一种斜面异形硅片及其加工方法技术

本发明专利技术提供了一种斜面异形硅片，属于硅片加工技术领域，由一斜面、一底面和一柱面组成，所述柱面上设有两个切面，两个切面对称设置。上述斜面异形硅片的加工方法，包括如下步骤：(1)将硅棒切割成所需厚度；(2)在硅棒的柱面上滚磨出两个切面；(3)沿一斜面将硅棒截成A、B两段；(4)将A段置于B段上，其中斜面a1和斜面b1相贴合，所述A段的底面a朝上，并对底面a进行平磨，平磨完毕之后，将A段的斜面a朝上，并对斜面a进行平磨，平磨完毕之后，即得A段异形硅片；(5)采用步骤(4)的方法进行操作，得到B段异形硅片。本发明专利技术工艺简单，易操作，加工出来的硅片的尺寸精度高，误差小，无需配备大量的加工设备和人力成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工
，具体是一种斜面异形硅片及其加工方法。
技术介绍
半导体硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒角、磨片(包括磨削和研磨)、腐蚀、抛光、清洗等工艺过程制造而成。现有的工艺复杂繁琐，并且需要配备专门的设备才可完成；并且硅片因其材质的特殊性，也不能通过简单的模具制造出来。本专利技术提供了一种异形硅片的加工方法，工艺简单，易操作，加工出来的硅片的尺寸精度高，误差小，无需配备大量的加工设备和人力成本。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在提供了一种异形硅片。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种斜面异形硅片，由一斜面、一底面和一柱面组成，所述柱面上设有两个切面，两个切面对称设置。进一步地，所述斜面的倾斜角度为8°。进一步地，所述底面的圆弧直径为200mm。进一步地，所述两个切面之间的距离为190mm。进一步地，所述切面的宽度为62.45mm。进一步地，所述斜面与底面之间的最大距离为38.50mm，最小距离为10.00mm。本专利技术的另一个目的在于提供一种异形硅片的加工方法，工艺简单，易操作，加工出来的硅片的尺寸精度高，误差小，无需配备大量的加工设备和人力成本。上述斜面异形硅片的加工方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将硅棒切割成所需厚度；(2)在硅棒的柱面上滚磨出两个切面；(3)沿一斜面将硅棒截成A、B两段，所述A段截出一斜面a，所述B段截出一斜面b；(4)将A段置于B段上，其中斜面a和斜面b相贴合，所述A段的底面a朝上，并对底面a进行平磨，所述底面a平磨完毕之后，将A段的斜面a朝上，并对斜面a进行平磨，所述斜面a平磨完毕之后，即得A段异形硅片；(5)采用所述步骤(4)的方法进行操作，得到B段异形硅片。相对于现有技术，本专利技术具有以下优势：本专利技术异形硅片的加工方法，工艺简单，易操作，加工出来的硅片的尺寸精度高，误差小，无需配备大量的加工设备和人力成本。附图说明构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术的正视图。图2为本专利技术的俯视图。图3为本专利技术步骤(2)的示意图。图4为本专利技术步骤(2)的另一示意图。图5为本专利技术步骤(3)的示意图.图6为本专利技术对底面2进行平磨的示意图。图7为本专利技术对斜面2进行平磨的示意图。图中：1、斜面；2、底面；3、柱面；4、切面。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。如图1、2所示，一种斜面异形硅片，由一斜面1、一底面2和一柱面3组成，斜面1的倾斜角度为8°，底面2的圆弧直径为200mm，斜面1与底面2之间的最大距离为38.50mm，最小距离为10.00mm，柱面3上设有两个切面4，两个切面4对称设置，两个切面4之间的距离为190mm，切面4的宽度为62.45mm。如图3-7所示，上述斜面异形硅片的加工方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将直径为200mm的硅棒切割成厚度为54.60mm；(2)在硅棒的柱面上滚磨出两个切面，两个切面之间的距离为190mm，切面的宽度为62.45mm；(3)沿一倾斜角度为82°的斜面将硅棒截成A、B两段，A段截出一斜面a，斜面a的倾斜角度为8°，斜面a与底面a之间的最大距离为40.54mm，最小距离为14.00mm，B段截出一斜面b，斜面b的倾斜角度为8°，斜面b与底面b之间的最大距离为40.60mm，最小距离为14.06mm；(4)将A段置于B段上，其中斜面a和斜面b相贴合，A段的底面a朝上，并对底面a进行平磨，底面a平磨完毕之后，将A段的斜面a朝上，并对斜面a进行平磨，斜面a平磨完毕之后，即得A段异形硅片，斜面a的倾斜角度为8°，底面a的圆弧直径为200mm，斜面a与底面a之间的最大距离为38.50mm，最小距离为10.00mm，两个切面a之间的距离为190mm，切面a的宽度为62.45mm；(5)采用所述步骤(4)的方法进行操作，得到B段异形硅片，斜面b的倾斜角度为8°，底面b的圆弧直径为200mm，斜面b与底面b之间的最大距离为38.50mm，最小距离为10.00mm，两个切面b之间的距离为190mm，切面b1的宽度为62.45mm。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种斜面异形硅片，其特征在于：由一斜面、一底面和一柱面组成，所述柱面上设有两个切面，两个切面对称设置。

【技术特征摘要】
1.一种斜面异形硅片，其特征在于：由一斜面、一底面和一柱面组成，所述柱面上设有两个切面，两个切面对称设置。2.根据权利要求1所述的斜面异形硅片，其特征在于：所述斜面的倾斜角度为8°。3.根据权利要求1所述的斜面异形硅片，其特征在于：所述底面的圆弧直径为200mm。4.根据权利要求1所述的斜面异形硅片，其特征在于：所述两个切面之间的距离为190mm。5.根据权利要求1所述的斜面异形硅片，其特征在于：所述切面的宽度为62.45mm。6.根据权利要求1所述的斜面异形硅片，其特征在于：所述斜面与底面之间的最大距离为38.50m...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛佳伟，薛佳勇，王海军，
申请(专利权)人：天津众晶半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12