通用金属掩模板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种通用金属掩模板及其制造方法，其中，所述通用金属掩模板包括：蒸镀开口区域和厚度渐变区域；所述蒸镀开口区域与所述厚度渐变区域相接，所述厚度渐变区域的厚度沿靠近所述蒸镀开口区域的方向呈阶梯状减薄。在本发明专利技术提供的通用金属掩模板及其制造方法中，通过采用两次以上的刻蚀工艺，形成阶梯状的厚度渐变区域，从而减少残厚和蒸镀阴影，使得所述通用金属掩模板能够满足蒸镀工艺的精度要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及掩模板
，特别涉及一种通用金属掩模板及其制造方法。
技术介绍
掩模板(PhotoMask)是一种图形信息的载体，曝光工艺利用掩模板将图形信息转移到光刻胶上，再通过刻蚀工艺将图形信息固定在产品上。掩模板除了应用于芯片制造外，还广泛应用于液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、印刷电路板(PCB)、有源矩阵有机发光显示装置(AMOLED)等电子器件的制造工艺。在AMOLED制造工艺过程中，通常采用通用金属掩模板来蒸镀共通层，所述共通层系针对复数个有机发光元件而共通地形成，并且具有电子传输功能的膜层。通用金属掩模板的制作过程通常包括：卷材切片、刻蚀工艺、预张网工艺、激光切割工艺、精确张网以及激光焊接。其中，所述刻蚀工艺的目的是在金属掩模板中形成蒸镀开口区域。由于现有的通用金属掩模板的厚度较厚，按照目前的刻蚀工艺，刻蚀之后保留的残厚也比较厚。请参考图1，其为现有技术的通用金属掩模板的结构示意图。如图1所示，现有的通用金属掩模板100的厚度D一般在100μm～120μm之间，而目前刻蚀工艺所达到的刻蚀深度D1在30μm～50μm之间，通过刻蚀形成蒸镀开口区域T之后，通用金属掩模板100的蒸镀开口区域T边缘所保留的残厚D2一般在50μm～70μm之间，后续激光切割工艺中将会形成50μm～70μm厚的直边。请继续参考图1，蒸镀共通层时由于存在蒸镀角度α(一般在30°～40之间)，因此所述蒸镀开口区域T的边缘会形成较大的蒸镀阴影，蒸镀阴影的尺寸L通常超过60μm，无法满足蒸镀工艺的精度要求。基此，如何解决现有的通用金属掩模板无法满足蒸镀工艺精度要求的问题成为当前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种通用金属掩模板及其制造方法，以解决现有的通用金属掩模板无法满足蒸镀工艺精度要求的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种通用金属掩模板，所述通用金属掩模板包括：蒸镀开口区域和厚度渐变区域；所述蒸镀开口区域与所述厚度渐变区域相接，所述厚度渐变区域的厚度沿靠近所述蒸镀开口区域的方向呈阶梯状减薄。可选的，在所述的通用金属掩模板中，所述通用金属掩模板的基材厚度在100μm～120μm之间，所述通用金属掩模板保留的残厚在20μm～40μm之间。可选的，在所述的通用金属掩模板中，所述通用金属掩模板保留的残厚是指所述厚度渐变区域的最小厚度。可选的，在所述的通用金属掩模板中，还包括：遮盖区域；所述蒸镀开口区域、厚度渐变区域和遮盖区域依次连接。可选的，在所述的通用金属掩模板中，所述遮盖区域的厚度与所述通用金属掩模板的基材厚度相同。相应的，本专利技术还提供一种通用金属掩模板的制造方法，所述通用金属掩模板的制造方法包括：提供一通用金属掩模板的基材；对所述通用金属掩模板的基材进行第一次刻蚀，以形成蒸镀开口区域和厚度渐变区域的第一层阶梯；以及对所述通用金属掩模板的基材进行第二次刻蚀，以形成所述厚度渐变区域的第二层阶梯。可选的，在所述的通用金属掩模板的制造方法中，所述通用金属掩模板的基材的厚度在100μm～120μm之间；所述第一次刻蚀形成的第一层阶梯的高度在60μm～80μm之间。所述第二次刻蚀形成的第二层阶梯的高度在20μm～40μm之间。可选的，在所述的通用金属掩模板的制造方法中，所述第二层阶梯的高度即为所述通用金属掩模板保留的残厚。可选的，在所述的通用金属掩模板的制造方法中，在对所述通用金属掩模板的基材进行第二次刻蚀之后，还包括：对所述通用金属掩模板的基材进行第三次刻蚀，以形成所述厚度渐变区域的第三阶梯。可选的，在所述的通用金属掩模板的制造方法中，在对所述通用金属掩模板的基材进行第三次刻蚀之后，还包括：对所述通用金属掩模板的基材进行第四次刻蚀，以形成所述厚度渐变区域的第四阶梯。在本专利技术实施例提供的通用金属掩模板及其制造方法中，通过采用两次以上的刻蚀工艺，形成阶梯状的厚度渐变区域，从而减少残厚和蒸镀阴影，使得所述通用金属掩模板能够满足蒸镀工艺的精度要求。