显示面板的制造方法及显示面板技术

本发明专利技术公开一种显示面板的制作方法及显示面板。所述制造方法包括在所述显示面板上设置多个像素单元和与所述多个像素单元对应的公共电极，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素；将与所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压电极分成至少两块公共电压分区；所述至少两块公共电压分区用于调整所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压值，使得所述第一子像素的公共电压值、所述第二子像素的公共电压值及所述第三子像素的公共电压值一致，以此使得第一至第三子像素的公共电压值一致，进而降低色偏发生的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示面板的制造方法及显示面板。
技术介绍
品质优良的TFT-LCD液晶显示面板应该具备呈现均一逼真画面的能力，色偏现象是影响面板显示品质的一个重大因素，导致色偏的发生有多方面的原因，比如CF基板侧光阻材料厚度在面板内均一性差、cell侧面内液晶的cellgap高度均一性差、上下偏光片本身的缺陷和TFT侧TFT性能的差异等，这些因素都有可能导致色偏，就TFT侧而言，导致色偏的一个比较常见的因素就是RGB三种像素对应的BestVcom均一性差，三种像素对应的BestVcom存在差异，而一般的面板设计中，我们只设计单个CF_COM，也就是说RGB三种像素共用一个公共电压(如图1及图2所示)，因而当RGB像素的BestVcom存在差异时，在同一公共电压下，三种像素所呈现的亮度便会发生偏移，不能较好的匹配，从而导致色偏。
技术实现思路
专利技术主要解决的技术问题是提供一种显示面板的制造方法及显示面板，实现对公共电压的分别调节，降低色偏发生的风险。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括：在所述显示面板上设置多个像素单元和与所述多个像素单元对应的公共电极，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素；将与所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压电极分成至少两块公共电压分区；及所述至少两块公共电压分区用于调整所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压值，使得所述第一子像素的公共电压值、所述第二子像素的公共电压值及所述第三子像素的公共电压值一致。其中，所述公共电压电极通过激光切割分成所述至少两块公共电压分区，且与扫描线侧边缘平行。其中，“将与所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压电极分成至少两块公共电压分区”的步骤包括：提供一基板；在所述基板上第一次涂布透明导电膜；在所述透明导电膜上涂布第一子像素光阻；对所述基板进行处理后获得对应所述第一子像素的公共电压分区；在所述基板上第二次涂布透明导电膜；在所述透明导电膜上涂布第二子像素光阻；对所述基板进行处理后获得对应所述第二子像素的公共电压分区；在所述基板上第三次涂布透明导电膜；在所述透明导电膜上涂布第三子像素光阻；及对所述基板进行处理后获得对应所述第三子像素的公共电压分区。其中，“对所述基板进行处理”的步骤包括：对所述基板进行曝光；对曝光后的所述基板进行显影；及对显影后的所述基板进行蚀刻。其中，“将与所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压电极分成至少两块公共电压分区”的步骤之后还包括：在显示屏外围将对应所述第一子像素的公共电压分区、对应所述第二子像素的公共电压分区及对应所述第三子像素的公共电压分区中的任意两个公共电压分区通过短路方式连接在一起。其中，将对应所述第一子像素的公共电压分区与对应所述第二子像素的公共电压分区连接在一起。其中，将对应所述第一子像素的公共电压分区与对应所述第三子像素的公共电压分区连接在一起。其中，将对应所述第二子像素的公共电压分区与对应所述第三子像素的公共电压分区连接在一起。其中，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素，所述基板为彩膜基板。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，所述显示面板根据如所述的显示面板的制造方法制成。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术的显示面板的制作方法及显示面板通过将显示面板中的公共电压电极层分割成至少两个公共电压分区，以使得当分割成两个公共电压分区时，将其中任意两个子像素对应的公共电压分区相连接即可，当分割成三个公共电压分区时，使得所述第一至第三子像素分别单独对应一个公共电压分区，进而可以对第一至第三子像素的各自公共电压进行调节，使得第一至第三子像素的公共电压值一致，进而降低色偏发生的风险。附图说明图1是现有技术显示面板的结构示意图；图2是现有技术显示面板的公共电极的结构示意图；图3是本专利技术显示面板的制作方法的第一实施例的流程图；图4是图3的显示面板的公共电压分区的结构示意图；图5是本专利技术显示面板的制作方法的第二实施例的流程图；图6是本专利技术显示面板的制作方法的工艺流程图；图7是图5及图6的显示面板的公共电压分区的结构示意图；图8是本专利技术显示面板制作方法的第三实施例的流程图；图9是图8的显示面板的公共电压分区的结构示意图。