一种励磁单元制造技术

技术编号:14629342 阅读:117 留言:0更新日期:2017-02-13 00:36
本实用新型专利技术公开了一种励磁单元,属电磁设备领域,包括低压线性电源U1、电阻R0与二极管D5的串联电路,电阻R0的另一端连接三极管T1、三极管T2,所述三极管T1与所述三极管T2分别对应连接所述二极管D1与所述二极管D2,励磁线圈L1串联在三极管T1、三极管T2的串联电路中,所述励磁线圈L1的两端并联保护二极管D3与保护二极管D4,所述励磁线圈L1的1端连接三极管T3的集电极,所述励磁线圈L1的2端连接三极管T4的集电极,所述三极管T3的基极通过串联电阻R1、运算放大器连接所述三极管T4的发射极,所述三极管T4的发射极通过串联电阻R2接地。本实用新型专利技术杜绝了在励磁过程中因为负电势引起续流而导致三极管被反向击穿的现象,降低了励磁电路发热功率,提高了可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电磁设备领域,具体地说,是一种励磁单元
技术介绍
电磁设备中传感器励磁电路主要作用是为传感器提供稳定可靠的励磁驱动信号,为了提高电磁设备中传感器的动态响应性能,必须提高电磁流量计的励磁频率,这样周期变短,励磁电流就不容易进入稳态,从而传感器输出信号就不宜获得稳态的零点,在这个过程中,由于励磁方向快速切换,导致感应电动势应力大,使得电路发热量严重,可靠性降低。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种励磁单元。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:本技术涉及一种励磁单元,其特征在于,包括低压线性电源U1、电阻R0与二极管D5,所述二极管D5的正极连接所述低压线电源U1的输出端,所述二极管D5的负极连接所述低压线电源U1的输入端;所述低压线性电源U1的输出端与调节端之间连接电阻R0;电阻R0的另一端连接三极管T1、三极管T2,所述三极管T1与所述三极管T2分别对应连接所述二极管D1与所述二极管D2,其中,所述二极管D1的正极连接所述三极管T1的集电极,所述二极管D1的负极连接所述三极管T1的发射极;所述二极管D2的正极连接所述三极管T2的集电极,所述二极管D2的负极连接所述三极管T2的发射极,励磁线圈L1串联在三极管T1、三极管T2的串联电路中,所述励磁线圈L1的两端并联保护二极管D3与保护二极管D4,所述保护二极管D3的正极与所述保护二极管D4正极相连,所述保护二极管D3与所述保护二极管D4的负极分别连接所述励磁线圈L1两端,其中,所述保护二极管D3与所述保护二极管D4节点之间接地,所述励磁线圈L1的1端连接三极管T3的集电极,所述励磁线圈L1的2端连接三极管T4的集电极,所述三极管T3的发射极连接所述三极管T4的基极,所述三极管T3的基极通过串联电阻R1、运算放大器连接所述三极管T4的发射极,所述三极管T4的发射极通过串联电阻R2接地。与现有技术相比,本技术的积极效果是:1.本技术杜绝了在励磁过程中因为负电势引起续流而导致三极管被反向击穿的现象,降低了励磁电路发热功率,提高了可靠性。附图说明图1是本技术的电路图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创新特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本技术。如图1所示,一种励磁单元,其特征在于,包括低压线性电源U1、电阻R0与二极管D5,所述二极管D5的正极连接所述低压线电源U1的输出端,所述二极管D5的负极连接所述低压线电源U1的输入端;所述低压线性电源U1的输出端与调节端之间连接电阻R0;电阻R0的另一端连接三极管T1、三极管T2,所述三极管T1与所述三极管T2分别对应连接所述二极管D1与所述二极管D2,其中,所述二极管D1的正极连接所述三极管T1的集电极,所述二极管D1的负极连接所述三极管T1的发射极;所述二极管D2的正极连接所述三极管T2的集电极,所述二极管D2的负极连接所述三极管T2的发射极,励磁线圈L1串联在三极管T1、三极管T2的串联电路中,所述励磁线圈L1的两端并联保护二极管D3与保护二极管D4,所述保护二极管D3的正极与所述保护二极管D4正极相连,所述保护二极管D3与所述保护二极管D4的负极分别连接所述励磁线圈L1两端,其中,所述保护二极管D3与所述保护二极管D4节点之间接地,所述励磁线圈L1的1端连接三极管T3的集电极,所述励磁线圈L1的2端连接三极管T4的集电极,所述三极管T3的发射极连接所述三极管T4的基极,所述三极管T3的基极通过串联电阻R1、运算放大器连接所述三极管T4的发射极,所述三极管T4的发射极通过串联电阻R2接地。对于本领域技术人员而言,显然本技术不限于上述示范性的实施例的细节,而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本技术。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内,不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种励磁单元,其特征在于,包括低压线性电源U1、电阻R0与二极管D5,所述二极管D5的正极连接所述低压线电源U1的输出端,所述二极管D5的负极连接所述低压线电源U1的输入端;所述低压线性电源U1的输出端与调节端之间连接电阻R0;电阻R0的另一端连接三极管T1、三极管T2,所述三极管T1与所述三极管T2分别对应连接所述二极管D1与所述二极管D2,其中,所述二极管D1的正极连接所述三极管T1的集电极,所述二极管D1的负极连接所述三极管T1的发射极;所述二极管D2的正极连接所述三极管T2的集电极,所述二极管D2的负极连接所述三极管T2的发射极,励磁线圈L1串联在三极管T1、三极管T2的串联电路中,所述励磁线圈L1的两端并联保护二极管D3与保护二极管D4,所述保护二极管D3的正极与所述保护二极管D4正极相连,所述保护二极管D3与所述保护二极管D4的负极分别连接所述励磁线圈L1两端,其中,所述保护二极管D3与所述保护二极管D4节点之间接地,所述励磁线圈L1的1端连接三极管T3的集电极,所述励磁线圈L1的2端连接三极管T4的集电极,所述三极管T3的发射极连接所述三极管T4的基极,所述三极管T3的基极通过串联电阻R1、运算放大器连接所述三极管T4的发射极,所述三极管T4的发射极通过串联电阻R2接地。...

【技术特征摘要】
1.一种励磁单元,其特征在于,包括低压线性电源U1、电阻R0与二极管D5,所述二极管D5的正极连接所述低压线电源U1的输出端,所述二极管D5的负极连接所述低压线电源U1的输入端;所述低压线性电源U1的输出端与调节端之间连接电阻R0;电阻R0的另一端连接三极管T1、三极管T2,所述三极管T1与所述三极管T2分别对应连接所述二极管D1与所述二极管D2,其中,所述二极管D1的正极连接所述三极管T1的集电极,所述二极管D1的负极连接所述三极管T1的发射极;所述二极管D2的正极连接所述三极管T2的集电极,所述二极管D2的负极连接所述三极管T2的发射极,励磁线圈L1...

【专利技术属性】
技术研发人员:张天城
申请(专利权)人:天津市科德尔科技发展有限公司
类型:新型
国别省市:天津;12

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