一种TFT基板及液晶显示模组制造技术

技术编号:14587935 阅读:72 留言:0更新日期:2017-02-08 17:13
本实用新型专利技术公开了一种TFT基板及液晶显示模组。该TFT基板包括透明基板以及依次形成在所述透明基板上的栅极层、栅绝缘层、半导体层、源/漏极层和保护层,所述保护层上方形成有非晶硅层。该TFT基板及液晶显示模组在受到环境光和背光的照射下,TFT不会产生光生载流子,光照不会影响到TFT的阈值电压、电子迁移率和漏电流等。

TFT substrate and liquid crystal display module

The utility model discloses a TFT substrate and a liquid crystal display module. The TFT substrate comprises a transparent substrate, a gate layer, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a source / drain layer and a protective layer which are sequentially formed on the transparent substrate. The TFT substrate and the liquid crystal display module under the irradiation of ambient light and backlight, TFT will not produce photogenerated carriers, illumination will not affect the threshold voltage of TFT, electron mobility and leakage current, etc..

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示领域,尤其涉及一种TFT基板及液晶显示模组。
技术介绍
TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜,通过对膜的加工制作需要的电路。由于TFT-LCD的半导体层多采用a-Si(非晶硅),而非晶硅对光比较敏感,所以TFT容易受光的影响。当环境光和背光进入盒内结构后,TFT受到光照后产生光生载流子,进而影响TFT的阈值电压、电子迁移率和漏电流等。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足,本技术提供一种TFT基板及液晶显示模组。该TFT基板及液晶显示模组在受到环境光和背光的照射下,TFT不会产生光生载流子,光照不会影响到TFT的阈值电压、电子迁移率和漏电流等。本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:一种TFT基板,包括透明基板以及依次形成在所述透明基板上的栅极层、栅绝缘层、半导体层、源/漏极层和保护层,所述保护层上方形成有非晶硅层。进一步地,所述半导体为非晶硅。进一步地,所述透明基板的材质为塑料、或者玻璃、或者蓝宝石。进一步地,所述栅极层的材质为金属。进一步地,所述源/漏极层的材质为金属。进一步地,所述栅绝缘层的材质为氮化硅。进一步地,所述保护层的材质为氮氧化硅。一种液晶显示模组,包括上述的TFT基板。本技术具有如下有益效果:该TFT基板及液晶显示模组通过在TFT基板的保护层上形成一层非晶硅层,非晶硅层吸收一部分环境光和背光,可以防止在受到环境光和背光的照射下,TFT产生光生载流子的现象,光照不会影响到TFT的阈值电压、电子迁移率和漏电流等。附图说明图1为本技术提供的TFT基板的结构图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进行详细的说明。如图1所示,一种TFT基板,包括透明基板1以及依次形成在所述透明基板1上的栅极层2、栅绝缘层3、半导体层4、源/漏极层5和保护层6,所述保护层6上方形成有非晶硅层7。该TFT基板通过在保护层6上形成一层非晶硅层7,非晶硅层7吸收一部分环境光和背光,可以防止在受到环境光和背光的照射下,TFT产生光生载流子的现象,光照不会影响到TFT的阈值电压、电子迁移率和漏电流等。所述半导体层4的材质为非晶硅。所述透明基板1的材质为塑料、或者玻璃、或者蓝宝石;所述栅极层2的材质为金属;所述源/漏极层5的材质为金属;所述栅绝缘层3的材质为氮化硅;所述保护层6的材质为氮氧化硅。一种液晶显示模组,依次包括下偏光片、上述的TFT基板、液晶材料、彩膜基板和上偏光片。以上所述实施例仅表达了本技术的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板,包括透明基板以及依次形成在所述透明基板上的栅极层、栅绝缘层、半导体层、源/漏极层和保护层,其特征在于,所述保护层上方形成有光吸收层,所述光吸收层的材质为非晶硅。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板,包括透明基板以及依次形成在所述透明基板上的栅极层、栅绝缘层、半导体层、源/漏极层和保护层,其特征在于,所述保护层上方形成有光吸收层,所述光吸收层的材质为非晶硅。2.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述半导体层的材质为非晶硅。3.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述透明基板的材质为塑料、或者玻璃、或者蓝宝石。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:王亚威林建伟李林庄崇营
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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