一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片制造技术

技术编号:14587926 阅读:208 留言:0更新日期:2017-02-08 17:13
本实用新型专利技术公开了一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,所述多晶硅片本体的表面设置有副栅线和主栅线,所述多晶硅片本体的两端均设置有汇流电极,且所述汇流电极由副栅线和主栅线分别汇流组成,所述多晶硅片本体的沿边包覆有顺丁橡胶层,所述多晶硅片本体包括刻蚀绒层,所述刻蚀绒层的下侧设置有抗反射膜,所述抗反射膜的下表面连接有P型多晶硅层,所述P型多晶硅层的下侧设置有N型多晶硅层,所述N型多晶硅层的下表面贴合有滤紫外线薄膜层,该装置提高光能吸收效率,过滤紫外线光,增加与多晶硅片配合使用的EVA胶使用寿命,延长了由多晶硅片组成电池片的工作寿命。

Polycrystalline silicon sheet with ultraviolet filtering and anti reflection light effect

The utility model discloses a polysilicon film with UV filter and anti reflection light, the surface of the polysilicon film body provided with an auxiliary gate line and the main gate line, the two ends of the polysilicon film body are all provided with bus electrode and the bus electrode by auxiliary grid line and the main gate line bus respectively composition of the polysilicon sheet body border coated with butadiene rubber layer, the polysilicon film comprises etching down layer, antireflection film has set the lower side etching down layer, the anti reflective film of the lower surface is connected with a P type polysilicon layer, a N type polysilicon layer is arranged below the P type the polycrystalline silicon layer, under the surface of the N type polysilicon layer has a UV filter film layer, the device improves the light absorption efficiency of the filter, ultraviolet light, and increased with the use of polysilicon EVA glue service life extended by The working life of the polycrystalline silicon sheet to form a battery.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于多晶硅片
,具体涉及一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片。
技术介绍
能源短缺和环境污染是世纪人类所面临的两个重大问题,成为国际社会经济发展的瓶颈。太阳能作为清洁无污染的可再生能源提供了解决这两个问题的最好方案。目前,如何研制出光电转换效率高、寿命长、性能稳定以及成本低廉的太阳电池已经引起了全世界的广泛关注。因此,基于时代发展的需要,太阳电池具有广阔的发展空间。太阳能光伏发电市场正蓬勃发展,在过去10年间,太阳电池市场每年以40%的比例迅速增长,其中晶体硅太阳电池占据了太阳电池近90%的市场份额,由于多晶硅片制成电池片后,EVA胶长期受紫外线照射导致老化变黄,影响光电转化效率,导致电池片使用寿命下降,吸光层在吸光的过程中会有光源反射,大大降低了光源利用率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,包括多晶硅片本体,所述多晶硅片本体的表面设置有副栅线和主栅线,所述多晶硅片本体的沿边包覆有顺丁橡胶层,所述多晶硅片本体包括刻蚀绒层,所述刻蚀绒层的下侧设置有抗反射膜,所述抗反射膜的下表面连接有P型多晶硅层,所述P型多晶硅层的下侧设置有N型多晶硅层,所述N型多晶硅层的下表面贴合有滤紫外线薄膜层。