The utility model discloses a polysilicon film with UV filter and anti reflection light, the surface of the polysilicon film body provided with an auxiliary gate line and the main gate line, the two ends of the polysilicon film body are all provided with bus electrode and the bus electrode by auxiliary grid line and the main gate line bus respectively composition of the polysilicon sheet body border coated with butadiene rubber layer, the polysilicon film comprises etching down layer, antireflection film has set the lower side etching down layer, the anti reflective film of the lower surface is connected with a P type polysilicon layer, a N type polysilicon layer is arranged below the P type the polycrystalline silicon layer, under the surface of the N type polysilicon layer has a UV filter film layer, the device improves the light absorption efficiency of the filter, ultraviolet light, and increased with the use of polysilicon EVA glue service life extended by The working life of the polycrystalline silicon sheet to form a battery.
【技术实现步骤摘要】
本技术属于多晶硅片
,具体涉及一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片。
技术介绍
能源短缺和环境污染是世纪人类所面临的两个重大问题,成为国际社会经济发展的瓶颈。太阳能作为清洁无污染的可再生能源提供了解决这两个问题的最好方案。目前,如何研制出光电转换效率高、寿命长、性能稳定以及成本低廉的太阳电池已经引起了全世界的广泛关注。因此,基于时代发展的需要,太阳电池具有广阔的发展空间。太阳能光伏发电市场正蓬勃发展,在过去10年间,太阳电池市场每年以40%的比例迅速增长,其中晶体硅太阳电池占据了太阳电池近90%的市场份额,由于多晶硅片制成电池片后,EVA胶长期受紫外线照射导致老化变黄,影响光电转化效率,导致电池片使用寿命下降,吸光层在吸光的过程中会有光源反射,大大降低了光源利用率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,包括多晶硅片本体,所述多晶硅片本体的表面设置有副栅线和主栅线,所述多晶硅片本体的沿边包覆有顺丁橡胶层,所述多晶硅片本体包括刻蚀绒层,所述刻蚀绒层的下侧设置有抗反射膜,所述抗反射膜的下表面连接有P型多晶硅层,所述P型多晶硅层的下侧设置有N型多晶硅层,所述N型多晶硅层的下表面贴合有滤紫外线薄膜层。优选的,所述多晶硅片本体的两端均设置有汇流电极,且所述汇流电极由副栅线和主栅线分别汇流组成。优选的,所述多晶硅片本体的四角均设置有倒角,且倒角与棱边成45°角。优选的,所述副栅线和主栅线相互垂直设置,且主栅线 ...
【技术保护点】
一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,包括多晶硅片本体(1),其特征在于:所述多晶硅片本体(1)的表面设置有副栅线(3)和主栅线(4),所述多晶硅片本体(1)的沿边包覆有顺丁橡胶层(2),所述多晶硅片本体(1)包括刻蚀绒层(5),所述刻蚀绒层(5)的下侧设置有抗反射膜(6),所述抗反射膜(6)的下表面连接有P型多晶硅层(8),所述P型多晶硅层(8)的下侧设置有N型多晶硅层(9),所述N型多晶硅层(9)的下表面贴合有滤紫外线薄膜层(10)。
【技术特征摘要】
1.一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,包括多晶硅片本体(1),其特征在于:所述多晶硅片本体(1)的表面设置有副栅线(3)和主栅线(4),所述多晶硅片本体(1)的沿边包覆有顺丁橡胶层(2),所述多晶硅片本体(1)包括刻蚀绒层(5),所述刻蚀绒层(5)的下侧设置有抗反射膜(6),所述抗反射膜(6)的下表面连接有P型多晶硅层(8),所述P型多晶硅层(8)的下侧设置有N型多晶硅层(9),所述N型多晶硅层(9)的下表面贴合有滤紫外线薄膜层(10)。2.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙显强,
申请(专利权)人:温州市赛拉弗能源有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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