本实用新型专利技术涉及一种辐照度数据采集单元，所述光电池为III‑V族光电池，该III‑V族光电池安装在一覆铜散热陶瓷基板上端面，该覆铜散热陶瓷基板安装在所述底盒内，底盒上端开口安装上盖，上盖嵌装一全透光玻璃。本实用新型专利技术中，III‑V族光电池具有更高的电流密度，可以工作在更宽、更高的聚光倍数下，具有更宽的光谱响应范围，埋置式热敏电阻可以对光电池进行工作温度监测，避免了计算误差，上盖和底盒形成的空间内保持密封状态，有效的将导电部件保护起来，便于存放、运输及安装，其整体绝缘性能可通过IEC62108干湿绝缘测试，保证数据采集单元运行的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于辐照度数据采集单元结构改进
，尤其是一种辐照度数据采集单元。
技术介绍
在环境条件数据采集领域中的辐照度数据采集，最重要的部件是负责接收信号的信号采集单元，信号采集单元的核心部件采用硅光电池，当光照射硅光电池时，硅光电池内部将产生一个光生电流，因此短路电流在很宽的光强范围内与光照强度成正比，其比例参数与硅电池的结构和材料特效有关。该类型产品在使用时存在以下问题：1.硅光电池受自身材质限制光谱范围在450～1100nm之间，受工作温度、光谱响应、最大电流密度等方面限制，无法测试高倍聚光(硅光电池一般最高工作在350倍聚光条件下)与全部波长光谱条件下的辐照度；2.正负极引出端子直接贴于覆铜散热陶瓷基板上，绝缘耐压效果差，一旦出现泄漏，潮湿的空气或水都会导致裸露部件之间的短路，严重时导致数据采集单元的损坏；3.数据采集时，硅光电池的短路电流随温度升高而明显增加，仅仅根据硅电池所产生的电流与入射光的强度之间的线性关系计算出的辐照度并不准确。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供绝缘耐压能力好、计算结果准确且运行可靠的一种辐照度数据采集单元。本技术采取的技术方案是：一种辐照度数据采集单元，包括底盒、上盖、光电池和引出端子，其特征在于：所述光电池为III-V族光电池，该III-V族光电池安装在一覆铜散热陶瓷基板上端面，该覆铜散热陶瓷基板安装在所述底盒内，底盒上端开口安装上盖，上盖嵌装一全透光玻璃，该全透光玻璃与所述III-V族光电池相对位，所述III-V族光电池的正极和负极分别连接一引出端子的一端，每个引出端子的另一端自所述底盒底面伸出至底盒外侧。而且，所述全透光玻璃外缘与上盖制出的开口内缘有密封胶。而且，在III-V族光电池下方的底盒表面嵌装多个光敏电阻，每个光敏电阻连接的引线通过底盒上设置的防水端子引出底盒外侧。而且，位于底盒内的引出端子的一端和位于底盒外的引出端子的一部分上套装一绝缘套管。本技术的优点和积极效果是：本技术中，III-V族光电池替代了传统硅光电池，具有更高的电流密度，可以工作在更宽、更高的聚光倍数下，可以采集1-1500倍聚光条件下的辐照度数据，具有更宽的光谱响应范围，可接收300-1800nm波长范围内光强,在III-V族光电池下方的底盒表面嵌装埋置式热敏电阻，可以对III-V族光电池进行工作温度监测，将III-V族光电池的温度特性引入计算中，避免了计算误差，全透光玻璃安装的缝隙处和引出端子伸出底盒处均被封闭，使上盖和底盒形成的空间内保持密封状态，有效的将导电部件保护起来，便于存放、运输及安装，其整体绝缘性能可通过IEC62108干湿绝缘测试，保证数据采集单元运行的稳定性。附图说明图1是本技术的结构示意图；图2是图1的爆炸图；图3是底盒的俯视图；图4是热敏电阻的安装位置图。具体实施方式下面结合实施例，对本技术进一步说明，下述实施例是说明性的，不是限定性的，不能以下述实施例来限定本技术的保护范围。