冷却装置及半导体加工设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供的冷却装置及半导体加工设备，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，包括封闭的冷却腔和多层隔板，其中多层隔板设置在冷却腔中，且沿竖直方向间隔设置；并且在每层隔板上设置有至少三个凸台，用以支撑晶片，且使晶片与隔板不相接触。本实用新型专利技术提供的冷却装置，其可以将相邻的两个晶片相隔离，从而可以避免相邻的两个晶片之间的互相污染，尤其可以避免晶片上表面残留的腐蚀性气体污染上层晶片，进而可以保证晶片的质量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微电子加工
，具体地，涉及一种冷却装置及半导体加工设备。
技术介绍
等离子体加工设备广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中，其原理是利用射频将工艺气体激发为含有大量电子、离子等活性粒子的等离子体，这些活性粒子和衬底相互作用使材料表面变化，从而完成刻蚀工艺。工艺后，由于晶片表面仍有工艺气体以及刻蚀残留物，而且晶片的温度较高，因而不能直接返回到片盒中，通常，采用冷却装置对完成工艺的晶片进行去气清洁以及冷却。图1为现有的冷却装置的结构示意图。请参阅图1，该冷却装置包括冷却腔1和设置在其内的多个支架2，多个支架2分别具有多层插槽，用于承载多个晶片3，且沿竖直方向间隔设置。当晶片完成刻蚀工艺后，其表面仍留有大量的刻蚀残留物，此时通过机械手(图中未示出)传输至冷却装置中进行去气及冷却。上述冷却装置在实际应用中不可避免地存在以下问题：由于受到冷却装置整体尺寸限制，导致支架2上相邻的两层插槽之间的竖直距离较窄，从而造成相邻的两个晶片之间的间距较近，存在互相污染的问题，被污染的晶片往往无法满足更高精度的刻蚀技术要求。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种冷却装置及半导体加工设备，其可以解决相邻的两个晶片存在互相污染的问题。为实现本技术的目的而提供一种冷却装置，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，包括封闭的冷却腔，还包括多层隔板，所述多层隔板设置在所述冷却腔中，且沿竖直方向间隔设置；并且，在每层隔板上设置有至少三个凸台，用以支撑晶片，且使所述晶片与所述隔板不相接触。优选的，所述隔板与所述冷却腔的内侧壁可拆卸的连接。优选的，对于每层隔板，相对地分别在所述冷却腔对侧的内侧壁上设置有插槽，所述隔板的两端位于所述插槽中。优选的，所述隔板与所述冷却腔的内侧壁通过螺钉连接。优选的，还包括匀流板，所述匀流板设置在所述冷却腔中，且与所述隔板相互垂直，并且所述匀流板将所述冷却腔隔离形成冷却子腔和匀流子腔；所述多层隔板位于所述冷却子腔中；在所述匀流板上均匀分布有多个出气孔，并且在所述匀流子腔与所述匀流板相对的侧壁上设置有抽气口，用以排出所述匀流子腔中的气体。优选的，所述至少三个凸台以所述隔板的几何中心对称分布。优选的，所述凸台呈柱状。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种半导体加工设备，其包括冷却装置，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，所述冷却装置采用本技术提供的上述冷却装置。优选的，还包括机械手，用于将晶片传入所述冷却装置中，或者自所述冷却装置中取出晶片。本技术具有以下有益效果：本技术提供的冷却装置，其在冷却腔内设置多层隔板，且沿竖直方向间隔设置，并且在每层隔板上设置有至少三个凸台，用以支撑晶片，且使晶片与隔板不相接触。借助多层隔板，可以将相邻的两个晶片相隔离，从而可以避免相邻的两个晶片之间的互相污染，尤其可以避免晶片上表面残留的腐蚀性气体污染上层晶片，进而可以保证晶片的质量。本技术提供的半导体加工设备，其通过采用本技术提供的上述冷却装置，可以避免相邻的两个晶片之间的互相污染，尤其可以避免晶片上表面残留的腐蚀性气体污染上层晶片，进而可以保证晶片的质量。附图说明图1为现有的冷却装置的结构示意图；图2为本技术第一实施例提供的冷却装置的结构图；图3为本技术第一实施例采用的隔板的结构图；图4为本技术第一实施例提供的冷却装置的局部结构图；图5为本技术第二实施例提供的冷却装置的内部结构图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图来对本技术提供的冷却装置及半导体加工设备进行详细描述。图2为本技术第一实施例提供的冷却装置的结构图。图3为本技术第一实施例采用的隔板的结构图。图4为本技术第一实施例提供的冷却装置的局部结构图。