【技术实现步骤摘要】
本技术涉及悬浮坩埚
，具体涉及一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架。
技术介绍
目前的悬浮坩埚采用的支架为固定支架，固定支架上部悬挂于大埚之上，下部将悬浮埚套在其中以稳定悬浮坩埚。固定支架能够很好地稳定悬浮坩埚的位置，但是由于在实际拉晶的过程中，随着锗溶液液面的下降，悬浮坩埚随之下降，而固定支架位置不变，这样存在两点问题：一是随着液面下降，悬浮坩埚有可能脱离支架，二是破坏炉内系统的热场平衡，导致单晶出现位错。
技术实现思路
专利技术目的：针对现有技术的不足，本技术提供一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架，能够控制悬浮坩埚内的锗熔体深度及悬浮坩埚内的热场平衡。技术方案：本技术所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架，所述支架本体呈环形凹槽结构，所述支架本体设于悬浮坩埚上部、通过凹槽卡紧悬浮坩埚的上沿，所述环形凹槽外围突出若干个卡位结构与大埚接触以保持稳定。支架本体通过凹槽与悬浮坩埚相连，通过卡位结构与大埚保持接触以保持相对位置稳定，即起到了稳定悬浮坩埚的作用，又能够控制悬浮坩埚内的锗熔体深度及悬浮坩埚内的热场平衡。进一步完善上述技术方案，所述支架本体的环形凹槽结构包括外围壁、形成在外围壁内的凹槽以及凹槽中心的中空圆。进一步地，所述外围壁内径为370mm、外径为380mm、高度为8mm，所述凹槽高度为4mm，所述中空圆直径为330mm。进一步地，所述卡位机构为四个，均匀设置在所述环形凹槽外围。进一步地，所述卡位机构包括与所述支架本体相连的矩形块以及与矩形块相连的半圆块。进一步地...
【技术保护点】
一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架，包括支架本体，其特征在于：所述支架本体呈环形凹槽结构，所述支架本体设于悬浮坩埚上部、通过凹槽卡紧悬浮坩埚的上沿，所述环形凹槽外围突出若干个卡位结构与大埚接触以保持稳定。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架，包括支架本体，其特征在于：所述支架本体呈环形凹槽结构，所述支架本体设于悬浮坩埚上部、通过凹槽卡紧悬浮坩埚的上沿，所述环形凹槽外围突出若干个卡位结构与大埚接触以保持稳定。
2.根据权利要求1所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架，其特征在于：所述支架本体的环形凹槽结构包括外围壁、形成在外围壁内的凹槽以及凹槽中心的中空圆。
3.根据权利要求2所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架，其特征在于：所述外围壁内径为370mm、外径为380mm、高度为8mm，所述凹槽高度为4mm，所述中空圆直径...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆海凤，柯尊斌，秦瑶，席珍强，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，南京中锗科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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