一种上电保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种上电保护电路，包括主控芯片IC2、上电检测电路、上电启动电路和开关电路，上电检测电路由R1、R2、C1和Q1构成，上电启动电路由S1、D1、R3、R4和C2构成，所述开关电路由Q3和Q2构成，R1、R2和C1串联接到VCC和地之间，Q1的G极接在R1上，Q1的D极接至单片机IC2的1脚；所述D1、R3、R4和C2串联，R4接在Q3的G极和S极两端；所述Q2的基极通过R7连接Q2的基极，Q2的集电极通过R3连接着Q3的G极。本实用新型专利技术使得电源开关处在闭合的状态时接通电源会自动进入待机状态，不仅可以防止因误操作或者其它因素带来安全隐患，而且节约能耗，延长设备使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电路，尤其涉及一种上电保护电路。
技术介绍
有些特殊的电器设备，如果电源开关处在闭合的状态时直接接通电源，不仅能耗较大，而且很可能会因为误操作或者其它因素带来安全隐患，同时还会影响设备使用寿命。
技术实现思路
本技术为了解决上述现有技术中存在的缺陷和不足，提供了一种使得电源开关处在闭合的状态时接通电源会自动进入待机状态，不仅可以防止因误操作或者其它因素带来安全隐患，而且节约能耗，延长设备使用寿命的上电保护电路。本技术的技术方案：一种上电保护电路，包括主控芯片IC2、连接在主控芯片IC2上的上电检测电路、上电启动电路和开关电路，所述上电检测电路由电阻R1、电阻R2、电容C1和MOS管Q1构成，所述上电启动电路由电源开关S1、二极管D1、电阻R3、电阻R4和电容C2构成，所述开关电路由MOS管Q3和三极管Q2构成，所述电阻R1、电阻R2和电容C1串联接到VCC和地之间，MOS管Q1的G极接在电阻R1上，MOS管Q1的D极接至单片机IC2的1脚；所述二极管D1、电阻R3、电阻R4和电容C2串联，电阻R4接在MOS管Q3的G极和S极两端；所述三极管Q2的基极通过基极限流电阻R7连接MOS管Q2的基极，三极管Q2的集电极通过电阻R3连接着MOS管Q3的G极。优选地，所述MOS管Q3的D极连接有限流电阻R6、限流电阻R9和稳压芯片IC1，所述稳压芯片IC1两端连接有滤波电容C3和滤波电容C4。优选地，所述稳压芯片IC1的输出电压为+5V。本技术对电容充放电时间的控制，通过调节R1，R2，C1的参数，确保在上电时能使Q1产生一个导通脉冲，该脉冲的宽度必需大于主控制芯片IC2的启动时间，让主控制芯片启动后有足够的时间去检测1脚的状态。对电容C2的充放电可以在开关闭合的瞬间提供一个开机脉冲，方便实现零功耗待机。调节R3，R4，C2的参数，使电容C2的充电时间大于单片机的启动时间，使单片机在启动后有足够的时间在IC2第2脚上输出高电平，维持开机状态；从而使得电源开关处在闭合的状态时接通电源会自动进入待机状态，不仅可以防止因误操作或者其它因素带来安全隐患，而且节约能耗，延长设备使用寿命。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式下面结合附图和工作过程对本技术作进一步详细的说明，但并不是对本技术保护范围的限制。如图1所示，一种上电保护电路，包括主控芯片IC2、连接在主控芯片IC2上的上电检测电路、上电启动电路和开关电路，所述上电检测电路由电阻R1、电阻R2、电容C1和MOS管Q1构成，所述上电启动电路由电源开关S1、二极管D1、电阻R3、电阻R4和C2构成，所述开关电路由MOS管Q3和三极管Q2构成，所述电阻R1、电阻R2和电容C1串联接到VCC和地之间，MOS管Q1的G极接在电阻R1上，MOS管Q1的D极接至单片机IC2的1脚；所述二极管D1、电阻R3、电阻R4和电容C2串联，电阻R4接在MOS管Q3的G极和S极两端；所述三极管Q2的基极通过基极限流电阻R7连接MOS管Q2的基极，三极管Q2的集电极通过电阻R3连接着MOS管Q3的G极。