供电电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种供电电路，包括第一电源、第一电容器、第二电容器、第一三极管、负载以及恒流源模块。所述第一三极管的发射极分别与第一电源以及第一电容器相连接，所述第一电容器的另一端接地，所述第一三极管的基极与所述恒流源模块相连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第二电容器以及负载相连接。所述第二电容器的另一端接地。本实用新型专利技术实施例利用三极管对电源的电压进行分压，并且分压后的电压经第二电容器滤波后为负载供电。与现有的供电电路相比，本实用新型专利技术实施例改善了供电电路成本较高、效率较低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路装置领域，具体而言，涉及一种供电电路。
技术介绍
现在的大多数消费产品如PalmPre、AmazonKindleII和FlipMinoHD，均会用到高性能数据存储芯片eMMC。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。现有的给eMMC芯片供电的+1.8V电源往往是1117LD0，成本较高并且效率较低。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种供电电路，以改善现有的供电电路成本较高、效率较低的问题。为实现上述目的，所述供电电路包括：第一电源、第一电容器、第二电容器、第一三极管、负载以及恒流源模块，所述第一三极管的发射极分别与第一电源以及第一电容器相连接，所述第一电容器的另一端接地，所述第一三极管的基极与所述恒流源模块相连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第二电容器以及负载相连接，所述第二电容器的另一端接地。优选地，上述的供电电路中，所述第一三极管为PNP三极管。具体地，第一三极管可以为PNP三极管，PNP三极管的发射极电位高于PNP三极管的基极电位时，PNP三极管导通。优选地，上述的供电电路中，所述第一三极管为MMBT2907三极管。若该电路带有恒流源模块。则可以通过MMBT2907三极管的基极输出2mA的电流给恒流源模块供电。并且当MMBT2907三极管的基极电流为2mA时，集电极电流Ic的性能曲线的线性较好。当MMBT2907三极管的基极电流为2mA时，负载的功耗小于100mA。优选地，上述的供电电路中，所述恒流源模块包括第二电源、第二三极管、第三三极管、第一电阻器、第二电阻器以及第三电阻器，所述第一电阻器的一端与所述第二电源相连接，所述第一电阻器的另一端分别与所述第二三极管的集电极以及第二三极管的基极相连接，所述第二三极管的发射极与所述第二电阻器的一端连接，第二电阻器的另一端接地；所述第三三极管的集电极与所述第一三极管的基极相连接，第三三极管的基极与第一电阻器的远离第二电源的一端连接，第三三极管的发射极与第三电阻器的一端相连接，第三电阻器的另一端接地。基本的恒流源电路主要是由输入级和输出级构成，输入级提供参考电流，输出级输出需要的恒定电流。恒流源电路就是要能够提供一个稳定的电流以保证其它电路稳定工作的基础。即要求恒流源电路输出恒定电流，因此作为输出级的器件应该是具有饱和输出电流的伏安特性。这可以采用工作于输出电流饱和状态的BJT或者MOSFET来实现。该恒流源模块中可以包括第二三极管、第三三极管等三极管元件，也可以替换为场效应管元件。优选地，上述的供电电路中，所述第二三极管以及第三三极管均为NPN三极管。具体地，第二三极管以及第三三极管均可以为NPN三极管。其中第三三极管是输出恒定电流的三极管，第二三极管相当于是给第三三极管提供稳定基极电压的发射结二极管。当然，第二三极管的电流放大系数越大、跨导越高，则其恒压性能也就越好。同时，为了输出电流恒定(即提高输出交流电阻)，还需要尽量减小第三三极管的基区宽度调变效应(即Early效应)。可以理解，可以使用NPN三极管，也可以使用PNP三极管。如果采用两个基极相连接的PNP三极管来构成恒流源，在IC芯片中这两个PNP三极管可以放置在同一个隔离区内。这将有利于减小芯片面积，但是为了获得较好的输出电流恒定的性能，即需要特别注意增大横向PNP三极管的电流放大系数。优选地，上述的供电电路中，所述第二三极管以及第三三极管均为LMBT3904三极管。具体地，第二三极管以及第三三极管均可以为LMBT3904三极管，第二三极管以及第三三极管也可以为其他型号的三极管，该三极管的具体型号不应该理解为是对本技术的限制。优选地，上述的供电电路中，所述恒流源模块包括第三电源、第一场效应管、第二场效应管，所述第三电源分别与第一场效应管的漏极以及第一场效应管的栅极连接，第一场效应管的源极接地；第二场效应管的漏极与第一三极管的基极连接，第二场效应管的栅极与第三电源连接，第二场效应管的源极接地。