化学镀镍浴制造技术

本发明专利技术提供一种能够得到良好的弯曲性，在施加应力的部分难以出现裂缝，并且不用担心漏镀的化学镀镍浴。本发明专利技术的化学镀镍浴含有下述式(1)所示的含硫苯并噻唑类化合物。式中，X为碳原子数2以上的烷基或其盐，X也可以具有取代基。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于得到化学镀镍膜的化学镀镍浴。具体地，涉及一种用于得到在印刷电路板等的电子部件所使用的柔性基板等的电路基板上形成的化学镀镍膜的化学镀镍浴。以下，以柔性基板为中心进行说明，但本专利技术并不仅限于此。
技术介绍
柔性基板是具有柔软性的电路基板，在薄、轻、柔软性、耐久性上优异，在需要电子设备等的小型化、高密度和耐弯性的情况下被广泛使用。一般地，在将柔性基板等的电路基板和电子部件连接时，在铜图案等的图案上，作为阻挡金属施加化学镀镍后，以提高连接可靠性为目的，进行镀金ENIG(ElectrolessNickelImmersionGold，化学镀镍浸金)工序。化学镀镍膜具有优良的镀膜特性和镍的良好的均匀析出性等的优点，相反地也有镀膜非常硬的性质。为此，在具有柔软性的柔性基板上进行ENIG镀时，该基板的弯曲会导致镀镍膜出现裂缝，最终会引起电路的断线等问题。为了解决这样的问题，例如专利文献1中，公开了含有乙二胺、丙二胺等特定的亚烷基二胺的化学镀镍浴。并记载了使用上述镀浴时，相比形成基板的图案部的铜，能够形成镀镍膜的耐弯折性提高，难以产生裂缝的具有优良可靠性的镀镍膜。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2013-28866号公报
技术实现思路
根据上述的专利文件1的方法，即使是在镀镍膜的膜厚为约3μm较厚的情况下也能够获得耐弯曲性，因此非常有用。但是，根据本专利技术的专利技术人的研究结果，判明了在施加应力的部分的镍膜出现了裂缝。本专利技术是针对上述问题进行深入研究，其目的在于，提供一种新型的化学镀镍浴，该化学镀镍浴能够获得不仅在镀镍膜的膜厚为3-7μm较厚的情况下能够得到良好的弯曲性，在施加应力的部分也难以出现裂纹的镀镍膜，并且不用担心漏镀(未镀覆)。解决了上述技术问题的本专利技术的化学镀镍浴具有如下要点，该化学镀镍浴含有下述式(1)所示的含硫苯并噻唑类化合物。[化学式1]式中，X为碳原子数2以上的烷基或其盐，X也可以具有取代基。根据本专利技术，能够提供一种新型的化学镀镍浴，该化学镀镍浴能够获得不仅在镀镍膜的膜厚为3-7μm较厚的情况下能够得到良好的弯曲性，在施加应力的部分也难以出现裂纹的镀镍膜，并且不用担心漏镀。附图说明图1为专利技术例6中通过FE-SEM调查微小裂缝的有无的照片。图2为对比例3中通过FE-SEM调查微小裂缝的有无的照片。具体实施方式本专利技术的专利技术人为了解决上述技术问题，进行深入研究。其结果发现，在化学镀镍浴中，添加上述式(1)所示的含硫苯并噻唑类化合物可以实现期望的目标，从而完成了本专利技术。首先，针对赋予本专利技术最大特征的上述式(1)的含硫苯并噻唑类化合物进行说明上述化合物具有在苯和噻唑缩合的苯并噻唑环上键合有含硫的规定的S-X基团的结构作为基本骨架。选中上述基本骨架的理由如下。首先，根据本专利技术的专利技术人的研究结果判明了，具有苯并噻唑环以外的环的以下的对比例，不能得到良好的弯曲性，后述的实施例的栏中进行的耐折性试验(用MIT次数评价)的MIT次数显著降低。具有苯并咪唑骨架的对比例5、8具有苯并恶唑骨架的对比例6具有噻唑骨架的对比例7具有三唑骨架的对比例9此外，还判明了上述对比例5-9中的对比例6-9，后述的实施例的栏中进行的镀覆反应性试验(用镍的析出速度进行评价)的析出速度降低，有可能会发生漏镀。并且，虽然对比例5和对比例8均具有苯并咪唑环，但对比例8的析出速度降低至对比例5的约1/2，推测其理由为对比例8中含有上述式(1)中X＝H的巯基。进而，根据本专利技术的专利技术人研究结果判明了，即使具有苯并噻唑环，但在上述式(1)中X＝H、X＝CH3的化合物不能得到期待的特性。首先，X＝H时(即，具有SH＝巯基时)，如后述的对比例4中所证实的一样，虽然具有良好的弯曲性，并在施加应力的部分也未产生裂缝，但是由于镍镀膜的析出速度慢，有可能会发生部分漏镀。