件已知为半导体器件的模式。在这类半导体器件中，电路基板和半导体芯片通过称作凸块的连接端子电气且机械地连接至彼此。另外，电路基板与半导体芯片之间的间隔(间隙)利用称作底部填充材料的密封树脂填充用于保护作为连接端子的凸块。底部填充材料通过使用毛细现象填充电路基板与半导体芯片之间的间隔。在那时，在底部张开的填角(fillet)形成在半导体芯片的外周缘上，填角由从其中突出的底部填充材料形成。诸如环氧树脂的热固性树脂用作底部填充材料。因此，处于液体状态的底部填充材料注入电路基板与半导体芯片之间的间隔中以填充该间隔并且此后通过热处理固化。在那时，翘曲会由于与底部填充材料的填角形突出部分的热收缩相关联的压力而出现在电路基板上。而且，当进行诸如温度循环试验的可靠性试验时，由于类似原因在电路基板上会出现翘曲。因此，建议了通过形成凹陷部分防止下芯片上的树脂突出而采取措施的技术(参考专利文献1)。另外，建议了通过使用线性膨胀系数不同的几种类型的密封树脂减小翘曲的技术(参考专利文献2)。而且，建议了通过在下基板上设置凹槽减小翘曲的技术(参考专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2010-165814号公报专利文献2：特开2013-141027号公报专利文献3：特开10-233465号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的问题同时，应涂布密封树脂的位置基本上是设置在上芯片与下芯片之间的凸块部分。然而，通常当涂布密封树脂时，密封树脂均匀地应用于下芯片的上表面，但是密封树脂涂布于除了上芯片的底面的侧面，使得密封树脂在上芯片与下芯片之间以填角形状粘附。然后，由于填角形密封树脂在固化时的热收缩，在粘附至上芯片的侧面的密封树脂与粘附至下芯片的上表面的密封树脂之间产生压力，所以在半导体器件中出现与压力相关联的翘曲，使得芯片可能破裂。另外，虽然专利文献1的技术通过设置防止树脂在下芯片上的突出的凹陷部分采取措施，但是设置大的凹陷部分会增加成本。另外，当将来芯片制成更薄时，下芯片的强度会由于凹陷部分本身降低。另外，虽然专利文献2的技术通过使用具有不同线性膨胀系数的密封树脂减小翘曲，但是树脂的线性膨胀系数与诸如粘度和弹性的另外的物理特性有相互关系，使得除翘曲以外的性能或许可能改变并且可能无法自由选择树脂。而且，在专利文献3的技术中的下基板上设置了凹槽，使得当芯片制成更薄时强度同样会降低。鉴于这种状况实现本技术并且本技术的目的尤其是通过简单方法抑制半导体器件的翘曲。问题的解决方案根据本技术的一方面的半导体器件包括：上半导体芯片；下半导体芯片；凸块，连接上半导体芯片至下半导体芯片；密封树脂，保护凸块；以及间隙，形成在从密封树脂的存在凸块的区域突出的填角形区域与上半导体芯片的侧面与下半导体芯片的上表面中的任一个之间。间隙可以通过在涂布密封树脂之前在从当涂布密封树脂时存在凸块的区域突出的填角形区域与上半导体芯片的侧面与下半导体芯片的上表面中的任一个之间的位置中布置隔板、涂布密封树脂、并且此后去除隔板形成。隔板可以是与密封树脂接触的部分被涂布脱模剂的板状构件或者由在密封树脂被干燥时的通过热蒸发或者升华的材料形成的板状构件。间隙可以形成在上半导体芯片的侧面与填角形密封树脂之间。脱模剂可以涂布于上半导体芯片的侧面，并且间隙可以在通过涂布于上半导体芯片的侧面的脱模剂从上半导体芯片的侧面释放填角形密封树脂时形成。除了上半导体芯片的侧面，脱模剂可以涂布于上表面。间隙可以形成在下半导体芯片的除与上半导体芯片相对的区域以外的区域的上表面与填角形密封树脂之间。脱模剂可以涂布于下半导体芯片的除与上半导体芯片相对的区域以外的区域中的上表面，并且间隙可以在填角形密封树脂通过涂布于下半导体芯片的除与上半导体芯片相对的区域以外的区域的上表面的脱模剂而从下半导体芯片的除与上半导体芯片相对的区域以外的区域的上表面释放时形成。多个上半导体芯片可以在彼此通过凸块连接并且通过凸块连接至下半导体芯片的状态下堆叠，并且间隙可以形成在从存在凸块的区域突出的填角形密封树脂与多个堆叠的上半导体芯片的侧面与下半导体芯片的上表面中的任一个之间。通过堆叠多个上半导体芯片获取的第一配置以及由上半导体芯片形成的第二配置可以通过凸块在相邻位置处连接至下半导体芯片，第二配置不同于第一配置，并且间隙可以形成在第一配置和第二配置彼此不相邻的区域中、形成在从存在凸块的区域突出的填角形密封树脂与第一配置的侧面与下半导体芯片的上表面中的任一个之间、以及在密封树脂与第二配置的侧面与下半导体芯片的上表面中的任一个之间。根据本技术的一方面制造半导体器件的方法是制造包括以下的半导体器件的方法：上半导体芯片；下半导体芯片；凸块，连接上半导体芯片至下半导体芯片；密封树脂，保护凸块；以及间隙，形成在从密封树脂的存在凸块的区域突出的填角形区域与上半导体芯片的侧面与下半导体芯片的上表面中的任一个之间，方法，其中，在涂布密封树脂之前执行形成间隙的处理。形成间隙的处理是在从当涂布密封树脂时存在凸块的区域突出的填角形区域与上半导体芯片的侧面与下半导体芯片的上表面中的任一个之间的位置中布置隔板，并且隔板可以在涂布密封树脂之后去除的处理。