一种硅片清洗用花篮制造技术

技术编号:14670894 阅读:172 留言:0更新日期:2017-02-18 01:48
本实用新型专利技术属于半导体领域,涉及硅片制作工艺中的一种工具,具体涉及一种硅片清洗用花篮,包括框架,所述的框架为上下贯通的四边形结构,框架的两个长边为中间高两边低的倒V型结构,两个长边内壁对称开设有若干组插槽。本实用新型专利技术所具有的有益效果是:(1)框架采用中间高两边低的倒V型结构,使得相邻的两个插槽之间具有高度差,就可以利用这一高度差便于取放硅片,不至于碰触到相邻的硅片,以减少硅片破损现象的发生。(2)只对结构布局做优化调整,不增加任何成本,采用特氟纶材料制作,价格低廉,便于市场化推广。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体领域,涉及硅片制作工艺中的一种工具,具体涉及一种硅片清洗用花篮
技术介绍
在半导体器件生产中,大约有20%的工序与硅片清洗有关。硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后,表面已经受到严重的污染,清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。目前硅片清洗主要是以化学清洗为主,化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,或伴以超声、加热、抽真空等物理措施,使杂质从被清除物体的表面脱附,然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。化学清洗又可以分为湿法化学清洗和干法化学清洗,其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位。在湿法化学清洗中,需要采用清洗花篮来盛放硅片,再将清洗花篮放入清洗液中。现有的清洗花篮为插槽型结构,即清洗花篮均匀开设多个插槽,每个插槽内插入一个硅片,由于各个插槽间水平高度一致且相邻插槽间距离短,所以在插入及取出硅片的过程中就会带来不便,很容易出现硅片碎裂的情况。
技术实现思路
根据以上现有技术的不足,本技术提供一种硅片清洗用花篮,通过对花篮整体的结构布局做重新规划设计,使其具有便于取放硅片的特点,降低破损率。本技术所述的一种硅片清洗用花篮,其特征在于:包括框架,所述的框架为上下贯通的四边形结构,框架的两个长边为中间高两边低的倒V型结构,两个长边内壁对称开设有若干组插槽。其中,优选方案如下:所述的框架采用特氟纶材料制作。特氟纶材料耐腐蚀、化学稳定性好、使用寿命长,且价格低廉。所述的插槽设有25组。25组的设计方案符合目前常规的设计要求,与目前的硅片清洗花篮组数相同。当设计成25组时,即中间最高位置处的插槽的两边各有12组插槽。框架的两个短边顶部可以向外设有凸出沿,也可以顶部设有提手。不管是凸出沿还是提手,都是为了便于对花篮的提放。本技术所具有的有益效果是:(1)框架采用中间高两边低的倒V型结构,使得相邻的两个插槽之间具有高度差,就可以利用这一高度差便于取放硅片,不至于碰触到相邻的硅片,以减少硅片破损现象的发生。(2)只对结构布局做优化调整,不增加任何成本,采用特氟纶材料制作,价格低廉,便于市场化推广。附图说明图1为本技术的结构示意图;图2为图1中框架长边的结构示意图;图中:1、框架2、插槽3、凸出沿。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术做进一步描述。实施例1:如图1和图2所示,一种硅片清洗用花篮,包括框架1,所述的框架1为上下贯通的四边形结构,框架1的两个长边为中间高两边低的倒V型结构,两个长边内壁对称开设有若干组插槽2。所述的框架1采用特氟纶材料制作。特氟纶材料耐腐蚀、化学稳定性好、使用寿命长,且价格低廉。所述的插槽2设有25组。25组的设计方案符合目前常规的设计要求,与目前的硅片清洗花篮组数相同。当设计成25组时,即中间最高位置处的插槽2的两边各有12组插槽2。框架1的两个短边顶部向外设有凸出沿3,便于对花篮的提放。本花篮的框架1采用中间高两边低的倒V型结构,使得相邻的两个插槽2之间具有高度差,就可以利用这一高度差便于取放硅片,不至于碰触到相邻的硅片,以减少硅片破损现象的发生。另外,只对结构布局做优化调整,不增加任何成本,采用特氟纶材料制作,价格低廉,便于市场化推广。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片清洗用花篮,其特征在于:包括框架,所述的框架为上下贯通的四边形结构,框架的两个长边为中间高两边低的倒V型结构,两个长边内壁对称开设有若干组插槽。

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗用花篮,其特征在于:包括框架,所述的框架为上下贯通
的四边形结构,框架的两个长边为中间高两边低的倒V型结构,两个长边内壁
对称开设有若干组插槽。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗用花篮,其特征在于:所述的框架
采用特氟纶材料制作。
3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐海涛
申请(专利权)人:青岛金汇源电子有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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