【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氧化钛薄膜电极的制备工艺。
技术介绍
近年来，半导体尤其是二氧化钛由于在光电转换、腐蚀、纳米加工和光催化降解污染物等领域显示了广泛的应用前景，因而得到普遍研究。对光电转换和光电催化而言，TiO2因其高稳定性和良好的光催化活性被认为是目前较好的催化剂。采用溶胶-凝胶、气相沉积、阳极氧化、电泳等制备TiO2的方法研究较多，而对直接热氧化制备研究很少。
技术实现思路
本专利技术提出一种利用直接热氧化制备氧化钛薄膜电极的工艺。一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：（1)取纯钛片，厚度0.1-0.35cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8#金刚砂纸打磨，（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3和HF混合液中刻蚀10-30S；（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温以5C/min升至95摄氏度温度，然后在此温度下保温30分钟；（4）将步骤（3）产物冷却至室温即得氧化钛：（5）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极。优选地，所述钛片厚度0.15cm。优选地，所述（2）中HNO3：HF=3：11的混合液中刻蚀15S。优选地，所述（2）中HNO3：HF=5：13的混合液中刻蚀15S。利用本专利技术所述工艺方法制备的二氧化钛薄膜为金红石型，随氧化温度升高和时间延长，孔隙率减少，表面结晶致密度增大，导电性好。具体实施方式实施例1。一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，包括以下步骤：（1)取纯钛片，厚度0.1-0.35cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8...
【技术保护点】
一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：（1）取纯钛片，厚度0.15cm，含量不小于99.7%，依次经0 #和8 #金刚砂纸打磨；（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3：HF=3：11的混合液中刻蚀30S；（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温5C / min升至设定温度，然后在此温度下保温给定时间，冷却至室温即得氧化钛：（4）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极。
【技术特征摘要】
1.一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：（1）取纯钛片，厚度0.15cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8#金刚砂纸打磨；（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3：HF=3：11的混合液中刻蚀30S；（3）将步骤（2...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝青，
申请(专利权)人：陕西玉航电子有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。