请一并参阅图2-图4，冷却装置用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，其包括封闭的冷却腔10和多层隔板11，其中，多层隔板11设置在冷却腔10中，且沿竖直方向间隔设置。并且，在每层隔板11上设置有至少三个凸台12，用以支撑晶片，且使晶片与隔板11不相接触，从而在机械手进行放片操作时，机械手能够通过平移至晶片和位于其下方、与之相邻的隔板11之间，再通过下降将晶片传递至该隔板11的凸台12上。优选的，如图3所示，凸台12呈柱状，以减小与晶片下表面的接触面积。进一步优选的，至少三个凸台12以隔板11的几何中心对称分布，以保证能够平稳地支撑晶片。借助多层隔板11，可以将相邻的两个晶片相隔离，从而可以避免相邻的两个晶片之间的互相污染，尤其可以避免晶片上表面残留的腐蚀性气体污染上层晶片，进而可以保证晶片的质量。优选的，隔板11与冷却腔10的内侧壁可拆卸的连接，从而可以方便隔板11的拆卸，以对隔板11进行更换或清洗。在本实施例中，隔板11与冷却腔10可拆卸的连接方式具体为：如图4所示，对于每层隔板11，相对地分别在冷却腔对侧的内侧壁(101，102)上设置有插槽103，隔板11的两端位于该插槽103中。在需要对隔板11进行更换或清洗时，只需对隔板11自插槽103中抽出，即可将隔板11拆卸下来。需要说明的是，在实际应用中，还可以采用其他方式使隔板11与冷却腔10可拆卸的连接，例如，隔板11与冷却腔10的内侧壁通过螺钉连接。图5为本技术第二实施例提供的冷却装置的内部结构图。请参阅图5，本实施例提供的冷却装置与上述第一实施例相比，其区别仅在于：增设了匀流板13。具体地，匀流板13设置在冷却腔10中，且与隔板11相互垂直，并且匀流板13将冷却腔10隔离形成冷却子腔105和匀流子腔104。其中，多层隔板11位于冷却子腔105中。而且，在匀流板13上均匀分布有多个出气孔131，并且在匀流子腔104与匀流板13相对的侧壁106上设置有抽气口107，用以排出匀流子腔104中的气体。借助匀流板13，可以提高冷却子腔105中的气体分布均匀性，从而可以提高晶片的温度均匀性。作为另一个技术方案，本技术实施例还提供一种半导体加工设备，其包括冷却装置，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，该冷却装置采用了本技术实施例提供的上述冷却装置。可选的，半导体加工设备还包括机械手，用于将晶片传入冷却装置中，或者自冷却装置中取出晶片。当然，还可以采用人工或者其他装置将晶片传入冷却装置中，或者自冷却装置中取出晶片。本技术实施例提供的半导体加工设备，其通过采用本技术实施例提供的上述冷却装置，可以避免相邻的两个晶片之间的互相污染，尤其可以避免晶片上表面残留的腐蚀性气体污染上层晶片，进而可以保证晶片的质量。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本技术的原理而采用的示例性实施方式，然而本技术并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本技术的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冷却装置，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，包括封闭的冷却腔，其特征在于，还包括多层隔板，所述多层隔板设置在所述冷却腔中，且沿竖直方向间隔设置；并且，在每层隔板上设置有至少三个凸台，用以支撑晶片，且使所述晶片与所述隔板不相接触。

【技术特征摘要】
1.一种冷却装置，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，包括封闭的冷却腔，其特征在于，还包括多层隔板，所述多层隔板设置在所述冷却腔中，且沿竖直方向间隔设置；并且，在每层隔板上设置有至少三个凸台，用以支撑晶片，且使所述晶片与所述隔板不相接触。2.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述隔板与所述冷却腔的内侧壁可拆卸的连接。3.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，对于每层隔板，相对地分别在所述冷却腔对侧的内侧壁上设置有插槽，所述隔板的两端位于所述插槽中。4.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述隔板与所述冷却腔的内侧壁通过螺钉连接。5.根据权利要求1-4任意一项所述的冷却装置，其特征在于，还包括匀流板，所述匀流板设置在所述冷却腔中，且与所述隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋瑞智，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11