底栅型多晶硅TFT基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种底栅型多晶硅TFT基板及其制作方法。本发明专利技术的底栅型多晶硅TFT基板的制作方法，通过在有源层与栅极绝缘层上沉积层间介电层，并在所述层间介电层上形成源极接触孔与漏极接触孔，之后在所述层间介电层上形成源极与漏极，所述源极和漏极分别经由所述源极接触孔和漏极接触孔与所述有源层相接触。本发明专利技术通过设置所述层间介电层，可防止所述源极和漏极与所述有源层中的未掺杂多晶硅层的侧壁相接触，避免漏电发生；另外，所述层间介电层的引入增加了所述源极和漏极与栅极之间的绝缘层的厚度，避免了因为所述源极和漏极与栅极之间的绝缘层的厚度较薄导致绝缘层被击穿的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种底栅型多晶硅TFT基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(BacklightModule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。薄膜晶体管(TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。图1为现有的一种底栅型多晶硅TFT基板的结构示意图，如图1所示，所述底栅型多晶硅TFT基板包括玻璃基板100、设于所述玻璃基板100上的缓冲层110、设于所述缓冲层110上的栅极120、设于所述栅极120与缓冲层110上的栅极绝缘层130、设于所述栅极绝缘层130上的有源层200、设于所述有源层200及栅极绝缘层130上的源极510与漏极520、以及设于所述源极510、漏极520、有源层200与栅极绝缘层130上的钝化层600。该底栅型多晶硅TFT基板的制作方法包括：步骤101、提供一玻璃基板100，在所述玻璃基板100上从下到上依次制作缓冲层110、栅极120、及栅极绝缘层130；步骤102、在所述栅极绝缘层130上依次沉积未掺杂非晶硅层(未图示)与硼离子掺杂非晶硅层(未图示)，采用固相晶化法(SolidPhaseCrystallization，SPC)对所述未掺杂非晶硅层与硼离子掺杂非晶硅层进行晶化处理，分别得到未掺杂多晶硅层210与硼离子掺杂多晶硅层220；步骤103、对所述未掺杂多晶硅层210与硼离子掺杂多晶硅层220进行图形化处理，得到有源层200；步骤104、在所述有源层200及栅极绝缘层130上沉积金属层(未图示)，对所述金属层进行图形化处理，得到源极510与漏极520；步骤105、在所述源极510、漏极520、有源层200、及栅极绝缘层130上沉积钝化层600，并在所述钝化层600上形成对应于所述漏极520上方的过孔610。上述底栅型多晶硅TFT基板的制作方法中，所述步骤103中对所述未掺杂多晶硅层210与硼离子掺杂多晶硅层220进行图形化处理时，容易造成栅极绝缘层130的薄化，薄化后的栅极绝缘层130容易被击穿，使得源极510、漏极520与栅极120之间导通；另外，所述步骤104制备的源极510和漏极520分别与所述未掺杂多晶硅层210的侧壁相接触，造成漏电过大，影响TFT器件性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种底栅型多晶硅TFT基板的制作方法，能够增强TFT器件的稳定性，提升其电学性能。本专利技术的目的还在于提供一种底栅型多晶硅TFT基板，TFT器件的稳定性强，具有较好的电学性能。为实现上述目的，本专利技术提供一种底栅型多晶硅TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上形成栅极；在所述栅极与缓冲层上沉积栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上从下到上依次沉积未掺杂非晶硅层与硼离子掺杂非晶硅层；步骤2、对所述未掺杂非晶硅层与硼离子掺杂非晶硅层进行晶化处理，分别得到未掺杂多晶硅层与硼离子掺杂多晶硅层；步骤3、在所述硼离子掺杂多晶硅层上形成一光阻层，采用一半色调光罩对所述光阻层进行图形化处理，得到一对应于所述栅极上方的光阻图案，所述光阻图案包括位于两侧的第一光阻段与第二光阻段以及位于所述第一光阻段与第二光阻段之间的第三光阻段，所述第一光阻段与第二光阻段的高度均大于所述第三光阻段；步骤4、以所述光阻图案为刻蚀阻挡层，对所述未掺杂多晶硅层与硼离子掺杂多晶硅层进行蚀刻处理，去除所述未掺杂多晶硅层与硼离子掺杂多晶硅层上未被所述光阻图案遮挡的区域；步骤5、对所述光阻图案进行整体减薄，去除所述第三光阻段，并薄化所述第一光阻段与第二光阻段；步骤6、以所述第一光阻段与第二光阻段为刻蚀阻挡层，对所述硼离子掺杂多晶硅层进行蚀刻处理，去除所述硼离子掺杂多晶硅层上对应于所述第一光阻段与第二光阻段之间的区域，形成对应于所述第一光阻段的第一硼离子掺杂多晶硅段与对应于所述第二光阻段的第二硼离子掺杂多晶硅段；所述未掺杂多晶硅层与设于所述未掺杂多晶硅层上且间隔设置的第一硼离子掺杂多晶硅段与第二硼离子掺杂多晶硅段共同构成有源层；步骤7、去除所述第一光阻段与第二光阻段，在所述有源层与栅极绝缘层上形成层间介电层；对所述层间介电层进行图形化处理，在所述层间介电层上分别形成对应于所述第一硼离子掺杂多晶硅段上方的源极接触孔与对应于所述第二硼离子掺杂多晶硅段上方的漏极接触孔；步骤8、在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种底栅型多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积缓冲层(11)；在所述缓冲层(11)上形成栅极(12)；在所述栅极(12)与缓冲层(11)上沉积栅极绝缘层(13)；在所述栅极绝缘层(13)上从下到上依次沉积未掺杂非晶硅层(14)与硼离子掺杂非晶硅层(15)；步骤2、对所述未掺杂非晶硅层(14)与硼离子掺杂非晶硅层(15)进行晶化处理，分别得到未掺杂多晶硅层(21)与硼离子掺杂多晶硅层(22)；步骤3、在所述硼离子掺杂多晶硅层(22)上形成一光阻层(30)，采用一半色调光罩