一种识别芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种识别芯片，所述识别芯片自下而上依次包含：生长衬底，发光外延层，透明导电层，反射镜层，阻挡层，N电极扩散层，钝化层，电极，所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P电极区域，所述第一预留区域、第二预留区域包含特定的标识信息。本实用新型专利技术提供一种识别芯片及其制作方法可用于解决现有技术中不同芯片或者芯片电极难以识别的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种芯片，特别是一种识别芯片。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)的生产、检测流程中使用的自动化机，具体包括粘晶机(DieBonder)、邦定机(WireBonder)及芯片检测机(ChipProber)等均需要图形识别(PatternRecognition)功能，以判别芯片的正确位置并引导机台动作。LED芯片上的结构以金属电极最为明显易判读，因此在执行影像识别时一向以金属电极的图形为依据。芯片表面粗化(SurfaceRoughen)及图案基板(PatternedSapphireSubstrate)等提高芯片亮度新技术的采用往往造成CCD影像灰阶的变化导致金属电极不易区分。而且LED芯片的典型尺寸在0.22mm～0.35mm之间，LED芯片的电极结构更小，要进一步快速区分N型和P型电极的难度更大，因此需要一个更好的方案识别LED芯片，区分芯片P、N电极，并且适用于多种芯片。而且虽然芯片的厂家各有不同，但芯片尺寸规格基本一样，往往需要检测芯片的各项电参、光参或者观测内部电路来区分品牌，鉴别起来比较麻烦。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种识别芯片及其制作方法，用于解决现有技术中不同芯片或者芯片电极难以识别的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种识别芯片制作方法，包括以下步骤：1)提供一外延结构，于所述外延结构上形成阻挡层，并于所述阻挡层刻蚀或腐蚀形成N孔区域和P孔区域；2)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出；3)生长钝化层，对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P孔区域；其中，所述第一预留区域及第二预留区域包含特定的标识信息。优选地，所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μm。优选地，所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一种或多种构成的标识信息。优选地，在步骤3)之后，还包括下列步骤：在所述钝化层上形成N型电极和P型电极，所述第一预留区域设置于所述P电极区域，所述第二预留区域设置于所述N电极区域，用于区别电极。优选地，所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层，所述第二预留区域的深度为直至所述N电极扩散层。优选地，步骤3)包括步骤：3-1)于所述钝化层表面涂覆光刻胶；3-2)对所述光刻胶进行图形化处理；3-3)依据图形化的光刻胶对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区域。优选地，所述外延结构的制作方法包括以下步骤：1-1)提供一生长衬底，在所述衬底上形成发光外延层；1-2)于所述发光外延层上形成透明导电层，然后刻蚀出切割道区域和N孔区域；1-3)于所述透明导电层上制作反射镜层。优选地，步骤1-2)中，所述N孔区域的深度为直至所述发光外延层的N型层。本技术还提供了一种识别芯片，自下而上依次包含：生长衬底；发光外延层，形成于所述衬底上表面；透明导电层，形成于所述发光外延层上表面；反射镜层，形成于所述透明导电层上表面；阻挡层，形成于所述外延结构上表面，所述阻挡层包含N孔区域和位于P孔区域；N电极扩散层，形成于所述阻挡层上表面，所述N电极扩散层包含N孔区域；钝化层，形成于所述阻挡层上表面，所述钝化层包含第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P电极区域；电极层，形成于所述钝化层上表面。其中，所述第一预留区域、第二预留区域包含特定的标识信息。优选地，所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μm。优选地，所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一种或多种构成的标识信息。优选地，所述电极层包含P型电极和N型电极，形成于所述钝化层上表面，所述第一预留区域设置于P电极区域，所述第二预留区域设置于N电极区域，用于区别电极。所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层，所述第二预留区域的深度为直至所述N电极扩散层。如上所述，本技术的一种识别芯片及其制作方法，包含以下有益效果：(1)于识别芯片的阻挡层、扩散层或钝化层中通过腐蚀、刻蚀或剥离的方式形成不同的预留区域，可以将特定标识信息承载于芯片中，从而实现识别功能。(2)通过将预留区域的信息设置为产品信息或公司信息(例如，公司的LOG)，这样不仅可以让使用者轻易识别芯片的不同类型和生产厂家等，而且可以增加产品品牌识别度。(3)通过将预留区域设置于不同电极区域的特定位置，从而实现对芯片不同电极的标识，可以更直观更有效的区分芯片的P电极和N电极，使之能适用于各种芯片，方便芯片生产、检测流程中进行图形识别，显著提高芯片鉴别率和生产效率，降低废品率和生产成本。(4)通过将预留区域的信息设置为防伪信息(例如产品编码)，由于该防伪信息承载于芯片的内部，使得造假者难以轻易仿制，可以实现芯片的防伪功能。(5)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出，增加电流在发光层的扩散。附图说明图1-13显示为本技术识别芯片的制作方法中依据各步骤呈现的识别芯片结构示意图。图14显示为本技术的识别芯片的各层分布示意图。元件标号说明101生长衬底102发光外延层103透明导电层104反射镜层105阻挡层106N电极扩散层107钝化层108电极层2011-2013切割道区域2021-2023N孔区域2031-2032P孔区域301-306光刻胶层401第一预留区域402第二预留区域501-502电极区域S1～S7步骤具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至14。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1-13所示，本技术提供一种LED识别芯片的制作方法，制作方法至少包括以下步骤：如图1所示，首先执行步骤S1，提供一生长衬底101，并于生长衬底101的上表面形成一发光外延层102。本实施例中，生长衬底101可以为蓝宝石(Al2O3)，发光外延层102包含N-GaN发光外延层。接着执行步骤S2。如图1和图2所示，在步骤S2中，于发光外延层102上表面形成透明导电层103。首先，如图1所示，在发光外延层102表面采用蒸镀或溅射工艺形成一透明导电层103。然后，在透明导电层103上形成一光刻胶层301，于光刻胶层301上分别定义出第一切割道区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种识别芯片，其特征在于，所述识别芯片包含：生长衬底；发光外延层，形成于所述衬底上表面；透明导电层，形成于所述发光外延层上表面；反射镜层，形成于所述透明导电层上表面；阻挡层，形成于所述反射镜层上表面，所述阻挡层具有N孔区域和P孔区域；N电极扩散层，形成于所述阻挡层上表面，所述N电极扩散层具有N孔区域；钝化层，形成于所述阻挡层上表面，所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应P电极区域；电极层，形成于所述钝化层上表面；其中，所述第一预留区域、第二预留区域包含标识信息。

【技术特征摘要】
1.一种识别芯片，其特征在于，所述识别芯片包含：
生长衬底；
发光外延层，形成于所述衬底上表面；
透明导电层，形成于所述发光外延层上表面；
反射镜层，形成于所述透明导电层上表面；
阻挡层，形成于所述反射镜层上表面，所述阻挡层具有N孔区域和P孔区域；
N电极扩散层，形成于所述阻挡层上表面，所述N电极扩散层具有N孔区域；
钝化层，形成于所述阻挡层上表面，所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应P电极区域；
电极层，形成于所述钝化层上表面；
其中，所述第一预留区域、第二预留区域包含标识信息。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，常文斌，林宇杰，
申请(专利权)人：上海博恩世通光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31