等离子显示设备及其驱动方法技术

技术编号:1465490 阅读:157 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种不包括Pb,即,对环境有害的材料的密封玻璃组分以及采用该密封玻璃组分的平板显示设备。本发明专利技术的密封玻璃组分包括:20mol%至50mol%的Sb↓[2]O↓[3]、30mol%至70mol%的B↓[2]O↓[3]、5mol%至15mol%的SiO↓[2]以及0mol%至15mol%的Al↓[2]O↓[3]。根据本发明专利技术的平板显示设备具有前面板和后面板,在前面板和后面板之间具有预定距离的情况下,利用密封玻璃组分将它们组合在一起。

Plasma display device and driving method thereof

The present invention relates to a sealed glass composition that does not include Pb, that is, environmentally harmful material, and a flat panel display device employing the sealed glass component. Sealed glass component of the invention includes: 20mol% to 50mol% Sb: 2 O: 3, 30mol% to 70mol% B: 2 O: 3, 5mol%: SiO to 15mol% 2 and 0mol% to 15mol% Al: 2 O: 3. The flat panel display apparatus according to the present invention has a front panel and a rear panel that are assembled together with a sealed glass component in a predetermined distance between the front panel and the rear panel.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及密封玻璃组分和使用该密封玻璃组分的平板显示设备。
技术介绍
广泛使用的显示装置是阴极射线管(CRT)。然而,CRT的问题是,显示区越大,重量越重,而且体积越大。然而,最近,解决了CRT的不足的平板式显示设备是下一代显示工业的一部分,即,继续进行技术开发。诸如液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)、场致发射器件(FED)等的下一代显示器得到积极研究、开发和投资。此外,作为预期的平板式显示设备,还在研究采用电化学特性的电致变色显示器、采用分布颗粒的悬浮颗粒显示器(SPD)等。在等离子显示面板上,在形成一个单元区的前面板与后面板之间形成阻挡条。每个单元内填充有诸如氖(Ne)、氦(He)或者Ne和He的混合气体(Ne+He)的主放电气体以及含有少量氙的惰性气体。如果惰性气体以高频电压放电,则它产生真空紫外线。辐照在阻挡条之间形成的荧光材料以显示图像。等离子显示面板可以制造得薄,因此,这种显示器属于领先的下一代显示装置。在PDP显示设备上,在前面板与后面板之间具有预定距离的情况下,利用诸如熔解玻璃的密封材料,将前面板和后面板组合在一起。现有的密封材料包括作为其主要成分的PbO-B2O3-ZnO。在进行密封处理时,将PbO加热到密封温度,在密封温度,密封材料被充分软化以使得可以密封面板。如果密封材料的软化温度太高,则可能因为过热而破坏等离子显示面板。因此,PbO用于降低密封材料的熔点。如果将密封材料粘附到面板上,则其热膨胀系数应该与PDP内使用的平板玻璃的热膨胀系数类似。因此,B2O3用于降低密封材料的热膨胀系数,而且用作玻璃生成剂。在将前面板和后面板密封在一起后,注入放电气体。为了防止从密封板泄漏放电气体,密封材料的粘合强度必须是带粘性的,而且通过改进密封材料的化学稳定性来提高粘合强度。为了改善化学稳定性,现有的密封玻璃组分包括ZnO。PbO是现有的密封材料组分的主要成分,它含有对人体非常有害的Pb成分。如果发生非常不利于身体健康的事情,则在工作时,人体暴露在Pb成分中。此外,如果丢弃Pb成分,则Pb成分将与地下水中的酸性成分或者碱性成分发生反应,因此,因为污染了固体和水,而产生了破坏环境的问题。诸如Bi2O3-B2O3和P2O5-SnO的几种可能的替换成分的熔点低,而且不含有Pb。然而,在Bi2O3-B2O3材料中,Bi2O3是主要成分,它的熔点低,而Bi本身是重金属。使用Bi2O3-B2O3的问题是,产生增加成本的不利影响,因为Bi是稀有材料。P2O5-SnO是环保的,但是P2O5成分的化学稳定性非常低,因此,机械强度低。此外,SnO是昂贵的辅助成分,因此,如果添加的多,就难以实现玻璃化。Bi2O3和P2O5是PbO的替换材料,为了接近PbO的玻璃转化温度,将它们与碱金属组合在一起。然而,需要使用碱金属的问题在于,它们缩短了荧光材料的寿命和/或者平板玻璃的寿命。
技术实现思路
鉴于上述问题,做出了本专利技术,而且本专利技术的目的是提供一种不包括Pb,即,对环境有害的材料的密封玻璃组分以及采用该密封玻璃组分的平板显示设备。为了实现上述目的,根据本专利技术的密封玻璃组分包括20mol%至50mol%的Sb2O3、30mol%至70mol%的B2O3、5mol%至15mol%的SiO2以及低于15mol%的Al2O3。根据本专利技术的平板显示设备包括前面板和后面板,利用密封玻璃组分将前面板和后面板组合在一起。该密封玻璃组分包括Sb2O3。整个密封玻璃组分中的Sb2O3的含量比在20mol%至50mol之间。对密封玻璃组分的Sb2O3添加B2O3和SiO2。密封玻璃组分中的B2O3的含量比在30mol%至70mol%的范围内。密封玻璃组分中的SiO2的含量比在5mol%至15mol%的范围内。密封玻璃组分包括49.1wt%至81.4wt%的Sb2O3、27.8wt%至48.7wt%的B2O3、3.0wt%至9.0wt%的SiO2。密封玻璃组分包括陶瓷填充物。整个密封玻璃组分中的密封玻璃组分包括包括5mol%至45mol%的陶瓷填充物。该陶瓷填充物至少包括堇青石、β-锂霞石、磷酸锆、锆石、富铝红柱石、硅锌矿、β-锂辉石、镁橄榄石、钙长石、矾土、硅石、BaTiO3以及Al2TiO3之一。附图说明根据下面结合附图所做的详细说明,可以更全面理解本专利技术的其他目的和优点,附图包括图1是示出利于DCS测量的根据本专利技术的玻璃组分的玻璃转变点(glass transition point)(Tg)的曲线图;图2是示出利于热机械分析(TMA)测量的根据本专利技术的玻璃组分的膨胀软化温度(Tdsp)和热膨胀系数(α)的曲线图;以及图3是示出利于TMA测量的在根据本专利技术的玻璃组分中包括陶瓷填充物的组分的膨胀软化温度(Tdsp)和热膨胀系数(α)的曲线图。具体实施例方式现在,参看附图,结合优选实施例详细说明根据本专利技术的密封玻璃组分和采用该密封玻璃组分的平板显示设备。根据本专利技术的密封玻璃将Sb2O3用作组分的主要成分,代替PbO,其通常用于低熔点。作为玻璃形成材料的B2O3和SiO2被添加到Sb2O3中。还将Al2O3添加到Sb2O3中,以增强玻璃的化学稳定性。在由这种组分构成的密封玻璃中,Sb2O3组分是必需的,因为它降低了玻璃转变点或者膨胀软化温度。Sb2O3含量在20mol%到50mol%范围内。如果该组分中Sb2O3含量低于20mol%,则会产生问题,因为玻璃转变点变得太高。如果Sb2O3的含量是50mol%或者更高,则也产生问题,因为Sb2O3变得难以被玻璃化。作为玻璃形成材料的B2O3和SiO2可以使玻璃稳定,而且可以降低热膨胀系数,将它们添加到该含量比的Sb2O3中。添加到Sb2O3中的B2O3的含量在30mol%至70mol%的范围内。如果添加到Sb2O3的B2O3的含量低于30mol%,则会产生问题,因为玻璃的热膨胀系数升高。如果添加到Sb2O3的B2O3的含量是70mol%或者更高,则会产生问题,因为增加了玻璃材料的泄漏,而且粘度升高,降低了流动性。作为另一种玻璃形成材料添加的SiO2的含量在5mol%至15mol%的范围内。如果添加到Sb2O3的SiO2的含量低于5mol%,则会产生问题,因为降低热膨胀系数的概率低。如果添加到Sb2O3的SiO2的含量是15mol%或者更高,则会产生问题,因为玻璃转变点升高,而且在烧结时玻璃的流动性显著降低。作为玻璃形成材料,SiO2的含量低于B2O3的含量的原因是因为与B2O3相比,SiO2对提高玻璃转变点的作用更大。如果B2O3的含量比太高,则会降低热膨胀系数,但是将弱化化学稳定性。为了克服该缺点,添加Al2O3。添加的Al2O3的含量是15mol%或者更低。如果添加的Al2O3的含量是15mol%或者更高,则会产生问题,因为将提高玻璃转变点,降低流动性,而且在烧结时,Al2O3不能被完全熔化。该密封玻璃组分的含量比并不局限于mol%,而且可以利用wt%表示。下面对此做说明。为了获得低熔点,Sb2O3的含量在49.1wt%至81.42wt%的范围内。B2O3和SiO2是用于使玻璃稳定并降低热膨胀系数的玻璃形成材料,它们可以分别在27.8wt%至48.7wt%和3.0wt%本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种密封玻璃组分,其包括:20mol%至50mol%的Sb↓[2]O↓[3]、30mol%至70mol%的B↓[2]O↓[3]、5mol%至15mol%的SiO↓[2]以及低于15mol%的Al↓[2]O↓[3]。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:许钟禹盛浩金铉旭文炳俊
申请(专利权)人:LG电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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