一种承载装置、反应腔室和半导体加工设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种承载装置、反应腔室和半导体加工设备，属于半导体加工技术领域，其可解决现有的承载装置，在压环向盖板施加压力时，会导致盖板发生轻微变形，影响刻蚀工艺结果的问题。本实用新型专利技术的承载装置，包括：托盘、盖板和压环，所述托盘包括晶片承载区域和环绕所述晶片承载区域的固定区域，其中，所述晶片承载区域与所述盖板对应设置，所述盖板与所述晶片承载区域能够共同夹持晶片；所述固定区域与所述压环对应设置，所述压环与所述固定区域能够接触以固定所述托盘；且当所述压环与所述固定区域接触以固定所述托盘时，所述压环与所述固定区域进行直接接触。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体加工
，具体涉及一种承载装置、反应腔室和半导体加工设备。
技术介绍
图形化蓝宝石衬底(PatternedSapphireSubstrates，PSS)，是目前普遍采用的一种提高GaN基LED器件出光效率的方法。图形化蓝宝石衬底是采用干法刻蚀技术，对存在掩膜图形的蓝宝石衬底进行刻蚀，从而得到带有一定图形的蓝宝石衬底。在PSS刻蚀工艺中，为了提高产能，一般是多片蓝宝石片同时刻蚀。请参照图1至图3，工艺时，将装有蓝宝石片3的托盘4通过机械手传入工艺腔室，然后放于等离子体刻蚀设备的基座上，托盘4通过压环2的作用固定于基座上。在现有的蓝宝石片的承载装置中，采用盖板1和托盘4共同夹持蓝宝石片3，并利用压环2压住盖板1的边缘，以将盖板1和托盘4固定在反应腔室内的基座上。由于盖板1和托盘4存在平面度公差(约0.1mm)，因此，一般会在盖板1与托盘4之间保留一定的间隙D，即，盖板1仅与蓝宝石片3上表面的边缘接触，而不与托盘4接触，以避免蓝宝石片3与托盘4接触不实的问题。但现有技术中至少存在如下问题：由于盖板1与托盘4之间存在间隙，在压环2向盖板1施加压力时，会导致盖板1发生轻微变形，影响刻蚀工艺结果。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够避免盖板发生轻微变形，提高刻蚀工艺结果的承载装置、反应腔室和半导体加工设备。解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种承载装置，包括：托盘、盖板和压环，所述托盘包括晶片承载区域和环绕所述晶片承载区域的固定区域，其中，所述晶片承载区域与所述盖板对应设置，所述盖板与所述晶片承载区域能够共同夹持晶片；所述固定区域与所述压环对应设置，所述压环与所述固定区域能够接触以固定所述托盘；且当所述压环与所述固定区域接触以固定所述托盘时，所述压环与所述固定区域进行直接接触。其中，当所述压环与所述固定区域接触、且所述盖板与所述晶片承载区域共同夹持晶片时，所述盖板的外周壁与所述压环的内周壁之间具有水平间隙。其中，所述水平间隙为1～5mm。其中，所述水平间隙为1.5mm。其中，所述承载装置还包括升降机构，所述升降机构与所述托盘连接，用于驱动所述托盘上升至工艺位置进行工艺，或者下降至装卸位置进行取放片操作；在所述托盘位于工艺位置时，所述压环压住所述托盘；在所述托盘离开工艺位置时，所述压环与所述托盘分离。其中，在所述晶片承载区域设置有用于承载晶片的承载面，在所述承载面的边缘区域设置有环形凹槽，且在所述环形凹槽内设置有密封圈，用以对晶片与所述承载面之间的间隙进行密封。其中，在所述环形凹槽内还设置有定位环，用以限定所述密封圈在所述环形凹槽内的位置。其中，所述承载面的数量为一个或者多个，且多个所述承载面分布在以所述晶片承载区域的中心为圆心的一个圆周上，或分布在以所述晶片承载区域的中心为圆心、但具有不同半径的多个圆周上。作为另一技术方案，本技术还提供一种反应腔室，所述反应腔室包括上述任意一项所述的承载装置。作为另一技术方案，本技术还提供一种半导体加工设备，所述半导体加工设备包括上述的反应腔室。本技术的承载装置、反应腔室和半导体加工设备中，该承载装置包括：托盘、盖板和压环，托盘包括晶片承载区域和环绕所述晶片承载区域的固定区域，其中，所述晶片承载区域与所述盖板对应设置，所述盖板与所述晶片承载区域能够共同夹持晶片；所述固定区域与所述压环对应设置，所述压环与所述固定区域能够接触以固定所述托盘；且当所述压环与所述固定区域接触以固定所述托盘时，所述压环与所述固定区域进行直接接触。本技术的承载装置与现有技术相比，采用盖板压住晶片，压环压住托盘的方式不仅能够将晶片固定在基座上，而且能够使压环与盖板之间不相干扰，从而可以避免盖板因压环的作用发生轻微变形，进而可以保证刻蚀结果。附图说明图1为现有的承载装置的俯视图；图2为现有的承载装置的剖视图；图3图2的局部放大图；图4为本技术的实施例1的承载装置的俯视图；图5为本技术的实施例1的承载装置的结构示意图；其中，附图标记为：1、盖板；2、压环；3、蓝宝石片/晶片；4、托盘；41、晶片承载区域；42、固定区域；43、承载面；5、环形凹槽；6、密封圈；7、定位环；8、螺钉。