所述MOS管Q3的D极连接有限流电阻R6、限流电阻R9和稳压芯片IC1，所述稳压芯片IC1两端连接有滤波电容C3和滤波电容C4。所述稳压芯片IC1的输出电压为+5V。本技术的正常工作流程：接通电源，VCC通过电阻R2和电阻R1对电容C1充电，充电电流在电阻R1上产生电压使MOS管Q1导通，主控芯片IC2的第1脚为低电平；当电容C1充电完成后，充电电流为0，MOS管Q1的G极电压为0，MOS管Q1截止，主控芯片IC2的第1脚通过内部上拉为高电平；此时电源开关S1闭合，VCC通过电源开关S1、D1、电阻R4和电阻R3对电容C2充电，在电阻R4上产生电压降，使MOS管Q3导通，为稳压芯片IC1提供电源。VCC经稳压芯片IC1稳压为+5V的电源提供给主控芯片IC2，主控芯片IC2启动后立即在2脚输出高电平，使三极管Q2导通，维持开关状态，然后检测主控芯片IC2的1脚如果为高电平维持主控芯片IC2的2脚输出，设备进入正常工作状态。本技术的上电保护过程：接通电源前电源开关S1处在闭合状态，接通电源时VCC通过电阻R2和电阻R1对电容C1充电，充电电流在电阻R1上产生电压使MOS管Q1导通，主控芯片IC2的第1脚为低电平；由于电源开关S1在闭合状态，主控芯片IC2在上电时也会立即工作，这时检测到主控芯片IC2的1脚为低电平，就可判断出非正常上电，主控制芯片IC2在2脚输出低电平，关闭三极管Q2，切断控制电路电源，实现微功耗待机，直到人为有意识的把电源开关S1从闭合状态，打到断开，然后再闭合，这时由于电容C1已充电完成，MOS管Q1截止，主控芯片IC2的第1脚为高电平，设备就能进入正常工作状态。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上电保护电路，其特征在于：其包括主控芯片IC2、连接在主控芯片IC2上的上电检测电路、上电启动电路和开关电路，所述上电检测电路由电阻R1、电阻R2、电容C1和MOS管Q1构成，所述上电启动电路由电源开关S1、二极管D1、电阻R3、电阻R4和电容C2构成，所述开关电路由MOS管Q3和三极管Q2构成，所述电阻R1、电阻R2和电容C1串联接到VCC和地之间，MOS管Q1的G极接在电阻R1上，MOS管Q1的D极接至单片机IC2的1脚；所述二极管D1、电阻R3、电阻R4和电容C2串联，电阻R4接在MOS管Q3的G极和S极两端；所述三极管Q2的基极通过基极限流电阻R7连接MOS管Q2的基极，三极管Q2的集电极通过电阻R3连接着MOS管Q3的G极。

【技术特征摘要】
1.一种上电保护电路，其特征在于：其包括主控芯片IC2、连接在主控芯片IC2上的上电检测电路、上电启动电路和开关电路，所述上电检测电路由电阻R1、电阻R2、电容C1和MOS管Q1构成，所述上电启动电路由电源开关S1、二极管D1、电阻R3、电阻R4和电容C2构成，所述开关电路由MOS管Q3和三极管Q2构成，所述电阻R1、电阻R2和电容C1串联接到VCC和地之间，MOS管Q1的G极接在电阻R1上，MOS管Q1的D极接至单片机IC2的1脚；所述二极管D1、电阻R3...

【专利技术属性】
技术研发人员：何淦，张鹏，施丹锋，
申请(专利权)人：浙江朗科智能电气有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33