附图说明图1是现有技术中通用金属掩模板的结构示意图；图2是本专利技术实施例的通用金属掩模板的结构示意图；图3是本专利技术实施例的通用金属掩模板的制造方法中步骤二对应的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的通用金属掩模板及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图2，其为本专利技术实施例的通用金属掩模板的结构示意图。如图2所示，所述通用金属掩模板200包括：蒸镀开口区域A和厚度渐变区域B；所述蒸镀开口区域A的边缘与所述厚度渐变区域B连接，所述厚度渐变区域B的厚度沿靠近所述蒸镀开口区域A的方向(图中虚线箭头所示方向)呈阶梯状减薄。具体的，所述通用金属掩模板200包括蒸镀开口区域A、厚度渐变区域B和遮盖区域C，所述蒸镀开口区域A、厚度渐变区域B和遮盖区域C依次连接。所述蒸镀开口区域A与待蒸镀基板的待蒸镀区域相对应，用于在所述待蒸镀基板上蒸镀共通层或其他膜层。如图2所示，所述厚度渐变区域B设置于所述蒸镀开口区域A和遮盖区域C之间，所述厚度渐变区域B的断面形状为阶梯状，阶梯最低的一端靠近蒸镀开口区域A，阶梯最高的一端远离蒸镀开口区域A，所述遮盖区域C的厚度即为所述通用金属掩模板200的厚度D，所述厚度渐变区域B中阶梯最高的一端的厚度与所述通用金属掩模板200的厚度D相同，所述厚度渐变区域B中阶梯最低的一端的厚度是所述通用金属掩模板200保留的残厚(即所述蒸镀开口区域A的边缘厚度)。其中，所述通用金属掩模板200的厚度D一般在100μm～120μm之间，所述通用金属掩模板200保留的残厚d3在20μm～40μm之间，α为蒸镀角度，所述通用金属掩模板200保留的残厚d3与蒸镀角度α共同影响蒸镀阴影的尺寸L。本实施例中，所述厚度渐变区域B的断面形状为两层阶梯。在本专利技术的其他实施例中，所述厚度渐变区域B的断面形状可以是三层以上的阶梯，例如，三层阶梯、四层阶梯或者五层阶梯，本专利技术对此不予限制。相应的，本实施例还提供了一种通用金属掩模板的制造方法。请结合参考图2和图3，所述通用金属掩模板的制造方法包括：步骤一：提供一通用金属掩模板的基材；步骤二：对所述通用金属掩模板的基材进行第一次刻蚀，以形成蒸镀开口区域A和厚度渐变区域B的第一层阶梯；步骤三：对所述通用金属掩模板的基材进行第二次刻蚀，以形成厚度渐变区域B的第二层阶梯。具体的，首先，提供通用金属掩模板的基材(图中未示出)，所述通用金属掩模板的基材厚度均匀，所述通用金属掩模板的基材的厚度D一般在100μm～120μm之间。接着，如图3所示，对所述通用金属掩模板的基材进行第一次刻蚀，通过第一次刻蚀形成蒸镀开口区域A和厚度渐变区域B的第一层阶梯，所述第一层阶梯的高度在60μm～80μm之间。然后，如图2所示，对所述通用金属掩模板的基材进行第二次刻蚀，以形成厚度渐变区域B的第二层阶梯，所述第二层阶梯的高度在20μm～40μm之间，所述第二层阶梯的高度即为所述通用金属掩模板200保留的残厚d3。可见，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通用金属掩模板，其特征在于，包括：蒸镀开口区域和厚度渐变区域；所述蒸镀开口区域与所述厚度渐变区域相接，所述厚度渐变区域的厚度沿靠近所述蒸镀开口区域的方向呈阶梯状减薄。

【技术特征摘要】
1.一种通用金属掩模板，其特征在于，包括：蒸镀开口区域和厚度渐变区域；所述蒸镀开口区域与所述厚度渐变区域相接，所述厚度渐变区域的厚度沿靠近所述蒸镀开口区域的方向呈阶梯状减薄。2.如权利要求1所述的通用金属掩模板，其特征在于，所述通用金属掩模板的基材厚度在100μm～120μm之间，所述通用金属掩模板保留的残厚在20μm～40μm之间。3.如权利要求2所述的通用金属掩模板，其特征在于，所述通用金属掩模板保留的残厚是指所述厚度渐变区域的最小厚度。4.如权利要求1所述的通用金属掩模板，其特征在于，还包括：遮盖区域；所述蒸镀开口区域、厚度渐变区域和遮盖区域依次连接。5.如权利要求4所述的通用金属掩模板，其特征在于，所述遮盖区域的厚度与所述通用金属掩模板的基材厚度相同。6.一种通用金属掩模板的制造方法，其特征在于，包括：提供一通用金属掩模板的基材；对所述通用金属掩模板的基材进行第一次刻蚀，以形成蒸镀开口区域和厚度渐变区域的第一层阶梯；...

【专利技术属性】
技术研发人员：范波涛，王水俊，王亚，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32