栽培方法技术

本发明专利技术涉及一种栽培方法，包括如下步骤：制备培养基；将香菇菌种接种至所述培养基中，并进行初级培养操作，其中，所述初级培养操作的条件：温度为21℃～22℃，湿度为62％RH～65％RH，光照强度为6lux～8lux，CO2浓度为4500ppm～5000ppm；对香菇菌种进行扩大培养操作，其中，所述扩大培养操作的条件：温度为22℃～25℃，湿度为60％RH～67％RH，光照强度为8lux～9lux，CO2浓度为5000ppm～55000ppm，能够缩短香菇生长周期且提高出菇齐整程度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及食用菌种植
，特别是涉及栽培方法。
技术介绍
香菇，又名花菇、香蕈、香信、香菌、冬菇、香菰，为侧耳科植物香蕈的子实体。由于它味道较香，香气宜人，营养丰富，不但位列草菇、平菇、白蘑菇之上，而且素有“真菌皇后”之誉。香菇的栽培方法有段木栽培和代料栽培两种。段木栽培需要大量木材，仅适于在林区发展，而代料栽培生产周期短，生物学效率也高，而且可以利用各种农业废弃物，能够在城乡广泛发展。然而，目前的香菇种植中，生长周期较长，香菇出菇不齐整，不利于规模化生产和管理。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够缩短香菇生长周期且提高出菇齐整程度的栽培方法。一种栽培方法，包括如下步骤：制备培养基；将香菇菌种接种至所述培养基中，并进行初级培养操作，其中，所述初级培养操作的条件：温度为21℃～22℃，湿度为62％RH～65％RH，光照强度为6lux～8lux，CO2浓度为4500ppm～5000ppm；对香菇菌种进行扩大培养操作，其中，所述扩大培养操作的条件：温度为22℃～25℃，湿度为60％RH～67％RH，光照强度为8lux～9lux，CO2浓度为5000ppm～55000ppm；对香菇菌种进行害虫灭杀处理。在其中一个实施例中，采用螨类害虫杀虫剂对香菇菌种进行害虫灭杀处理。在其中一个实施例中，利用螨类害虫杀虫剂且采用熏杀的方式进行害虫灭杀处理。在其中一个实施例中，利用螨类害虫杀虫剂且采用喷淋的方式进行害虫灭杀处理。在其中一个实施例中，所述螨类害虫杀虫剂包括如下质量份的各组分：25％的菊乐合酯1份～1.5份和水2000份～2500份。上述栽培方法通过如下步骤：制备培养基；将香菇菌种接种至所述培养基中，并进行初级培养操作，其中，所述初级培养操作的条件：温度为21℃～22℃，湿度为62％RH～65％RH，光照强度为6lux～8lux，CO2浓度为4500ppm～5000ppm；对香菇菌种进行扩大培养操作，其中，所述扩大培养操作的条件：温度为22℃～25℃，湿度为60％RH～67％RH，光照强度为8lux～9lux，CO2浓度为5000ppm～55000ppm；对香菇菌种进行害虫灭杀处理，能够缩短香菇生长周期且提高出菇齐整程度。附图说明图1为一实施方式的栽培方法的步骤流程图；图2为一实施方式的栽培方法的步骤流程图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。例如，请参阅图1，本专利技术一实施方式的栽培方法，包括如下步骤：制备培养基；将香菇菌种接种至所述培养基中，并进行初级培养操作，其中，所述初级培养操作的条件：温度为21℃～22℃，湿度为62％RH～65％RH，光照强度为6lux～8lux，CO2浓度为4500ppm～5000ppm；对香菇菌种进行扩大培养操作，其中，所述扩大培养操作的条件：温度为22℃～25℃，湿度为60％RH～67％RH，光照强度为8lux～9lux，CO2浓度为5000ppm～55000ppm；对香菇菌种进行害虫灭杀处理。例如，又一实施方式的栽培方法，包括如下步骤：制备培养基；对香菇菌种进行活化处理；将香菇菌种接种至所述培养基中，并进行初级培养操作，其中，所述初级培养操作的条件：温度为21℃～22℃，湿度为62％RH～65％RH，光照强度为6lux～8lux，CO2浓度为4500ppm～5000ppm；对香菇菌种进行扩大培养操作，其中，所述扩大培养操作的条件：温度为22℃～25℃，湿度为60％RH～67％RH，光照强度为8lux～9lux，CO2浓度为5000ppm～55000ppm；向香菇菌种喷洒香菇催菇液；对香菇菌种进行害虫灭杀处理。