(70)对所述光阻层(30)进行图形化处理，得到一对应于所述栅极(12)上方的光阻图案(31)，所述光阻图案(31)包括位于两侧的第一光阻段(311)与第二光阻段(312)以及位于所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)之间的第三光阻段(313)，所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)的高度均大于所述第三光阻段(313)；步骤4、以所述光阻图案(31)为刻蚀阻挡层，对所述未掺杂多晶硅层(21)与硼离子掺杂多晶硅层(22)进行蚀刻处理，去除所述未掺杂多晶硅层(21)与硼离子掺杂多晶硅层(22)上未被所述光阻图案(31)遮挡的区域；步骤5、对所述光阻图案(31)进行整体减薄，去除所述第三光阻段(313)，并薄化所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)；步骤6、以所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)为刻蚀阻挡层，对所述硼离子掺杂多晶硅层(22)进行蚀刻处理，去除所述硼离子掺杂多晶硅层(22)上对应于所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)之间的区域，形成对应于所述第一光阻段(311)的第一硼离子掺杂多晶硅段(221)与对应于所述第二光阻段(312)的第二硼离子掺杂多晶硅段(222)；所述未掺杂多晶硅层(21)与设于所述未掺杂多晶硅层(21)上且间隔设置的第一硼离子掺杂多晶硅段(221)与第二硼离子掺杂多晶硅段(222)共同构成有源层(20)；步骤7、去除所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)，在所述有源层(20)与栅极绝缘层(13)上形成层间介电层(40)；对所述层间介电层(40)进行图形化处理，在所述层间介电层(40)上分别形成对应于所述第一硼离子掺杂多晶硅段(221)上方的源极接触孔(41)与对应于所述第二硼离子掺杂多晶硅段(222)上方的漏极接触孔(42)；步骤8、在所述层间介电层(40)上形成源极(51)与漏极(52)，所述源极(51)经由所述源极接触孔(41)与所述第一硼离子掺杂多晶硅段(221)相接触，所述漏极(52)经由所述漏极接触孔(42)与所述第二硼离子掺杂多晶硅段(222)相接触；步骤9、在所述源极(51)、漏极(52)、及层间介电层(40)上沉积钝化层(60)；对所述钝化层(60)进行图形化处理，在所述钝化层(60)上形成对应于所述漏极(52)上方的过孔(61)。...

【技术特征摘要】
1.一种底栅型多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积缓冲层(11)；在所述缓冲层(11)上形成栅极(12)；在所述栅极(12)与缓冲层(11)上沉积栅极绝缘层(13)；在所述栅极绝缘层(13)上从下到上依次沉积未掺杂非晶硅层(14)与硼离子掺杂非晶硅层(15)；步骤2、对所述未掺杂非晶硅层(14)与硼离子掺杂非晶硅层(15)进行晶化处理，分别得到未掺杂多晶硅层(21)与硼离子掺杂多晶硅层(22)；步骤3、在所述硼离子掺杂多晶硅层(22)上形成一光阻层(30)，采用一半色调光罩(70)对所述光阻层(30)进行图形化处理，得到一对应于所述栅极(12)上方的光阻图案(31)，所述光阻图案(31)包括位于两侧的第一光阻段(311)与第二光阻段(312)以及位于所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)之间的第三光阻段(313)，所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)的高度均大于所述第三光阻段(313)；步骤4、以所述光阻图案(31)为刻蚀阻挡层，对所述未掺杂多晶硅层(21)与硼离子掺杂多晶硅层(22)进行蚀刻处理，去除所述未掺杂多晶硅层(21)与硼离子掺杂多晶硅层(22)上未被所述光阻图案(31)遮挡的区域；步骤5、对所述光阻图案(31)进行整体减薄，去除所述第三光阻段(313)，并薄化所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)；步骤6、以所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)为刻蚀阻挡层，对所述硼离子掺杂多晶硅层(22)进行蚀刻处理，去除所述硼离子掺杂多晶硅层(22)上对应于所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)之间的区域，形成对应于所述第一光阻段(311)的第一硼离子掺杂多晶硅段(221)与对应于所述第二光阻段(312)的第二硼离子掺杂多晶硅段(222)；所述未掺杂多晶硅层(21)与设于所述未掺杂多晶硅层(21)上且间隔设置的第一硼离子掺杂多晶硅段(221)与第二硼离子掺杂多晶硅段(222)共同构成有源层(20)；步骤7、去除所述第一光阻段(311)与第二光阻段(312)，在所述有源层(20)与栅极绝缘层(13)上形成层间介电层(40)；对所述层间介电层(40)进行图形化处理，在所述层间介电层(40)上分别形成对应于所述第一硼离子掺杂多晶硅段(221)上方的源极接触孔(41)与对应于所述第二硼离子掺杂多晶硅段(222)上方的漏极接触孔(42)；步骤8、在所述层间介电层(40)上形成源极(51)与漏极(52)，所述源极(51)经由所述源极接触孔(41)与所述第一硼离子掺杂多晶硅段(221)相接触，所述漏极(52)经由所述漏极接触孔(42)与所述第二硼离子掺杂多晶硅段(222)相接触；步骤9、在所述源极(51)、漏极(52)、及层间介电层(40)上沉积钝化层(60)；对所述钝化层(60)进行图形化处理，在所述钝化层(60)上形成对应于所述漏极(52)上方的过孔(61)。2.如权利要求1所述的底栅型多晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44