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细描述。实施例1：请参照图4和图5，本实施例提供一种承载装置，包括：托盘4、盖板1和压环2，托盘4包括晶片承载区域41和环绕晶片承载区域41的固定区域42，其中，晶片承载区域41与盖板1对应设置，盖板1与晶片承载区域41能够共同夹持晶片3；固定区域42与压环2对应设置，压环2与固定区域42能够接触以固定托盘4；且当压环2与固定区域42接触以固定托盘4时，压环2与固定区域42进行直接接触。从图4和图5可以看出，盖板1设置在托盘4上方，盖板1将晶片3压在托盘4上，压环2直接压住托盘4，这样可以使压环2与盖板1不相干扰，从而可以避免盖板1因压环2的作用发生轻微变形，进而可以保证刻蚀结果。其中，当压环2与固定区域42接触、且盖板1与晶片承载区域41共同夹持晶片时，盖板1的外周壁与压环2的内周壁之间具有水平间隙d。之所以使盖板1的外周壁与压环2的内周壁之间具有水平间隙d，是为了使托盘4带动盖板1进行上升或下降的过程中，压环2不与盖板1发生碰撞，以避免因压环2与盖板1发生碰撞而引起的盖板1未将晶片3压住的问题。优选地，水平间隙d为1～5mm。进一步优选地，水平间隙d为1.5mm。当然，水平间隙d的大小并不局限于此，可根据实际情况进行设置，在此不再赘述。其中，承载装置还包括升降机构(图中未示出)，升降机构与托盘4连接，用于驱动托盘4上升至工艺位置进行工艺，或者下降至装卸位置进行取放片操作；在托盘4位于工艺位置时，压环2压住托盘4；在托盘4离开工艺位置时，压环2与托盘4分离。之所以设置升降机构，是为了对调节压环2与托盘4之间的位置关系，以通过升降机构将托盘升降至适当位置，使压环2将托盘4压住。其中，在晶片承载区域41设置有用于承载晶片3的承载面43，在承载面43的边缘区域设置有环形凹槽5，且在环形凹槽5内设置有密封圈6，用以对晶片3与承载面43之间的间隙进行密封。从图4中可以看出，在承载面43的边缘区域设置有环形凹槽5，且在环形凹槽5内设置有密封圈6，之所以如此设置，是为了对晶片3与承载面43之间的间隙进行密封。若承载面43与晶片3之间出现间隙，会导致晶片3和承载面43之间出现热交换媒介泄漏(即氦漏)现象，氦漏不稳定会导致晶片3的温度发生变化，进而影响刻蚀结果，因此，对晶片3与承载面43之间的间隙进行密封，可以有效防止晶片3与承载面43之间的热交换媒介泄漏，进一步地，避免了泄漏的热交换媒介对刻蚀结果的影响。其中，在环形凹槽5内还设置有定位环7，用以限定密封圈6在环形凹槽5内的位置。之所以如此设置，是为了防止密封圈6与环形凹槽5发生相对移动，从而避免氦漏。其中，承载面43的数量为一个或者多个，且多个承载面43分布在以晶片承载区域11的中心为圆心的一个圆周上，或分布在以晶片承载区域11的中心为圆心、但具有不同半径的多个圆周上。之所以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载装置，包括：托盘、盖板和压环，其特征在于，所述托盘包括晶片承载区域和环绕所述晶片承载区域的固定区域，其中,所述晶片承载区域与所述盖板对应设置，所述盖板与所述晶片承载区域能够共同夹持晶片；所述固定区域与所述压环对应设置，所述压环与所述固定区域能够接触以固定所述托盘；且当所述压环与所述固定区域接触以固定所述托盘时，所述压环与所述固定区域进行直接接触。

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，包括：托盘、盖板和压环，其特征在于，所述托盘包括晶片承载区域和环绕所述晶片承载区域的固定区域，其中,所述晶片承载区域与所述盖板对应设置，所述盖板与所述晶片承载区域能够共同夹持晶片；所述固定区域与所述压环对应设置，所述压环与所述固定区域能够接触以固定所述托盘；且当所述压环与所述固定区域接触以固定所述托盘时，所述压环与所述固定区域进行直接接触。2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，当所述压环与所述固定区域接触、且所述盖板与所述晶片承载区域共同夹持晶片时，所述盖板的外周壁与所述压环的内周壁之间具有水平间隙。3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述水平间隙为1～5mm。4.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述水平间隙为1.5mm。5.根据权利要求1至4任意一项所述的承载装置，其特征在于，该承载装置还包括升降机构，所述升降机构与所述托盘连接，用于驱动所述托盘上升至工艺位置进行工艺，或者下降至...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾大为，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11