其中，所述培养基的制备方法如下步骤：收集培养原料；对所述培养原料进行粉碎操作；对所述培养原料进行封焖操作；将所述培养原料放入挤出机，并进行挤出操作，得到条状的培养粒；收集废弃朽木，在废弃朽木上进行打孔操作，形成种植孔；将培养粒置入所述种植孔内，形成所述培养基；向所述培养基喷洒水雾后，进行静置；对所述培养基进行杀菌处理。为了进一步说明上述栽培方法，例如，请参阅图2，本专利技术一实施方式的栽培方法，包括如下步骤：S110：制备培养基。可以理解，所述培养基对于香菇的后续种植或栽培尤为重要，为了缩短香菇的生长周期且使得香菇出菇较为齐整，因此，有必要提供一种培养基的制备方法。例如，一实施方式的所述培养基的制备方法，包括如下步骤：S111：收集培养原料。为了缩短香菇的生长周期，培养原料的组成对缩短香菇的生长周期是非常重要的，通过配置培养原料，来调节香菇生长过程中的营养成分，来达到缩短香菇的生长周期。可以理解，所述培养原料的种类和组成对于后续缩短香菇的生长周期和提高出菇齐整程度至关重要，为了提高所述培养原料的品质，例如，所述培养原料为复合培养原料；又如，通过采用复合培养原料进行后续处理，用于缩短香菇的生长周期和提高出菇齐整程度，所述复合培养原料包括第一培养原料、第二培养原料和第三培养原料，将所述第一培养原料、所述第二培养原料和所述第三培养原料进行复配后即可得到所述复合培养原料。尤其需要说明的是，所述培养原料不局限于采用复合培养原料，当然，所述培养原料还可以单纯地采用将所述第一培养原料、所述第二培养原料或所述第三培养原料作为后续操作的培养原料。为了较好的缩短香菇的生长周期，例如，所述第一培养原料含有如下组分：棉籽壳、木屑、谷壳、花生壳、绿豆壳、黄豆壳、玉米穗轴、精氨酸、赖氨酸、亮氨酸、缬氨酸、红糖和水。通过以传统棉籽壳、木屑为主要原料，能够较好地保持香菇的品质，在传统原料基础上加入谷壳，能够使得香菇的柄大菇肥，提升香菇的单位面积产量。而通过加入花生壳、绿豆壳、黄豆壳，当与棉籽壳、木屑、谷壳一起搭配时，营养更为均衡，能够降低香菇的坏死率，对香菇生长的平整性也有益。而通过加入玉米穗轴，能够降低香菇种植的成本，且香菇菌丝的生长速度得到加快。通过加入精氨酸，能够使得香菇前期菌丝茂盛，细胞分裂活性高，尤其是与亮氨酸、缬氨酸使用时，能够使得生长更为平整，且成熟后的香菇保鲜期长，便于后续的统一分批次采摘，降低人力成本。加入上述组分的所述第一培养原料，能够较好地保持香菇的品质，能够使得香菇的柄大菇肥，提升香菇的单位面积产量，能够使得营养更为均衡，能够降低香菇的坏死率，对香菇生长的平整性也有益，能够使得香菇前期菌丝茂盛，细胞分裂活性高，使得生长更为平整，且成熟后的香菇保鲜期长，便于后续的统一分批次采摘，降低人力成本。为了进一步的使香菇的营养更为均衡，缩短香菇的生长周期，例如，所述第一培养原料包括如下质量份的各组分：棉籽壳12份～16份、木屑32份～45份、谷壳9份～13份、花生壳7份～11份、绿豆壳4份～9份、黄豆壳7份～10份、玉米穗轴9份～13份、精氨酸0.3份～0.7份、赖氨酸0.25份～0.42份、亮氨酸0.31份～0.68份、缬氨酸0.24份～0.41份、红糖2份～5份和水85份～100份，通过加入含有上述质量份的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：制备培养基；将香菇菌种接种至所述培养基中，并进行初级培养操作，其中，所述初级培养操作的条件：温度为21℃～22℃，湿度为62％RH～65％RH，光照强度为6lux～8lux，CO2浓度为4500ppm～5000ppm；对香菇菌种进行扩大培养操作，其中，所述扩大培养操作的条件：温度为22℃～25℃，湿度为60％RH～67％RH，光照强度为8lux～9lux，CO2浓度为5000ppm～55000ppm；对香菇菌种进行害虫灭杀处理。

【技术特征摘要】
1.一种栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：制备培养基；将香菇菌种接种至所述培养基中，并进行初级培养操作，其中，所述初级培养操作的条件：温度为21℃～22℃，湿度为62％RH～65％RH，光照强度为6lux～8lux，CO2浓度为4500ppm～5000ppm；对香菇菌种进行扩大培养操作，其中，所述扩大培养操作的条件：温度为22℃～25℃，湿度为60％RH～67％RH，光照强度为8lux～9lux，CO2浓度为5000ppm～55000ppm；对香菇...

【专利技术属性】
技术研发人员：程保星，
申请(专利权)人：惠州市嘉程驾校有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44