一种辐照度数据采集单元，如图1～4所示，包括底盒2、上盖1、光电池9和引出端子7，本技术的创新在于：所述光电池为III-V族光电池，该III-V族光电池安装在一覆铜散热陶瓷基板10上端面，该覆铜散热陶瓷基板安装在所述底盒内，底盒上端开口安装上盖，上盖嵌装一全透光玻璃4，该全透光玻璃与所述III-V族光电池相对位，所述III-V族光电池的正极和负极分别连接一引出端子的一端，每个引出端子的另一端自所述底盒底面伸出至底盒外侧。本实施例中，III-V族光电池、引出端子和二极管13均安装在通过绝缘沟槽化分为部分16和部分15的覆铜散热陶瓷基板上，所述III-V族光电池底面与覆铜陶瓷基板部分16相连，正面通过金带17与覆铜陶瓷基板部分15键合相连，覆铜散热陶瓷基板通过导热胶粘接在底盒上。两个引出端子通过底盒上制出的开孔14伸出底盒，底盒的四角处设置用于底盒安装的螺栓孔5。所述全透光玻璃外缘与上盖制出的开口7内缘有密封胶8。在III-V族光电池下方的底盒表面嵌装多个光敏电阻11，每个光敏电阻连接的引线12通过底盒上设置的防水端子3引出底盒外侧。位于底盒内的引出端子的一端和位于底盒外的引出端子的一部分上套装一绝缘套管6。上盖与底盒紧固后，全透光玻璃恰好置于III-V族光电池接收光线的路径上方，III-V族光电池可根据光谱响应与电流密度要求选用不同材质的单结或多结光电池，绝缘套管为陶瓷、云母或合成石，埋置式热敏电阻与金属底盒之间均做绝缘处理，埋置式热敏电阻在安装前需做绝缘处理，工作过程中可以避免热敏电阻的漏电现象，埋置式热敏电阻的引线在通过防水端子后使操作人员按引线编号或引线颜色对其进行追溯。本技术中，III-V族光电池替代了传统硅光电池，具有更高的电流密度，可以工作在更宽、更高的聚光倍数下，可以采集1-1500倍聚光条件下的辐照度数据，具有更宽的光谱响应范围，可接收300-1800nm波长范围内光强,在III-V族光电池下方的底盒表面嵌装埋置式热敏电阻，可以对III-V族光电池进行工作温度监测，将III-V族光电池的温度特性引入计算中，避免了计算误差，全透光玻璃安装的缝隙处和引出端子伸出底盒处均被封闭，使上盖和底盒形成的空间内保持密封状态，有效的将导电部件保护起来，便于存放、运输及安装，其整体绝缘性能可通过IEC62108干湿绝缘测试，保证数据采集单元运行的稳定性。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种辐照度数据采集单元，包括底盒、上盖、光电池和引出端子，其特征在于：所述光电池为III‑V族光电池，该III‑V族光电池安装在一覆铜散热陶瓷基板上端面，该覆铜散热陶瓷基板安装在所述底盒内，底盒上端开口安装上盖，上盖嵌装一全透光玻璃，该全透光玻璃与所述III‑V族光电池相对位，所述III‑V族光电池的正极和负极分别连接一引出端子的一端，每个引出端子的另一端自所述底盒底面伸出至底盒外侧。
【技术特征摘要】
1.一种辐照度数据采集单元，包括底盒、上盖、光电池和引出端子，其特征在于：所述光电池为III-V族光电池，该III-V族光电池安装在一覆铜散热陶瓷基板上端面，该覆铜散热陶瓷基板安装在所述底盒内，底盒上端开口安装上盖，上盖嵌装一全透光玻璃，该全透光玻璃与所述III-V族光电池相对位，所述III-V族光电池的正极和负极分别连接一引出端子的一端，每个引出端子的另一端自所述底盒底面伸出至底盒外侧。2.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：林芃，郑光恒，于洪旺，杨亚丽，仲琳，
申请(专利权)人：天津蓝天太阳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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