为了保证输出第二场效应管的栅-源电压稳定，其前面应当设置一个恒压源。第一场效应管相当于为第二场效应管提供了一个稳定的栅-源电压，即起着一个恒压源的作用。因此第一场效应管应该具有很小的交流电导和较高的跨导，以保证其具有较好的恒压性能。第二场效应管则应该具有很大的输出交流电阻。优选地，上述的供电电路中，第一场效应管以及第二场效应管均为N沟道增强型场效应管。具体地，第一场效应管以及第二场效应管可以为N沟道增强型场效应管，也可以为其他类型的场效应管。场效应管的具体类型不应该理解为是对本技术的限制。优选地，上述的供电电路中，所述第一电源的电压为3.3V。第一电源的电压为3.3V，当第一三极管的基极电流为2mA时，Vec的电压为1.5V，则经第二电容器滤波后，可以为负载提供+1.8V的电压。优选地，上述的供电电路中，所述负载为eMMC芯片。具体地，所述负载为eMMC芯片。eMMC芯片由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备及主控制器。上述元件均在小型的BGA封装。接口速度高达每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能。本技术实施例提供的供电电路包括第一电源、第一电容器、第二电容器、第一三极管、负载以及恒流源模块。所述第一三极管的发射极分别与第一电源以及第一电容器相连接，所述第一电容器的另一端接地，所述第一三极管的基极与所述恒流源模块相连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第二电容器以及负载相连接。所述第二电容器的另一端接地。本技术实施例利用三极管对电源的电压进行分压，并且分压后的电压经第二电容器滤波后为负载供电。与现有的供电电路相比，本技术实施例改善了供电电路成本较高、效率较低的问题。附图说明为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例提供的供电电路的电路图；图2是本技术实施例提供的供电电路中的恒流源模块的电路图；图3是本技术实施例提供的供电电路中的第一三极管的Ic与Vce的性能曲线图；图4是本技术实施例提供的供电电路中的恒流源模块的另一种实施方式的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例详情请参见图1，图1示出了本技术实施例提供的供电电路，供电电路具体可以为负载(图未示)供电。所述电路包括第一电源VCC1、第一电容器C1、第二电容器C2、第一三极管Q1以及恒流源模块U1。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种供电电路，其特征在于，所述供电电路用于给负载供电，所述电路包括：第一电源、第一电容器、第二电容器、第一三极管以及恒流源模块，所述第一三极管的发射极分别与第一电源以及第一电容器相连接，所述第一电容器的另一端接地，所述第一三极管的基极与所述恒流源模块相连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第二电容器以及负载相连接，所述第二电容器的另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种供电电路，其特征在于，所述供电电路用于给负载供电，所述电路包括：第一电源、第一电容器、第二电容器、第一三极管以及恒流源模块，所述第一三极管的发射极分别与第一电源以及第一电容器相连接，所述第一电容器的另一端接地，所述第一三极管的基极与所述恒流源模块相连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第二电容器以及负载相连接，所述第二电容器的另一端接地。2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述第一三极管为PNP三极管。3.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述第一三极管为MMBT2907三极管。4.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述恒流源模块包括第二电源、第二三极管、第三三极管、第一电阻器、第二电阻器以及第三电阻器，所述第一电阻器的一端与所述第二电源相连接，所述第一电阻器的另一端分别与所述第二三极管的集电极以及第二三极管的基极相连接，所述第二三极管的发射极与所述第二电阻器的一端连接，第二电阻器的另一端接地；所述第三三极管的集电极与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟波，肖适，刘志明，
申请(专利权)人：成都市极米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51