基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统，主要由处理芯片U，三极管VT2，极性电容C6，极性电容C7，信号带宽调整电路，差分放大电路，二阶低通滤波电路，分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路，以及串接在处理芯片U的CLK管脚与频率误差校正电路之间的差分放大电路等组成。本发明专利技术的能对信号中的低频干扰信号进行消除或抑制，并能对抗干扰处理后的信号的频点进行放大，使信号更平稳；并且本发明专利技术还能对数据信号中的多栽波信号的相位和频率误差进行校正，从而提高了本发明专利技术对信号处理的效果，有效的确保了数据处理中心得到的污水数据信息的准确性。

High stability signal processing system based on large data for monitoring system of sewage network

The invention discloses a high stability signal processing system of sewage network monitoring device based on large data, mainly by processing chip U, a triode VT2, a capacitor C6 polarity, polarity of capacitor C7, the bandwidth of the signal adjusting circuit, differential amplifier, two order low-pass filter circuit are respectively connected with the frequency error processing chip U CS pin and G pin and OUT pin correction circuit, and a series of pins and frequency error correction circuit between the processing chip U CLK differential amplifier circuit etc.. The invention can eliminate or suppress the low-frequency interference signal of the signal, and can enlarge the frequency signal jamming after processing, the signal is more stable; and the invention can in a variety of data signal phase and frequency error signal is corrected, thereby improving the effect of signal the effective treatment, to ensure the accuracy of sewage data data processing center of the.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种处理系统，具体是指一种基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统。
技术介绍
现在的社会是一个高速发展的社会，科技发达，信息流通，人们之间的交流越来越密切，生活也越来越方便，大数据就是这个高科技时代的产物。大数据是指以多元形式，自许多来源搜集而来的庞大数据组，具有较强的实时性。随着信息科技的不断发展，大数据被广泛的用于污水网监测装置。目前的基于大数据的污水网监测装置主要由大数据处理中心、监测点采集盒、区域信号收发系统、区域信号处理系统和区域数据存储系统组成；而大数据处理中心得到的污水数据信息是否准确则主要取决于区域信号处理系统对信号处理是否准确。然而，现有的基于大数据的污水网监测装置的区域信号处理系统存在信号处理效果差，导致数据处理中心得到的污水数据信息准确度不高，致使污水网监控人员不能准确的了解污水管内的污水信息，不能对污水进行有效的治理，从而使人们的生活环境受到严重的影响。因此，提供一种能提高信号处理效果的基于大数据的污水网监测装置用信号处理系统则显得优为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的基于大数据的污水网监测装置的区域信号处理系统存在信号处理效果差的缺陷，本专利技术提供一种基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统。本专利技术通过以下技术方案来实现：基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统，主要由处理芯片U，三极管VT2，正极经电阻R8后与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电感L1后与处理芯片U的COMP管脚相连接的极性电容C6，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与处理芯片U的COMP管脚相连接的电阻R11，N极与三极管VT2的基极相连接、P极经电阻R9后与处理芯片U的B管脚相连接的二极管D5，正极与处理芯片U的B管脚相连接、负极经可调电阻R10后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C7，与处理芯片U的VC管脚相连接的二阶低通滤波电路，串接在二阶低通滤波电路与处理芯片U的IN管脚之间的信号带宽调整电路，分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路，以及串接在处理芯片U的CLK管脚与频率误差校正电路之间的差分放大电路组成；所述三极管VT2的发射极与处理芯片U的OUT管脚相连接、其集电极接地；所述处理芯片U的GND管脚接地；所述处理芯片U的VC管脚与外部12V直流电源相连接。