【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及电流采样保持
,具体涉及一种电流采样保持电路及信号采集系统。
技术介绍
参见图1,在信号采集系统中,电流型传感器11输出电流的交流部分,因此通常会加入抵消电路12来获取并抵消电流型传感器11所输出电流的直流成分。但是,抵消电路12的有限建立时间会影响到后续电路的等待时间,从而降低整个采集系统的效率。但是,在采样阶段,当第一使能信号sh为高,第一开关S1闭合,此时第一P型MOS管M1的栅极、漏极短接,因此所述第一P型MOS管M1等效为一个阻值为1/gm1的电阻,gm1为所述第一P型MOS管M1的跨导。所述等效电阻与第一电容C1、电流型传感器电容C0形成的时间常数为τ1=(C0+C1)/gm1(公式1)。因此,在第一P型MOS管M1的跨导gm1很小、电流型传感器电容C0很大的情况下,该时间常数τ1将会非常大,从而使得该抵消电路12的建立速度变得缓慢。并且,为了加快抵消电路12的建立速度,通常的做法是增加偏置电流源I1,以使得流过所述第一P型MOS管M1的直流电流增加,从而增加所述第一P型MOS管M1的跨导gm1,最终使得时间常数τ1减小,以加快抵消电路12的建立速度。但是增加的偏置电流又会引入大量的电流噪声,从而影响了信号采集系统的信噪比。因此,如何更好的实现电流采样保持,成为现有技术中亟需解决的技术问题。
技术实现思路
鉴于上述问题,本申请提供一种电流采样保持电路及信号采集系统,其全部或者部分地解决上述技术问题。根据本申请的第一个方面,提供了一种电流采样保持电路,所述电流采样保持电路包括:抵消电路,串接在VDD端与电流型传感器之间,根据第一使能 ...
【技术保护点】
一种电流采样保持电路,其特征在于,所述电流采样保持电路包括:抵消电路,串接在VDD端与电流型传感器之间,根据第一使能信号接通,输出电流抵消所述电流型传感器中的直流电流成份;镜像电路,与串接的所述抵消电路及电流型传感器并联连接在所述VDD端与地电压之间,根据与所述第一使能信号相反的第二使能信号接通,利用所述分流电流的镜像电流以及所述电流型传感器的输出电流所获得的电流差进行电流传递。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电流采样保持电路,其特征在于,所述电流采样保持电路包括:抵消电路,串接在VDD端与电流型传感器之间,根据第一使能信号接通,输出电流抵消所述电流型传感器中的直流电流成份;镜像电路,与串接的所述抵消电路及电流型传感器并联连接在所述VDD端与地电压之间,根据与所述第一使能信号相反的第二使能信号接通,利用所述分流电流的镜像电流以及所述电流型传感器的输出电流所获得的电流差进行电流传递。2.如权利要求1所述的电流采样保持电路,其特征在于,包括第二开关(S2),所述第二开关(S2)一端连接所述抵消电路,另一端连接所述电流型传感器,根据所述第一使能信号闭合,接通所述抵消电路,否则,断开所述抵消电路。3.如权利要求2所述的电流采样保持电路,其特征在于,包括第三开关(S3),所述第三开关(S3)一端分别连接所述电流型传感器和所述第二开关(S2),另一端连接所述镜像电路,根据所述第二使能信号闭合,接通所述镜像电路,否则,断开所述镜像电路。4.如权利要求5所述的电流采样保持电路,其特征在于,所述镜像电路包括第一电流镜电路、第二电流镜电路、第三电流镜电路以及第四电流镜电路,所述第一电流镜电路与所述第二电流镜电路串联连接在所述VDD端与地电压之间,所述第三电流镜电路的一端连接所述第一电流镜电路,另一端连接所述地电压,所述第四电流镜电路的一端连接所述VDD端,另一端连接所述第二电流镜电路。5.如权利要求4所述的电流采样保持电路,其特征在于,所述镜像电路包括:第四P型MOS管(M4)、第五P型MOS管(M5)、第六N型MOS管(M6)、第七N型MOS管(M7)、第八N型MOS管(M8)、第九N型MOS管(M9)、第十P型MOS管(M10)、第十一P型MOS管(M11),所述第四P型MOS管(M4)的源极接所述VDD端,栅极分别接所述镜像电路和漏极,漏极分别接所述第六N型MOS管(M6)的漏极和栅极,所述第六N型MOS管(M6)的栅极还接所述镜像电路,源极接所述地电压,所述第五P型MOS管(M5)的源极接所述VDD端,栅极分别接所述第四P型MOS管(M4)的栅极和漏极,漏极分别接所述第八N型MOS管(M8)的漏极和所述第三开关(S3)的一端,所述第五P型MOS管(M5)镜像所述第四P型MOS管(M4),所述第七N型MOS管(M7)的源极接所述地电压,栅极分别接所述第六N型MOS管(M6)的漏极和栅极,漏极分别接所述第十一P型MOS管(M11)的漏极和电流输出端,所述第七N型MOS管(M7)镜像所述第六N型MOS管(M6),所述第八N型MOS管(M8)的源极接所述地电压,栅极接所述第九N型MOS管(M9)的栅极,所述第九N型MOS管(M9)的源极接所述地电压,漏极分别接所述第十P型MOS管(M10)的漏极和栅极,所述第九N型MOS管(M9)镜像所述第八N型MOS管(M8),所述第十P型MOS管(M10)的源极接所述VDD端,栅极接所述第十一P型MOS管(M11)的栅极,所述第十一P型MOS管(M11)的源极接所述VDD端,所述第十一P型MOS管(M11)镜像所述第十P型MOS管(M10)。6.一种具有电流采样保持电路的信号采集系统,...
【专利技术属性】
技术研发人员:张孟文,
申请(专利权)人:深圳市汇顶科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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