【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高温液态硅中底部籽晶的高度测量装置,特别涉及一种多晶硅铸锭炉中高温液态硅固液面的测量装置。
技术介绍
多晶硅铸锭环节的工艺过程控制会影响晶体的重要电学参数,直接影响到后续电池转换效率的高低。多晶硅铸锭工艺技术由最初国外掌握的传统的全熔工艺,如美国GT-SOLAR公司和法国ECM公司,到后续的由国内外同时研发的准单晶技术,如德国的ALD公司和国内的晶澳光伏、凤凰光伏等企业,再到只有我国进行研发的全熔高效工艺,再到目前的半熔高效多晶铸锭工艺国内已成为主流,每一次铸锭工艺的提升,都会使硅片的电学性能更加稳定,晶体结构更加理想,位错进一步减少。半熔过程中关键控制点就是底部籽晶高度的控制,籽晶保留过高,会影响得料率,籽晶保留过低,可能变为全熔,没有半熔的效果。因此目前所有厂家均采取人工测量,采用高纯石英棒缓慢插入高温液态硅中,等玻璃棒达到固态硅时,通过工人的手感来判断再标识位置,通过直尺的测量计算完成高度的确定。该操作对人员要就高,而且人员工作量大,误差大,而且所有的高纯石英棒在高温下容易弯曲变形,影响到原点的判断,一般最多使用两次就报废了,相对测量的耗材费用偏高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种多晶硅铸锭炉中高温液态硅中籽晶高度的测量装置,解决了多晶硅铸锭半熔工艺中测量底部籽晶高度时偏差大,操作复杂和测量成本高的技术问题。本专利技术是通过以下技术方案解决以上技术问题的:一种多晶硅铸锭炉中高温液态硅中籽晶高度的测量装置,包括多晶硅铸锭炉中的固态籽晶,在固态籽晶上设置有液态硅,在多晶硅铸锭炉炉 ...
【技术保护点】
一种多晶硅铸锭炉中高温液态硅中籽晶高度的测量装置,包括多晶硅铸锭炉中的固态籽晶(8),在固态籽晶(8)上设置有液态硅(7),其特征在于,在多晶硅铸锭炉炉体顶盖(5)上设置有测量孔(12),在测量孔(12)上设置有测量支架(13),在测量支架(13)上分别设置有伺服电机(11)和导向轮(4),在伺服电机(11)的输出轴上设置有碳绳收放轮(1),碳绳(2)的一端缠绕在碳绳收放轮(1)上,碳绳(2)的另一端依次通过导向轮(4)和测量孔(12)后伸入到多晶硅铸锭炉中,在碳绳(2)的另一端的端部吊接有氮化硅测晶棒(6), 在测量支架(13)上分别设置有碳绳(2)的张力传感器(9)和氮化硅测晶棒(6)的光电位置传感器(10)。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭炉中高温液态硅中籽晶高度的测量装置,包括多晶硅铸锭炉中的固态籽晶(8),在固态籽晶(8)上设置有液态硅(7),其特征在于,在多晶硅铸锭炉炉体顶盖(5)上设置有测量孔(12),在测量孔(12)上设置有测量支架(13),在测量支架(13)上分别设置有伺服电机(11)和导向轮(4),在伺服电机(11)的输出轴上设置有碳绳收放轮(1),碳绳(2)的一端缠绕在碳绳收放轮(1)上,碳绳(2)的另一端依次通过导向...
【专利技术属性】
技术研发人员:周社柱,
申请(专利权)人:山西中电科新能源技术有限公司,
类型:新型
国别省市:山西;14
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