所述信号带宽调整电路由放大器P5，放大器P6，三极管VT6，三极管VT7，负极与放大器P5的正极相连接、正极与二阶低通滤波电路相连接的极性电容C18，P极经电阻R26后与放大器P5的负极相连接、N极与三极管VT6的集电极相连接的二极管D12，正极与三极管VT6的发射极相连接、负极电阻R30后与放大器P6的正极相连接的极性电容C19，P极与放大器P6的负极相连接后接地、N极经电阻R31后与放大器P6的输出端相连接的二极管D14，正极与放大器P6的输出端相连接、负极与处理芯片U的IN管脚相连接的极性电容C22，负极与放大器P6的正极相连接、正极经电感L3后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C20，一端与极性电容C20的正极相连接、另一端与三极管VT7的基极相连接的可调电阻R28，P极与放大器P5的输出端相连接、N极三极管VT7的发射极相连接的二极管D13，以及正极经电阻R27后与放大器P5的输出端相连接、负极经电阻R29后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C21组成；所述极性电容C19的负极接地；所述极性电容C20的正极还与放大器P5的负极相连接；所述三极管VT7的集电极还与放大器P6的输出端相连接。进一步的，所述差分放大电路由放大器P3，放大器P4，三极管VT5，正极经电阻R19后与放大器P3的负极相连接、负极接地的极性电容C14，P极与放大器P3的正极相连接、N极经电阻R18后与放大器P3的输出端相连接的二极管D9，正极经电感L2后与放大器P3的正极相连接、负极与放大器P3的输出端相连接的极性电容C12，正极与放大器P3的输出端相连接、负极与放大器P4的正极相连接的极性电容C13，正极经电阻R21后与三极管VT5的基极相连接、负极与放大器P4的输出端相连接的极性电容C16，负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电阻R20后与放大器P4的输出端相连接的极性电容C15，负极经电阻R23后与放大器P4的负极相连接、正极经电阻R24后与放大器P4的输出端相连接的极性电容C17，P极与放大器P4的负极相连接后接地、N极经电阻R25后与极性电容C17的正极相连接的二极管D11，以及P极经可调电阻R22后与放大器P4的正极相连接、N极与放大器P4的负极相连接的二极管D10组成；所述放大器P3的正极与处理芯片U的CLK管脚相连接；所述三极管VT5的发射极与放大器P4的正极相连接；所述二极管D10的P极接地；所述放大器P4的输出端还与频率误差校正电路相连接。所述二阶低通滤波电路由放大器P1，三极管VT1，场效应管MOS，正极经电阻R4后与三极管VT1的基极相连接、负极作为二阶低通滤波电路的输入端的极性电容C3，负极与放大器P1的正极相连接、正极经电阻R3后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极与极性电容C2的负极相连接的二极管D2，正极与场效应管MOS的栅极相连接、负极经电阻R2后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C1，N极与场效应管MOS的源极相连接、P极与处理芯片U的VC管脚相连接的稳压二极管D1，一端与稳压二极管D1的P极相连接、另一端与接地的电阻R1，P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与三极管VT1的发射极相连接的二极管D3，P极与放大器P1的负极相连接、N极经电阻R5后与放大器P1的输出端相连接的二极管D4，正极经电阻R6后与放大器P1的负极相连接、负极与放大器P1的输出端相连接的极性电容C4，以及正极电阻R7后与放大器P1的输出端相连接、负极接地的极性电容C5组成；所述极性电容C2的负极接地；所述放大器P1的正极还与极性电容C3的正极相连接、其输出端还分别与三极管VT1的发射极和极性电容C18的正极相连接、其负极接地。所述频率误差校正电路由放大器P2，三极管VT3，三极管VT4，P极与处理芯片U的CS管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D6，正极与处理芯片U的G管脚相连接、负极与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C10，P极经电阻R15后与三极管VT4的发射极相连接、N极与三极管VT3的集电极相连接的二极管D8，负极与三极管VT4的发射极相连接、正极经电阻R17后与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C11，一端与三极管VT3的集电极相连接后接地、另一端与三极管VT3的基极相连接的可调电阻R16，P极与三极管VT3的基极相连接、N极经电阻R14后与放大器P2的输出端相连接的二极管D7，正极电阻R13后与放大器P2的负极相连接、负极与放大器P2的输出端相连接的极性电容C9，以及正极与放大器P2的正极相连接、负极经电阻R12