具体实施方式请参阅图3，是本专利技术的显示面板的制作方法的第一实施例的流程图。所述制作方法包括以下步骤：步骤S1：提供一基板10。需要说明的是，如图4所示，所述显示面板1上设置多个像素单元和与所述多个像素单元对应的公共电极，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素。在本实施例中，所述第一至第三子像素分别为红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素。本专利技术实施例所述的基板10可以为玻璃基板、塑料基板、石英基板等各种适用于制作阵列基板和彩膜基板的材料。其中，所述基板10为完成制作的基板，具体地，所述完成制作的基板具体为：在所述基板10的显示区域12形成有薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)阵列和电极结构；或者在所述基板10的显示区域12形成有彩色树脂结构。所述形成有薄膜晶体管阵列和电极结构是针对阵列基板的制作而言的，即在制作阵列基板的基板上形成薄膜晶体管阵列和电极等结构；所述形成有彩色树脂结构是针对彩膜(CF，ColorFilter)基板的制作而言的，即在制作彩膜基板的基板上形成彩色树脂和黑矩阵等结构；所述完成制作的基板还可以是彩膜集成于阵列基板，即在制作阵列基板的基板上形成薄膜晶体管阵列和电极等结构，且将制作彩膜的彩色树脂和黑矩阵等结构集成于所述阵列基板。总之，本专利技术实施例所述完成制作的基板是指已完成在制作配向膜前的各种必要工序的基板。已完成制作的阵列基板上应已完成栅极、漏极、像素电极、公共电极布线、以及绝缘保护层的制作。另外，已完成制作的ADS模式阵列基板需两层透明电极层，一层为像素电极，一层为公共电极；已完成制作的IPS模式阵列基板只需一层透明电极层作为像素电极层。与现有技术相同，此处不再赘述。已完成制作的彩膜基板上应已完成色阻层(ColorResin)、黑矩阵层(BlackMatrix)、保护层(OverCoat层)和隔垫物(PhotoSpacer)、公共电极层(TN、VA等垂直电场模式需要)的制作，与现有技术相同，此处不再赘述。已完成制作的ColorFilteronArray基板：其阵列基板除包括极、漏极、像素电极、公共电极、绝缘保护层，还包括色阻层(ColorResin)、黑矩阵层(BlackMatrix)，彩膜基板上只包含保护层(OverCoat层)和隔垫物(PhotoSpacer)、公共电极层(TN、VA等垂直电场模式需要)。在本实施例中，所述基本优选为彩膜基板。步骤S2：在所述基板10涂布公共电压电极层。其中，在完成制作的基板10上涂布公共电压电极层，采用本领域常用的方式，在此不再赘述。步骤S3：通过激光将所述公共电压电极层切割分成所述至少两块公共电压分区，且与扫描线侧边缘平行。其中，所述至少两块公共电压分区用于调整所述第一子像素、第二子像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在所述显示面板上设置多个像素单元和与所述多个像素单元对应的公共电极，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素；将与所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压电极分成至少两块公共电压分区；及所述至少两块公共电压分区用于调整所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压值，使得所述第一子像素的公共电压值、所述第二子像素的公共电压值及所述第三子像素的公共电压值一致。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在所述显示面板上设置多个像素单元和与所述多个像素单元对应的公共电极，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素；将与所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压电极分成至少两块公共电压分区；及所述至少两块公共电压分区用于调整所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压值，使得所述第一子像素的公共电压值、所述第二子像素的公共电压值及所述第三子像素的公共电压值一致。2.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述公共电压电极通过激光切割分成所述至少两块公共电压分区，且与扫描线侧边缘平行。3.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，“将与所述第一子像素、第二子像素及第三子像素对应的公共电压电极分成至少两块公共电压分区”的步骤包括：提供一基板；在所述基板上第一次涂布透明导电膜；在所述透明导电膜上涂布第一子像素光阻；对所述基板进行处理后获得对应所述第一子像素的公共电压分区；在所述基板上第二次涂布透明导电膜；在所述透明导电膜上涂布第二子像素光阻；对所述基板进行处理后获得对应所述第二子像素的公共电压分区；在所述基板上第三次涂布透明导电膜；在所述透明导电膜上涂布第三子像素光阻；及对所述基板进行处理后获得对应所述第三子像素的公共电压分区。...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹勇明，董成才，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44