隔板可以是与密封树脂接触的部分涂布脱模剂的板状构件或者在密封树脂被干燥时通过热蒸发或者升华的材料形成的板状构件。形成间隙的处理可以是将脱模剂涂布至上半导体芯片的侧面的处理。形成间隙的处理可以是将脱模剂涂布至下半导体芯片的不与上半导体芯片相对的区域中的上表面的处理。本技术的一方面是半导体器件，该半导体器件包括：上半导体芯片；以及下半导体芯片，其中，凸块连接上半导体芯片至下半导体芯片，密封树脂保护凸块，并且间隙形成在从存在凸块的区域突出的填角形区域与上半导体芯片的侧面与下半导体芯片的上表面中的任一个之间。本专利技术的效果根据本技术的一方面，半导体器件的翘曲可以得到抑制。附图说明图1是示出了一般半导体器件的配置的视图。图2是示出了应用本技术的半导体器件的配置的视图。图3是示出了应用本技术的半导体器件的第一变型的视图。图4是示出了制造图3中的半导体器件的方法的视图。图5是示出了制造图2和图3中的半导体器件的过程的流程图。图6是示出了应用本技术的半导体器件的第二变型的视图。图7是示出了制造图6中的半导体器件的过程的流程图。图8是示出了应用本技术的半导体器件的第三变型的视图。图9是示出了制造图8中的半导体器件的过程的流程图。图10是示出了应用本技术的半导体器件的第三变型的另一实例的视图。图11是示出了应用本技术的半导体器件的第四变型的视图。图12是示出了应用本技术的半导体器件的第五变型的视图。图13是示出了应用本技术的半导体器件的第六变型的视图。具体实施方式<一般半导体器件的配置>本技术是用于抑制半导体器件翘曲的技术。应当注意，在描述本技术的半导体器件的配置之前，描述一般半导体器件的配置。图1中的半导体器件通过将半导体芯片(上芯片11)倒装安装在电路基板(下芯片12)上获取。在图1中的半导体器件中，电路基板(下芯片12)和半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：上半导体芯片；下半导体芯片；凸块，将所述上半导体芯片连接至所述下半导体芯片；密封树脂，保护所述凸块；以及间隙，形成在填角形区域与所述上半导体芯片的侧面和所述下半导体芯片的上表面中的任一个之间，所述填角形区域从所述密封树脂的存在所述凸块的区域突出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.26 JP 2014-1317471.一种半导体器件，包括：上半导体芯片；下半导体芯片；凸块，将所述上半导体芯片连接至所述下半导体芯片；密封树脂，保护所述凸块；以及间隙，形成在填角形区域与所述上半导体芯片的侧面和所述下半导体芯片的上表面中的任一个之间，所述填角形区域从所述密封树脂的存在所述凸块的区域突出。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙通过如下步骤形成：在涂布所述密封树脂之前在从当涂布所述密封树脂时存在所述凸块的区域突出的所述填角形区域与所述上半导体芯片的侧面和所述下半导体芯片的上表面中的任一个之间的位置中布置隔板、涂布所述密封树脂、并且此后去除所述隔板。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述隔板是与所述密封树脂接触的部分被涂布脱模剂的板状构件或者在所述密封树脂被干燥时通过热蒸发或者升华的材料形成的板状构件。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙形成在所述上半导体芯片的侧面与填角形密封树脂之间。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，脱模剂涂布于所述上半导体芯片的侧面，并且当通过涂布于所述上半导体芯片的侧面的所述脱模剂从所述上半导体芯片的侧面释放所述填角形密封树脂时形成所述间隙。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，除了所述上半导体芯片的侧面，所述脱模剂还涂布于上表面。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙形成在所述下半导体芯片的除与所述上半导体芯片相对的区域以外的区域中的上表面与填角形密封树脂之间。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，脱模剂涂布于所述下半导体芯片的除与所述上半导体芯片相对的区域以外的区域中的上表面，并且当所述填角形密封树脂通过涂布于所述下半导体芯片的除与所述上半导体芯片相对的区域以外的区域中的上表面的所述脱模剂而从所述下半导体芯片的除与所述上半导体芯片相对的区域以外的区域中的上表面释放时形成所述间隙。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，多个所述上半导体芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶部裕史，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP