本发明专利技术公开了一种TDR触摸屏制作方法,包括:S1、提供衬底;S2、在覆盖了隔离层的衬底表面沉积ITO薄膜;S3、在ITO薄膜上涂覆光刻胶层;S4、将TDR触摸屏掩模板放置在涂覆光刻胶层的ITO薄膜上,使用紫外线照射光刻胶表面以对光刻胶进行部分曝光;其中,TDR触摸屏掩模板上设有若干条平行且相互独立分布的导线图形;S5、将TDR触摸屏掩模板移走,并利用显影液处理曝光后的光刻胶表面;S6、使用蚀刻液将未曝光部分的光刻胶层覆盖外的全部ITO薄膜腐蚀掉;S7、使用脱膜液将腐蚀后的ITO薄膜上的全部光刻胶剥离,从而形成若干条平行且相互独立分布的ITO导线;S8、在ITO导线表面覆盖绝缘层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及触摸屏领域,尤其涉及一种基于时域反射测量(TDR)的扫描式触摸屏制作方法。
技术介绍
现有的触摸屏主要有电阻式触摸屏、电容式触摸屏、红外触摸屏。电阻式触摸屏主要应用于低端产品,通常只有单点触摸功能。电容式触摸屏广泛应用于各种电子产品,但应用在超大尺寸产品上时存在制造工艺复杂,成本较高等问题,所以大尺寸产品通常使用红外触摸屏。红外触摸屏需要在屏周围排布红外发射管和红外接收管,导致体积和厚度较大,堆积灰尘后还会引起触摸感应异常。可见,无论是电阻式触摸屏、电容式触摸屏还是红外触摸屏,由于其结构复杂导致制造工艺繁琐,而且结构复杂导致整个触摸屏的厚度较大,无法满足用户对超薄型的触控液晶显示屏的需求。另外,对于触控液晶显示屏,无论是采用电阻式触摸屏、电容式触摸屏还是红外触摸屏,通常是将电阻式触摸屏、电容式触摸屏或红外触摸屏单独制作成型后再与液晶屏对齐贴合构成。这样,不但制造工艺繁琐,而且通过触摸屏和液晶屏两个屏构成的触控液晶显示屏厚度较大,无法满足用户对超薄型的触控液晶显示屏的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TDR触摸屏制作方法,制造工艺简单,能够满足用户对超薄型的触控液晶显示屏的需求。为了实现上述目的,本专利技术提供一种TDR触摸屏制作方法,包括:提供一衬底;提供一导线层,所述导线层设于所述衬底上,所述导线层包括若干条平行且相互独立分布的导线;提供一绝缘层,所述绝缘层设于所述导线层上。与现有技术相比,本专利技术提供的TDR触摸屏制作方法,通过在衬底上形成导线层和绝缘层,结构简单,能够有效减少触摸屏的厚度,制造工艺简单,同时具有厚度超薄、质量轻的优点,可以应用于大尺寸的液晶屏和超薄型产品的触摸控制。进一步地,还包括:提供一隔离层,所述隔离层设于所述衬底与所述导线层之间;其中,所述衬底为PET膜,所隔离层为二氧化硅层。进一步地,每一所述导线为透明导线;或每一所述导线为直导线。本专利技术另一方面提供了一种TDR触摸屏制作方法,包括步骤:S1、提供衬底,并在衬底上覆盖隔离层;S2、沉积ITO:在覆盖了隔离层的所述衬底表面沉积ITO薄膜;S3、涂光刻胶:在所述ITO薄膜上涂覆光刻胶层;S4、曝光:将预先制作好的TDR触摸屏掩模板放置在涂覆光刻胶层的所述ITO薄膜上,然后使用紫外线照射光刻胶表面以对光刻胶进行部分曝光;其中,所述TDR触摸屏掩模板上设有若干条平行且相互独立分布的导线图形;S5、显影:将所述TDR触摸屏掩模板从所述ITO薄膜上移走,并利用显影液处理曝光后的光刻胶表面,以溶解受紫外线照射部分的光刻胶溶,保留未曝光部分的光刻胶层;S6、刻蚀:使用蚀刻液将未曝光部分的光刻胶层覆盖外的全部ITO薄膜腐蚀掉;S7、去膜:使用脱膜液将腐蚀后的ITO薄膜上的全部光刻胶剥离,从而使液晶屏表面上形成若干条平行且相互独立分布的ITO导线;S8、涂绝缘层:在所述ITO导线表面覆盖绝缘层。作为上述方案的改进,所述蚀刻液为酸液,所述脱膜液为高浓度的碱液;所述绝缘层为二氧化硅膜或PET膜。与现有技术相比,本专利技术提供的TDR触摸屏制作方法,通过沉积ITO、涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀、去膜以及涂绝缘层多个工艺在衬底上形成导线层和绝缘层,制造工艺简单,能够有效减少触摸屏的厚度,同时具有厚度超薄、质量轻的优点,可以应用于大尺寸的液晶屏和超薄型产品的触摸控制。本专利技术还提供了一种TDR触摸屏制作方法,包括:提供一导线层,所述导线层形成在液晶屏上,所述导线层包括若干条平行且相互独立分布的导线;提供一绝缘层,所述绝缘层形成在所述导线层上。与现有技术相比,本专利技术提供的TDR触摸屏制作方法,通过直接在液晶屏上形成导线层和绝缘层而制成,与液晶屏一体成型,能够有效减少触摸屏的厚度,制造工艺简单,同时具有厚度超薄、质量轻的优点,可以应用于大尺寸的液晶屏和超薄型产品的触摸控制。进一步地,每一所述导线通过镀膜的形式直接形成在液晶屏上。进一步地,每一所述导线为透明导线;或每一所述导线为直导线。本专利技术另一方面提供了一种TDR触摸屏制作方法,包括步骤:S1、沉积ITO:直接在液晶屏表面沉积ITO薄膜;S2、涂光刻胶:在所述ITO薄膜上涂覆光刻胶层;S3、曝光:将预先制作好的TDR触摸屏掩模板放置在涂覆光刻胶层的所述ITO薄膜上,然后使用紫外线照射光刻胶表面以对光刻胶进行部分曝光;其中,所述TDR触摸屏掩模板上设有若干条平行且相互独立分布的导线图形;S4、显影:将所述TDR触摸屏掩模板从所述ITO薄膜上移走,并利用显影液处理曝光后的光刻胶表面,以溶解受紫外线照射部分的光刻胶溶,保留未曝光部分的光刻胶层;S5、刻蚀:使用蚀刻液将未曝光部分的光刻胶层覆盖外的全部ITO薄膜腐蚀掉;S6、去膜:使用脱膜液将腐蚀后的ITO薄膜上的全部光刻胶剥离,从而使液晶屏表面上形成若干条平行且相互独立分布的ITO导线;S7、涂绝缘层:在所述ITO导线表面覆盖绝缘层。