同样地，X＝CH3(碳原子数为1的烷基)时，如后述的对比例1中所证实的一样，由于镀镍的析出速度慢，有可能会发生部分漏镀。由此，在本专利技术中由于上述理由，将上述式(1)中X＝H、CH3的化合物从本专利技术的范围内排除。上述X所使用的烷基在能够得到期待的特性的范围内，可以具有直链或支链，虽然碳原子数在2以上就没有特别的限定，但是考虑到在实用上能够使用的范围，大致优选碳原子数的上限为6左右，更优选碳原子数的上限为4左右。此外，上述X也可以具有取代基。对于取代基的种类，只要能够得到期待的特性就没有特别的限制，例如可举出，磺酸基(SO3H)、羧基(COOH)、羟基(OH基)等。上述式(1)的化合物也可以作为盐存在，例如，可举出Na盐、K盐等的碱金属盐；Ca盐、Mg盐等的碱土金属盐。并且，虽然在例如特开2006-316350号公报中记载有：在分子内含有硫原子的杂环化合物具有防止化学镀镍的异常析出的作用，但是完全没有公开具有本专利技术这样的作用效果。并且上述公报中公开了能够使用本专利技术范围外的巯基苯并噻唑，从其不是着眼于本专利技术规定的上述式(1)的化合物的实用性的技术这一点上，不同于本专利技术。除上述公报以外，虽然特开2000-256866号公报中记载有将2-巯基苯并噻唑作为化学镀镍浴的有机抑制剂来使用，但是其没有公开本专利技术中规定的上述式(1)的化合物具有本专利技术这样的作用效果。本专利技术的特征部分的特征为化学镀镍浴中含有上述式(1)所示的含硫苯并噻唑类化合物，除此以外的要件没有特别的限定，优选进行适当地调整以使期望的特性有效地发挥。例如，上述式(1)的含硫苯并噻唑类化合物在化学镀镍浴中的含量(浓度)大致优选为0.1mg/L以上且10g/L以下，更优选为1mg/L以上且1g/L以下。上述含量的下限小于0.1mg/L时，不能得到良好的镀膜柔软性。另一方面，上述含量的上限超过10g/L时，虽然能够得到良好的镀膜柔软性，但是有可能会发生漏镀。本专利技术的化学镀镍浴中的上述式(1)以外的化合物的种类没有特别的限定，能够将化学镀镍浴中通常使用的化合物在本专利技术中使用。并且，本专利技术中的化学镀镍浴是含有这些化合物的混合物的总称，可以定位为化学镀镍液。以下，具体地进行说明。(1)水溶性镍盐作为上述水溶性镍盐，只要在镀液中可溶、可得到所需浓度的水溶液就没有特别的限定。作为这样的水溶性镍盐的例子，例如可举出硫酸镍、氯化镍、次磷酸镍等无机水溶性镍盐；乙酸镍、苹果酸镍等有机水溶性镍盐。这些水溶性镍盐，可以单独使用，也可以2种以上混合使用。上述水溶性镍盐的浓度，例如，优选为5-50g/L。通过控制在上述范围内，能够有效防止镀镍膜的析出速度变得非常慢从而成膜所需要的时间长的缺陷，镀液的粘度变高液体的流动性降低对镀镍的均匀析出性造成不良影响的缺陷，形成的镀镍膜上出现坑等的缺陷等。更优选的水溶性镍盐的浓度为15-40g/L左右。由此，能够更加有效地防止镀镍膜的析出速度变慢，镀镍膜上出现坑等的缺陷。(2)还原剂上述还原剂的种类没有特别的限定，能够使用公知的化学镀镍浴中通常使用的各种还原剂。作为这样的还原剂，例如可举出次磷酸盐、硼化合物等。作为上述次磷酸盐，例如可举出次磷酸钠(次磷酸苏打)、次磷酸钾等。此外，作为上述硼化合物，例如，可举出硼氢化钠、硼氢化钾等硼氢化物；二甲胺基硼烷(DMAB)、三甲胺基硼烷、三乙胺基硼烷等胺硼烷化合物。上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学镀镍浴，其特征在于，该化学镀镍浴含有下述式(1)所示的含硫苯并噻唑类化合物，[化学式1]式(1)中，X为碳原子数2以上的烷基或其盐，X也可以具有取代基。

【技术特征摘要】
2015.07.28 JP 2015-1488811.一种化学镀镍浴，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田刚志，柴山文德，田边克久，和田真辅，
申请(专利权)人：上村工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP