用于半导体器件的电接触结构和半导体器件制造技术

提出一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加第一金属接触层(2)；第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖第一金属接触层(2)；和分离层(4)，所述分离层设置在透明导电接触层(1)和第二金属接触层(3)之间，并且所述分离层将第二金属接触层(3)与透明导电接触层(1)分离。此外，提出一种具有这种电接触结构(10)的半导体器件(100)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102014107555.2的优先权，其公开内容在此通过参考并入本文。
提出一种用于半导体器件的电接触结构和一种半导体器件。
技术实现思路
特定的实施方式的至少一个目的是：提出一种用于半导体器件的电接触结构，所述电接触结构优选允许可靠地接触半导体器件。特定的实施方式的至少另一目的是：提出一种具有这种电接触结构的半导体器件。所述目的通过根据独立权利要求的主题实现。主题的有利的实施方式和改进形式的特征在于从属权利要求并且此外从下面的描述和附图中得出。根据至少一个实施方式，用于半导体器件的电接触结构具有透明导电接触层。电接触结构尤其能够构建成用于：电接触半导体器件。电接触尤其能够借助于透明导电接触层来进行。根据另一实施方式，半导体器件在半导体层序列的表面上具有电接触结构。特别地，半导体器件能够具有衬底，在所述衬底上施加有半导体层序列。设置有电接触结构的表面尤其能够是半导体层序列的背离衬底的上侧，使得电接触结构为用于电接触半导体层序列的上侧接触部。因此，半导体层序列能够设置在衬底和电接触结构之间。在此和在下文中描述的特征相同地适用于电接触结构以及适用于具有电接触结构的半导体器件。根据另一实施方式，电接触结构具有第一金属接触层。第一金属接触层尤其设置在透明导电接触层上。根据另一实施方式，电接触结构具有第二金属接触层，所述第二金属接触层完全地遮盖第一金属接触层。这尤其能够表示：第二金属接触层从透明导电接触层起观察设置在第一金属接触层上方，并且此外在横向方向上与第一金属接触层相比具有更大的扩展。横向方向在此和在下文中表示沿着透明导电接触层的主延伸平面的方向。特别地，第二金属接触层能够至少在一个横向方向上或也能够在全部横向方向上超出第一金属接触层，使得在第二金属接触层的俯视图中，第二金属接触层在至少一个或也在全部横向方向上比第一金属接触层更宽。根据另一实施方式，电接触结构具有分离层，所述分离层设置在透明导电接触层和第二金属接触层之间，并且所述分离层将第二金属接触层与透明导电接触层分离。两个层通过另一层分离在此和在下文中表示：两个层至少部分地由于用于分离的层而彼此间不直接接触。在此处描述的电接触结构的情况下，这尤其表示：第二金属接触层不具有与透明导电接触层的直接的非间接的和物理的接触。特别地，分离层能够将第二金属接触层与透明导电接触层在如下区域中分离：在所述区域中，透明导电接触层没有由第一金属接触层和必要时也没有由势垒层覆盖，并且在所述区域中，第二金属接触层在不存在分离层的情况下会直接接触透明导电接触层。根据另一实施方式，电接触结构在第一和第二金属接触层之间具有势垒层，所述势垒层完全地遮盖第一金属接触层，并且所述势垒层由第二金属接触层优选完全地遮盖。特别地，设置在第一和第二金属接触层之间的势垒层设为用于：将第一和第二金属接触层彼此分开，使得第一和第二金属接触层相互间不具有直接的和物理的接触。势垒层尤其能够直接地且以与第一金属接触层物理接触的方式设置在所述第一金属接触层上。第二金属层尤其能够直接地且以与势垒层物理接触的方式设置在所述势垒层上。因此，势垒层能够与第一和第二金属层直接接触。在此处描述的电接触结构中，第一金属接触层尤其能够直接地且以与透明导电接触层物理接触的方式设置在所述透明导电接触层上。此外，尤其优选地，分离层能够直接地且以与透明导电接触层物理接触的方式设置在所述透明导电接触层上。换言之，这表示：第一金属接触层和分离层并排地、即在横向方向上彼此相邻地设置在透明导电接触层上。在此，分离层能够与第一金属接触层间隔开，使得在横向方向上在第一金属接触层和分离层之间存在空隙。在空隙中，透明导电接触层既不由第一金属接触层覆盖、也不由分离层覆盖。分离层在该情况下能够具有开口，在所述开口中设置有第一金属接触层，其中开口在横向方向上与第一金属接触层相比具有更大的扩展。如果导电接触结构在第一和第二金属接触层之间具有势垒层，那么势垒层的一部分能够设置在分离层和第一金属接触层之间的空隙中，使得在横向方向上，势垒层的一部分设置在第一金属接触层和分离层之间。因此，势垒层能够直接地在透明导电接触层上设置在包围第一金属接触层的区域中。替选于此，也能够可行的是：分离层达到第一金属接触层或者甚至伸展到第一金属接触层下方，其中分离层在该情况下具有开口，在所述开口中，第一金属接触层的一部分穿过分离层伸展至透明导电接触层。如果电接触结构在第一和第二金属接触层之间具有势垒层，那么所述势垒层能够在前述情况下分别具有如下区域：所述区域设置在分离层上，使得势垒层能够在分离层的一部分之上并且在第一金属接触层之上延伸。因此，势垒层能够部分地遮盖分离层。