作为上述方案的改进,所述蚀刻液为酸液,所述脱膜液为高浓度的碱液;所述绝缘层为二氧化硅膜或PET膜。与现有技术相比,本专利技术提供的TDR触摸屏制作方法,通过沉积ITO、涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀、去膜以及涂绝缘层多个工艺直接在液晶屏上形成导线层和绝缘层而制成,与液晶屏一体成型,能够有效减少触摸屏的厚度,制造工艺简单,同时具有厚度超薄、质量轻的优点,可以应用于大尺寸的液晶屏和超薄型产品的触摸控制。附图说明图1是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例的触摸屏结构示意图。图2a是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例的触摸屏的横截面结构示意图。图2b是本专利技术提供的TDR触摸屏的另一个优选实施例的触摸屏的横截面结构示意图。图2c是本专利技术提供的TDR触摸屏的另一个优选实施例的触摸屏的横截面结构示意图。图3是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例的电路连接框图。图4是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例的导线阻抗等效模型图。图5是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例中触摸物与触摸屏接触的示意图。图6是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例的设于触摸屏的导线无触摸点的阻抗——时序曲线图。图7是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例设于触摸屏的导线有触摸点8A时的阻抗——时序曲线图。图8是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例的设于触摸屏的导线有触摸点8B时的阻抗——时序曲线图。图9是本专利技术提供的TDR触摸屏的一个优选实施例设于触摸屏的导线的输入端的注入信号波形曲线图。图10是本专利技术提供的一种TDR触摸屏制作方法的一个优选实施例的流程图。图11是本专利技术提供的一种TDR触摸屏制作方法的一个具体实施例的流程图。图12a~12h对应显示了图11中TDR触摸屏制作方法的各个流程步骤。图13是本专利技术提供的一种TDR触摸屏制作方法的一个优选实施例的流程图。图14是本专利技术提供的一种TDR触摸屏制作方法的一个具体实施例的流程图。图15a~15g对应显示了图14中TDR触摸屏制作方法的各个流程步骤。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种TDR触摸屏制作方法,其特征在于,包括:提供一衬底;提供一导线层,所述导线层设于所述衬底上,所述导线层包括若干条平行且相互独立分布的导线;提供一绝缘层,所述绝缘层设于所述导线层上。
【技术特征摘要】
1.一种TDR触摸屏制作方法,其特征在于,包括:提供一衬底;提供一导线层,所述导线层设于所述衬底上,所述导线层包括若干条平行且相互独立分布的导线;提供一绝缘层,所述绝缘层设于所述导线层上。2.根据权利要求1所述的TDR触摸屏制作方法,其特征在于,还包括:提供一隔离层,所述隔离层设于所述衬底与所述导线层之间;其中,所述衬底为PET膜,所隔离层为二氧化硅层。3.根据权利要求1所述的TDR触摸屏制作方法,其特征在于,每一所述导线为透明导线;或每一所述导线为直导线。4.一种TDR触摸屏制作方法,其特征在于,包括步骤:S1、提供衬底,并在衬底上覆盖隔离层;S2、沉积ITO:在覆盖了隔离层的所述衬底表面沉积ITO薄膜;S3、涂光刻胶:在所述ITO薄膜上涂覆光刻胶层;S4、曝光:将预先制作好的TDR触摸屏掩模板放置在涂覆光刻胶层的所述ITO薄膜上,然后使用紫外线照射光刻胶表面以对光刻胶进行部分曝光;其中,所述TDR触摸屏掩模板上设有若干条平行且相互独立分布的导线图形;S5、显影:将所述TDR触摸屏掩模板从所述ITO薄膜上移走,并利用显影液处理曝光后的光刻胶表面,以溶解受紫外线照射部分的光刻胶溶,保留未曝光部分的光刻胶层;S6、刻蚀:使用蚀刻液将未曝光部分的光刻胶层覆盖外的全部ITO薄膜腐蚀掉;S7、去膜:使用脱膜液将腐蚀后的ITO薄膜上的全部光刻胶剥离,从而使衬底表面上形成若干条平行且相互独立分布的ITO导线;S8、涂绝缘层:在所述ITO导线表面覆盖绝缘层。5.根据权利要求4所述的TDR触摸屏制作方法,其特征在于,所述蚀刻液为酸液...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘贵翔,
申请(专利权)人:广州视源电子科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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