后与放大器P2的输出端相连接的极性电容C8组成；所述三极管VT4的集电极接地；所述三极管VT3的基极还与放大器P2的负极相连接、其发射极与放大器P4的输出端相连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统，主要由处理芯片U，三极管VT2，正极经电阻R8后与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电感L1后与处理芯片U的COMP管脚相连接的极性电容C6，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与处理芯片U的COMP管脚相连接的电阻R11，N极与三极管VT2的基极相连接、P极经电阻R9后与处理芯片U的B管脚相连接的二极管D5，正极与处理芯片U的B管脚相连接、负极经可调电阻R10后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C7，与处理芯片U的VC管脚相连接的二阶低通滤波电路，串接在二阶低通滤波电路与处理芯片U的IN管脚之间的信号带宽调整电路，分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路，以及串接在处理芯片U的CLK管脚与频率误差校正电路之间的差分放大电路组成；所述三极管VT2的发射极与处理芯片U的OUT管脚相连接、其集电极接地；所述处理芯片U的GND管脚接地；所述处理芯片U的VC管脚与外部12V直流电源相连接。

【技术特征摘要】
1.基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统，主要由处理芯片U，三极管VT2，正极经电阻R8后与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电感L1后与处理芯片U的COMP管脚相连接的极性电容C6，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与处理芯片U的COMP管脚相连接的电阻R11，N极与三极管VT2的基极相连接、P极经电阻R9后与处理芯片U的B管脚相连接的二极管D5，正极与处理芯片U的B管脚相连接、负极经可调电阻R10后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C7，与处理芯片U的VC管脚相连接的二阶低通滤波电路，串接在二阶低通滤波电路与处理芯片U的IN管脚之间的信号带宽调整电路，分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路，以及串接在处理芯片U的CLK管脚与频率误差校正电路之间的差分放大电路组成；所述三极管VT2的发射极与处理芯片U的OUT管脚相连接、其集电极接地；所述处理芯片U的GND管脚接地；所述处理芯片U的VC管脚与外部12V直流电源相连接。2.根据权利要求1所述的基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统，其特征在于，所述信号带宽调整电路由放大器P5，放大器P6，三极管VT6，三极管VT7，负极与放大器P5的正极相连接、正极与二阶低通滤波电路相连接的极性电容C18，P极经电阻R26后与放大器P5的负极相连接、N极与三极管VT6的集电极相连接的二极管D12，正极与三极管VT6的发射极相连接、负极电阻R30后与放大器P6的正极相连接的极性电容C19，P极与放大器P6的负极相连接后接地、N极经电阻R31后与放大器P6的输出端相连接的二极管D14，正极与放大器P6的输出端相连接、负极与处理芯片U的IN管脚相连接的极性电容C22，负极与放大器P6的正极相连接、正极经电感L3后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C20，一端与极性电容C20的正极相连接、另一端与三极管VT7的基极相连接的可调电阻R28，P极与放大器P5的输出端相连接、N极三极管VT7的发射极相连接的二极管D13，以及正极经电阻R27后与放大器P5的输出端相连接、负极经电阻R29后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C21组成；所述极性电容C19的负极接地；所述极性电容C20的正极还与放大器P5的负极相连接；所述三极管VT7的集电极还与放大器P6的输出端相连接。3.根据权利要求2所述的基于大数据的排污网监测装置用高稳定性信号处理系统，其特征在于，所述差分放大电路由放大器P3，放大器P4，三极管VT5，正极经电阻R19后与放大器P3的负极相连接、负极接地的极性电容C14，P极与放大器P3的正极相连接、N极经电阻R18后与放大器P3的输出端相连接的二极管D9，正极经电感L2后与放大器P3的正极相连接、负极与放大器P3的输出端相连接的极性电容C12，正极与放大器P3的输出端相连接、负极与放大器P4的正极相连接的极性电容C13，正极经电阻R21后与三极管VT5的基极相连接、负极与放大器P4的输出端相连接的极性电容C16，负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电阻R20后与放大器P4的输出端相连接的极性电容C15，负极经电阻R23后与放大器P4的负极相连接、正极经电阻R24后与放大器P4的输出端相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛鸿雁，
申请(专利权)人：成都东创精英科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51