优选的,所述多晶硅片本体的两端均设置有汇流电极,且所述汇流电极由副栅线和主栅线分别汇流组成。优选的,所述多晶硅片本体的四角均设置有倒角,且倒角与棱边成45°角。优选的,所述副栅线和主栅线相互垂直设置,且主栅线至少设置有四条,且等距设置。本技术的技术效果和优点:该具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,通过在多晶硅片本体的表面包覆有顺丁橡胶层,且多晶硅片本体的四角设置有45°倒角,防止多晶硅片在运输的过程中由于拐角碰撞导致的破损,在光能吸收转化的过程中,部分光源通过折射散失,降低对光的吸收率,导致光能转换效率低,通过在刻蚀绒层的下侧设置抗反射膜,保证光照的过程中,减少光源反射,提高光源的吸收效率,有利于提高光电转化,通过滤紫外线薄膜层将照射进入的紫外线光进行折射过滤,防止紫外线光长时间照射导致与多晶硅片本体密封粘结的EVA胶老化变黄,影响多晶硅片光电转化效率,影响使用寿命,该装置提高光能吸收效率,过滤紫外线光,增加与多晶硅片配合使用的EVA胶使用寿命,延长了由多晶硅片组成电池片的工作寿命。附图说明图1为本技术的多晶硅片主视结构示意图;图2为本技术的多晶硅片剖视结构示意图。图中:1多晶硅片本体、2顺丁橡胶层、3副栅线、4主栅线、5刻蚀绒层、6抗反射膜、7吸光层、8P型多晶硅层、9N型多晶硅层、10滤紫外线薄膜层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。本技术提供了如图1-2所示的一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,包括多晶硅片本体1,所述多晶硅片本体1的表面设置有副栅线3和主栅线4,所述多晶硅片本体1的沿边包覆有顺丁橡胶层2,所述多晶硅片本体1包括刻蚀绒层5,所述刻蚀绒层5的下侧设置有抗反射膜6,所述抗反射膜6的下表面连接有P型多晶硅层8,所述P型多晶硅层8的下侧设置有N型多晶硅层9,所述N型多晶硅层9的下表面贴合有滤紫外线薄膜层10。进一步的,所述多晶硅片本体1的两端均设置有汇流电极,且所述汇流电极由副栅线3和主栅线4分别汇流组成,便于将光能转化成电能的电子通过汇流电极进行传输。进一步的,所述多晶硅片本体1的四角均设置有倒角,且倒角与棱边成45°角,通过顺丁橡胶层2包覆的多晶硅片本体1倒角,大大降低了多晶硅片在运输的过程中碰撞导致的不良率。进一步的,所述副栅线3和主栅线4相互垂直设置,且主栅线4至少设置有四条,且等距设置,副栅线3和主栅线4作为栅状电极,起到汇流导电的作用。工作原理:多晶硅片本体1的表面设置有副栅线3和主栅线4,相互垂直设置,且副栅线3和主栅线4作为栅状电极,起到汇流导电的作用,多晶硅片本体1的沿边包覆有顺丁橡胶层2,且多晶硅片本体1的四角均设置有45°倒角,避免因拐角碰撞导致的破裂,影响产品质量,刻蚀绒层5的下侧设置有抗反射膜6,通过抗反射膜6减少光能折射散失,提高光能利用率,N型多晶硅层9的下表面贴合有滤紫外线薄膜层10,减少紫外线对与多晶硅片配合使用的EVA胶的照射,降低EVA胶的老化,提高由多晶硅片制成的电池片的使用寿命。最后应说明的是:以上所述仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,包括多晶硅片本体(1),其特征在于:所述多晶硅片本体(1)的表面设置有副栅线(3)和主栅线(4),所述多晶硅片本体(1)的沿边包覆有顺丁橡胶层(2),所述多晶硅片本体(1)包括刻蚀绒层(5),所述刻蚀绒层(5)的下侧设置有抗反射膜(6),所述抗反射膜(6)的下表面连接有P型多晶硅层(8),所述P型多晶硅层(8)的下侧设置有N型多晶硅层(9),所述N型多晶硅层(9)的下表面贴合有滤紫外线薄膜层(10)。

【技术特征摘要】
1.一种具有过滤紫外线和抗反射光作用的多晶硅片,包括多晶硅片本体(1),其特征在于:所述多晶硅片本体(1)的表面设置有副栅线(3)和主栅线(4),所述多晶硅片本体(1)的沿边包覆有顺丁橡胶层(2),所述多晶硅片本体(1)包括刻蚀绒层(5),所述刻蚀绒层(5)的下侧设置有抗反射膜(6),所述抗反射膜(6)的下表面连接有P型多晶硅层(8),所述P型多晶硅层(8)的下侧设置有N型多晶硅层(9),所述N型多晶硅层(9)的下表面贴合有滤紫外线薄膜层(10)。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙显强
申请(专利权)人:温州市赛拉弗能源有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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