光刻设备及器件制造方法技术

一种与光刻设备一起使用的系统，所述系统被配置用于处理衬底，其中所述系统适于连接至气体源(30)，所述系统包括：衬底通过的空间(105)；和用于将所述空间与源于所述空间外部的热负载热绝缘的热屏蔽件(110)，所述热屏蔽件包括：第一壁(1100)和第二壁(1200)且在所述第一壁和第二壁之间具有间隙(1300)，所述第一壁定位在所述空间与所述第二壁之间；至少一个入口开口(1400)，所述至少一个入口开口被配置用于允许来自所述气体源的气体流(212)从所述空间的外部进入所述间隙；和至少一个出口开口(1500)，所述至少一个出口开口被配置用于允许气体流离开所述间隙至所述空间的外部，其中所述系统适于引导来自所述气体源的气体流，使所述气体流通过所述至少一个入口开口进入所述间隙、流动通过所述间隙并且通过至少一个出口开口流出所述间隙至所述空间外部，从而减少由于源于所述空间外部的热负载而引起的所述空间中的热波动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年4月30日申请的欧洲申请14166492.0的权益，通过引用将其全部内容并入本文中。
本专利技术涉及光刻设备和用于制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如制造集成电路(IC)中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。在光刻设备中的一些部件、与光刻设备相关的部件以及进入光刻设备的某些物体的温度稳定性是重要的。典型地，这些部件保持在目标设定点温度处。有许多不同的热负载源于光刻设备以及光刻设备周围，这些热负载会使部件的温度升高到它们的目标设定点温度之上或者下降到它们的目标设定点温度以下。因此，在光刻设备中使用热屏蔽件，以使部件与热负载热绝缘。热屏蔽件的一种使用方式是用在被配置用于处理衬底的系统中。例如，热屏蔽件可以用在接收衬底、确保衬底的温度稳定性并且将衬底提供至光刻设备的系统中。附加地，在光刻设备中对衬底成像之后，所述系统能够从光刻设备接收衬底，并传送该衬底，以用于下一处理。衬底的温度稳定性是重要的，因为衬底的温度不稳定性会导致成像误差，诸如重叠误差。因此，衬底通过的系统中的空间通过热屏蔽件进行热屏蔽，以使该空间与源于空间外部的热负载热绝缘。包括绝热材料的热屏蔽件是已知的。然而，这种热屏蔽件的有效性依赖于低的热传导性以及绝热材料的厚度。在光刻设备中，空间是稀缺的，仅仅由绝热材料制成的具有足够好的热绝缘性能的热屏蔽件是不期望地笨重的。包括通过流动液体(例如，水套)进行热调节的壁的热屏蔽件具有好的热屏蔽性质，并且比仅仅由绝热材料制成的热屏蔽件占用更少的体积。然而，用液体热调节的壁具有复杂性增大的缺点，因为需要进行液体紧密密封，而且具有由于液体泄漏而损坏设备的风险。本专利技术旨在提供一种与光刻设备一起使用的系统，其中所述系统被配置用于处理衬底并且将衬底通过的空间与源于所述空间外部的热负载热绝缘。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供一种与光刻设备一起使用的系统，所述系统被配置用于处理衬底，其中所述系统适于连接至气体源，所述系统包括：衬底通过的空间；和用于将所述空间与源于所述空间外部的热负载热绝缘的热屏蔽件，所述热屏蔽件包括：第一壁和第二壁，且在第一壁和第二壁之间具有间隙，所述第一壁定位在所述空间与所述第二壁之间；至少一个入口开口，所述至少一个入口开口被配置用于允许来自气体源的气体流从所述空间的外部进入所述间隙；和至少一个出口开口，所述至少一个出口开口被配置用于允许气体流离开所述间隙至所述空间的外部，其中所述系统适于引导来自气体源的气体流，使气体流通过至少一个入口开口进入所述间隙、流动通过所述间隙并且通过至少一个出口开口流出所述间隙至所述空间外部，从而减少由于源于所述空间外部的热负载而引起的空间中的热波动。根据本专利技术的一方面，提供一种对衬底通过的空间热绝缘的方法，所述方法包括：在源于空间外部的热负载与空间之间设置热屏蔽件，并且引导气体从空间的外部进入热屏蔽件中的间隙内、通过所述间隙以及离开所述间隙至所述空间外部，从而减小由于源于所述空间外部的热负载而引起的空间中的热波动。附图说明现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本专利技术的实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：图1示出根据本专利技术实施例的光刻设备；图2是根据本专利技术的系统的透视图；和图3是根据本专利技术的热屏蔽件的横截面视图。具体实施方式图1示意地示出了根据本专利技术一个实施例的光刻设备。所述设备包括：-照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射束B(例如UV辐射)；-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构支撑，即承载图案形成装置的重量。所述支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以看作与更为上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应该注意的是，赋予辐射束的图案可能不与衬底的目标部分上的所需图案精确地对应(例如，如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。所述光刻设备还可以是这种类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备中的其他空间，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术用于提高投影系统的数值孔径在本领域是熟知的。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和该衬底之间。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。参照图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。所述源和光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与光刻设备一起使用的系统，所述系统被配置用于处理衬底，其中所述系统适于连接至气体源，所述系统包括：衬底通过的空间；和用于将所述空间与源于所述空间外部的热负载热绝缘的热屏蔽件，所述热屏蔽件包括：第一壁和第二壁，且在所述第一壁和第二壁之间具有间隙，所述第一壁定位在所述空间与所述第二壁之间；至少一个入口开口，所述至少一个入口开口被配置用于允许来自所述气体源的气体流从所述空间的外部进入所述间隙；和至少一个出口开口，所述至少一个出口开口被配置用于允许气体流离开所述间隙至所述空间的外部，其中所述系统适于引导来自所述气体源的气体流，使所述气体流通过所述至少一个入口开口进入所述间隙、流动通过所述间隙并且通过至少一个出口开口流出所述间隙至所述空间外部，从而减少由于源于所述空间外部的热负载而引起的所述空间中的热波动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.30 EP 14166492.01.一种与光刻设备一起使用的系统，所述系统被配置用于处理衬底，其中所述系统适于连接至气体源，所述系统包括：衬底通过的空间；和用于将所述空间与源于所述空间外部的热负载热绝缘的热屏蔽件，所述热屏蔽件包括：第一壁和第二壁，且在所述第一壁和第二壁之间具有间隙，所述第一壁定位在所述空间与所述第二壁之间；至少一个入口开口，所述至少一个入口开口被配置用于允许来自所述气体源的气体流从所述空间的外部进入所述间隙；和至少一个出口开口，所述至少一个出口开口被配置用于允许气体流离开所述间隙至所述空间的外部，其中所述系统适于引导来自所述气体源的气体流，使所述气体流通过所述至少一个入口开口进入所述间隙、流动通过所述间隙并且通过至少一个出口开口流出所述间隙至所述空间外部，从而减少由于源于所述空间外部的热负载而引起的所述空间中的热波动。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统被配置用于使来自所述气体源的气体流通过开口阵列，所述开口阵列中的至少一个开口被定位成将气体流提供至所述至少一个入口开口中，所述开口阵列中的至少一个开口被定位成将气体流提供至所述空间的至少一部分中，使得流入所述间隙和所述空间中的气体具有大致相同的温度。3.根据权利要求1或2所述的系统，其中所述第一壁具有面对所述间隙的第一表面，所述第一壁具有面对所述空间的第二表面，所述第一表面和/或第二表面中的至少一个在0.7和10μm之间的波长范围内具有小于或等于0.5的发射系数。4.根据前述权利要求中任一项所述的系统，还包括热绝缘材料层，所述热绝缘材料层的导热率小于所述第一和/或第二壁的材料的导热率，...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·A·H·F·詹森，M·范巴伦，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL