一种倒装LED芯片版图布局结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极对称设置在对角位置，所述P电极焊点设置在芯片左侧；所述N电极焊点设置在芯片右侧。倒装LED芯片版图布局结构做出的LED芯片发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片结构，尤其涉及一种倒装LED芯片版图布局结构。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)器件是一种可将电能转换为光能的能量转换器件，具有工作电压低、耗电量少、性能稳定、寿命长、抗冲击等优点。LED芯片版图布局结构直接决定芯片的发光区面积占比和光效、电流扩展和芯片质量。目前，有的版图布局结构不佳，使得做出的LED芯片，电流扩展差，电性差，发光不均匀，亮度低，光效差，可靠性差，寿命低。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种倒装LED芯片版图布局结构，发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极对称设置在对角位置，所述P电极焊点设置在芯片左侧；所述N电极焊点设置在芯片右侧。所述芯片的长方形的长度为635微米，宽度为152微米。有益效果：本技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷，本技术的版图布局结构做出的LED芯片发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1是本技术的优选实施例的结构示意图。其中:1、芯片；2、P电极焊点；3、N电极焊点；4、N电极电流扩展电极；5、P电极电流扩展电极；6、LED芯片发光区。具体实施方式下面结合附图对本技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本技术的优点和特征能更易被本领域人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。如图1所示，本技术的实施例包括：一种倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点2、N电极焊点3、N电极电流扩展电极4、P电极电流扩展电极5、LED芯片发光区6；芯片1为长方形，所述N电极电流扩展电极4、P电极电流扩展电极5对称设置在对角位置，所述P电极焊点2设置在芯片1左侧；所述N电极焊点3设置在芯片1右侧。所述芯片1的长方形的长度为635微米，宽度为152微米。应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。由本技术的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术的保护范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装LED芯片版图布局结构，其特征在于：包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极对称设置在对角位置，所述P电极焊点设置在芯片左侧；所述N电极焊点设置在芯片右侧。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片版图布局结构，其特征在于：包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极对称设置在对角位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振，吕晓飞，
申请(专利权)人：江苏晶瑞半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32