在此，势垒层能够直接地且以物理接触的方式设置在分离层的一部分上。根据另一实施方式，电接触结构尤其优选地具有透明导电接触层，在所述透明导电接触层上施加有第一金属接触层，其中在第一金属接触层上施加有第二金属接触层，使得第一金属接触层由第二金属接触层完全地遮盖，并且其中分离层设置在透明导电接触层和第二金属接触层之间，并且将第二金属接触层与透明导电接触层分离。此外，也能够尤其优选的是：在第一和第二金属接触层之间设置有势垒层，所述势垒层完全地遮盖第一金属接触层，并且所述势垒层由第二金属接触层遮盖。根据另一实施方式，在用于制造用于半导体器件的接触结构的方法中，将透明导电接触层施加在半导体层序列上。在透明导电接触层上施加第一金属接触层。此外，在透明导电接触层上施加分离层。在此，分离层能够在第一金属接触层之前或之后施加。特别地，分离层设有至少一个或多个开口，在所述一个或多个开口中设置第一金属接触层。如果第一金属接触层在分离层之前施加，那么分离层中的至少一个或多个开口在横向方向上至少具有第一金属接触层的相应的尺寸。如果分离层在第一金属接触层之前施加，那么第一金属接触层也能够具有比分离层中的开口更大的横向扩展，使得在该情况下，第一金属接触层部分地施加在分离层上，并且分离层伸展到第一金属接触层下方。分离层例如能够借助于化学或物理气相沉积(“chemicalvapordeposition，化学气相沉积”,CVD；“physicalvapordeposition，物理气相沉积”，PVD)或借助于原子层沉积(“atomiclayerdeposition”，ALD)施加。在此，例如借助于掩模以结构化的方式施加分离层是可能的。此外，分离层也能够未结构化地且大面积地施加，并且随后借助于适当的结构化方法、例如光刻方法或激光剥离方法在如下区域中移除：在所述区域中应当设置或设置有第一金属接触层。在该情况下，也能够可行的是：在制造分离层中的开口时，也移除透明导电接触层的一部分，例如在刻蚀方法的范围中，使得透明导电接触层在分离层的开口的区域中能够具有比在其余的分离层之下的区域中更小的厚度。此外，在第一金属接触层上和在分离层的一部分上施加第二金属接触层，使得第二金属接触层完全地遮盖第一金属接触层，并且第二金属接触层在如下区域中通过分离层与透明导电接触层分离：在所述区域中，所述第二金属接触层在不存在分离层的情况下能够直接接触或触碰透明导电接触层。例如，金属接触层例如能够借助于蒸镀方法施加。特别地，透明导电接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：‑透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加有第一金属接触层(2)；‑第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖所述第一金属接触层(2)；和‑分离层(4)，所述分离层设置在所述透明导电接触层(1)和所述第二金属接触层(3)之间，并且所述分离层将所述第二金属接触层(3)与所述透明导电接触层(1)分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.28 DE 102014107555.21.一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：-透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加有第一金属接触层(2)；-第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖所述第一金属接触层(2)；和-分离层(4)，所述分离层设置在所述透明导电接触层(1)和所述第二金属接触层(3)之间，并且所述分离层将所述第二金属接触层(3)与所述透明导电接触层(1)分离。2.根据权利要求1所述的接触结构(10)，其中所述分离层(4)在所述第二金属接触层(3)下方伸出。3.根据上述权利要求中任一项所述的接触结构(10)，其中在所述第一金属接触层和所述第二金属接触层(2，3)之间设置有势垒层(5)，所述势垒层完全地遮盖所述第一金属接触层(2)，并且所述势垒层由所述第二金属接触层(3)遮盖。4.根据上一项权利要求所述的接触结构(10)，其中所述势垒层(5)部分地遮盖所述分离层(4)。5.根据权利要求3或4所述的接触结构(10)，其中所述势垒层(5)直接地在所述透明导电接触层(1)上设置在包围所述第一金属接触层(1)的区域中。6.根据上述权利要求中任一项所述的接触结构，其中所述分离层(4)是透明的并且具有介电材料。7.根据上述权利要求中任一项所述的接触结构(10)，其中所述分离层(4)具有多个层。8.根据上述权利要求中任一项所述的接触结构(10)，其中所述分离层(4)具有氧化物、氮化物或氮氧化物。9.根据上述权利要求中任一项所述的接触结构(10)，其中所述分离层(4)与所述第一金属接...

【专利技术属性】
技术研发人员：科比尼安·佩尔茨尔迈尔，比约恩·米曼，卡尔·恩格尔，克里斯蒂安·艾兴格，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE