光耦合装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够使封装小型化，且还能缩短接合线的光耦合装置。实施方式的光耦合装置具备：第1光接收芯片，具有第1上表面及第1侧面，所述第1上表面在一端侧具有第1区域及在另一端侧具有第2区域；第2光接收芯片，具有第2上表面及第2侧面，所述第2上表面在一端侧具有第3区域及另一端侧的第4区域，且以在第1方向，所述第3区域与所述第1区域并排，且所述第2侧面与所述第1侧面对向的方式配置；第1发光芯片，设置在所述第1区域；第2发光芯片，设置在所述第4区域；第1连接部，配置在所述第2区域，利用接合线电连接在所述第2发光芯片；以及第2连接部，配置在所述第3区域，利用接合线电连接在所述第1发光芯片。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请]本申请享有以日本专利申请案2015-153533号(申请日：2015年8月3日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种光耦合装置。
技术介绍
已知有在一个封装内设置有发光元件与光接收元件成对的多组光耦合组的光耦合装置。在此种光耦合装置中，容易产生来自一个光耦合组的发光元件的光由其他光耦合组的光接收元件接收，而错误地传送信号的所谓串扰。串扰能够通过使各光接收元件间的距离拉开，或在各光接收元件间设置遮光部件来防止，但相应地会导致封装变大。另外，如果使光接收元件间的距离变长，那么因发光元件或光接收元件的配置关系，而光耦合装置内的接合线变长，会成为接合线的断线或短路的原因。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够使封装小型化的光耦合装置。根据实施方式，提供一种光耦合装置，具备：第1光接收芯片，具有第1上表面及第1侧面，所述第1上表面在一端侧具有第1区域及另一端侧的第2区域；第2光接收芯片，具有第2上表面及第2侧面，所述第2上表面在一端侧具有第3区域及另一端侧的第4区域，且以在第1方向，所述第3区域与所述第1区域并排，且所述第2侧面与所述第1侧面对向的方式配置；第1发光芯片，设置在所述第1区域；第2发光芯片，设置在所述第4区域；第1连接部，配置在所述第2区域，利用接合线电连接在所述第2发光芯片；以及第2连接部，配置在所述第3区域，利用接合线电连接在所述第1发光芯片。附图说明图1是一实施方式的光耦合装置的立体图。图2是光耦合装置的布局图。图3是图2的A-A线剖视图。图4是图2的第1变化例的布局图。图5是具有与图2不同的配置的导线连接部的第2变化例的光耦合装置的布局图。图6是第3变化例的1：3构成的双向4信道的光耦合装置的布局图。图7是使图6的左侧的第3光接收芯片与第1芯片为另一封装的第4变化例的光耦合装置的布局图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1是一实施方式的光耦合装置1的立体图，图2是光耦合装置1的布局图。如图1及图2所示，本实施方式的光耦合装置1具备：矩形状的第1光接收芯片2及第2光接收芯片3；第1发光芯片4，配置在第1光接收芯片2上；以及第2发光芯片5，配置在第2光接收芯片3上。第1发光芯片4及第2发光芯片5既可为LED(LightEmissionDiode，发光二极管)等发光元件单体的半导体装置，也可为将安装有发光元件的衬底与安装有发光元件的周边电路的衬底收纳在一个封装的半导体装置。第1光接收芯片2及第2光接收芯片3为内置光电二极管等光接收元件的半导体装置。第1发光芯片4使其发光面与处于第1光接收芯片2的上表面的光接收面对向，而配置在第1光接收芯片2上。同样地，第2发光芯片5使其发光面与处于第2光接收芯片3的上表面的光接收面对向，而配置在第2光接收芯片3上。来自第1发光芯片4的发光面的光向下方前进而由第1光接收芯片2的光接收面接收。同样地，来自第2发光芯片5的发光面的光向下方前进而由第2光接收芯片3的光接收面接收。第1发光芯片4的发光面与第1光接收芯片2的光接收面例如利用使透明的硅酮膏硬化而成的透明接着部件来接着。第2发光芯片5与第2光接收芯片3的接着也相同。此处，所谓透明，是指相对于来自第1发光芯片4的光的发光波长具有透过性。在图1及图2中，将矩形状的第1光接收芯片2及第2光接收芯片3的短边方向设为第1方向x，将长边方向设为第2方向y。如图1所示，第1光接收芯片2具有第1上表面2a及第1侧面2b，所述第1上表面2a具有第2方向y中的一端侧的第1区域2a1及另一端侧的第2区域2a2。第2光接收芯片3具有第2上表面3a及第2侧面3b，所述第2上表面3a具有第2方向y中的一端侧的第3区域3a1及另一端侧的第4区域3a2。第3区域3a1在第1方向x与第1区域2a1并排，第2侧面3b在第1方向x与第1侧面2b对向而配置。第1发光芯片4设置在第1区域2a1，第2发光芯片5设置在第4区域3a2。如图2所示，第1光接收芯片2具有配置在第2区域2a2且利用接合线6连接在第2发光芯片5的第1连接部9。第1连接部9由于以与第2发光芯片5对向的方式配置，所以能够使将第1连接部9与第2发光芯片5连接的接合线6变短。同样地，第2光接收芯片3具有配置在第3区域3a1且利用接合线6连接在第1发光芯片4的第2连接部10。第2连接部10由于以与第1发光芯片4对向的方式配置，所以能够使将第2连接部10与第1发光芯片4连接的接合线6变短。第1光接收芯片2安装在引线框架LF4上的在第2方向y延伸的宽幅部LF4a。同样地，第2光接收芯片3安装在引线框架LF5上的在第2方向y延伸的宽幅部LF5a。引线框架LF4、LF5的各宽幅部LF4a、LF5a接近第1方向x而与第2方向y大致平行地配置。通过在这些宽幅部LF4a、LF5a安装第1光接收芯片2与第2光接收芯片3，能够使第1光接收芯片2及第2光接收芯片3的对向的第1及第2侧面2b、3b彼此在第1方向x接近而对向配置。以下，将第1光接收芯片2及第2光接收芯片3的对向的第1及第2侧面2b、3b彼此的间隔称为第1光接收芯片2与第2光接收芯片3的间隔d。通过将第1发光芯片4配置在第1光接收芯片2之上，且使来自第1发光芯片4的光在较短的光路由第1光接收芯片2接收，能够使来自第1发光芯片4的光不泄漏地由第1光接收芯片2接收，从而表示光接收效率的光的耦合特性提高。关于配置在第2光接收芯片3上的第2发光芯片5也相同。如上所述，第1发光芯片4配置在第1光接收芯片2的第1区域2a1，第2发光芯片5配置在第2光接收芯片3的第4区域3a2。也就是说，第1发光芯片4与第2发光芯片5在第1光接收芯片2与第2光接收芯片3的上表面中配置在对角上。将第1发光芯片4及第2发光芯片5配置在对角上的理由如下所述，是因为接合线6的缩短化，及尽量使第1发光芯片4与第2发光芯片5的距离变长而防止串扰。此处，所谓串扰，例如，为由光接收芯片接收来自本来的发光芯片以外的发光芯片的光的现象。第1光接收芯片2上的第1连接部9利用1根以上的接合线6，而与第2发光芯片5连接。同样地，第2光接收芯片3上的第2连接部10利用1根以上的接合线6，而与第1发光芯片4连接。这些接合线6以不交叉的方式大致平行地配置。这些接合线6的长度依赖于第1光接收芯片2与第2光接收芯片3的间隔d。在本实施方式中，以使接合线6的长度尽量变短的方式，配置第1光接收芯片2、第2光接收芯片3、第1发光芯片4及第2发光芯片5。此外，如图2所示，也可存在第1光接收芯片2的第1侧面2b与第2光接收芯片3的第2侧面3b在第2方向y稍微偏移而配置的情况。在该情况下，接合线6相对于第1方向x而倾斜地配置，相应地，接合线6的长度变长。另外，所述间隔d越狭窄，越能够缩短接合线6。因此，理想的是使间隔d短至不产生光的串扰的程度。通过使接合线6变短，而不易产生断线或短路，也能够使封装变小。然而，如果间隔d变小，那么容易产生来自第1发光芯片4与第2发光芯片5的光泄漏的串扰。因此，理想的是，间隔d考虑接合线6的长度、封装、第1发光芯片4及第2发光芯片5间的距离来决定。如图2所示，第1光接收芯片2的上表面的第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光耦合装置，其特征在于具备：第1光接收芯片，具有第1上表面及第1侧面，所述第1上表面在一端侧具有第1区域及在另一端侧具有第2区域；第2光接收芯片，具有第2上表面及第2侧面，所述第2上表面在一端侧具有第3区域及另一端侧的第4区域，且以在第1方向，所述第3区域与所述第1区域并排，且所述第2侧面与所述第1侧面对向的方式配置；第1发光芯片，设置在所述第1区域；第2发光芯片，设置在所述第4区域；第1连接部，配置在所述第2区域，利用接合线电连接在所述第2发光芯片；以及第2连接部，配置在所述第3区域，利用接合线电连接在所述第1发光芯片。

【技术特征摘要】
2015.08.03 JP 2015-1535331.一种光耦合装置，其特征在于具备：第1光接收芯片，具有第1上表面及第1侧面，所述第1上表面在一端侧具有第1区域及在另一端侧具有第2区域；第2光接收芯片，具有第2上表面及第2侧面，所述第2上表面在一端侧具有第3区域及另一端侧的第4区域，且以在第1方向，所述第3区域与所述第1区域并排，且所述第2侧面与所述第1侧面对向的方式配置；第1发光芯片，设置在所述第1区域；第2发光芯片，设置在所述第4区域；第1连接部，配置在所述第2区域，利用接合线电连接在所述第2发光芯片；以及第2连接部，配置在所述第3区域，利用接合线电连接在所述第1发光芯片。2.根据权利要求1所述的光耦合装置，其特征在于：所述第1连接部以与所述第2发光芯片对向的方式配置，所述第2连接部以与所述第1发光芯片对向的方式配置。3.根据权利要求1或2所述的光耦合装置，其特征在于：所述第1连接部具有：第1导线连接部，连接在所述第2发光芯片的阳极；以及第2导线连接部，连接在所述第2发光芯片的阴极；所述第2连接部具有：第3导线连接部，连接在所述第1发光芯片的阳极；以及第4导线连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：钉山裕太，斎藤比佐实，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP