【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书的实施例总体涉及纳米线微电子器件的领域,并且更具体而言,涉及使用内部间隔体所形成的纳米线晶体管。
技术介绍
集成电路部件的更高性能、更低成本、加强的微型化,以及集成电路的更大封装密度是制造微电子器件的微电子行业的一直的目标。在实现这些目标时,微电子器件减小,即,变得更小,这增加了对每种集成电路部件的最优性能的需求,包括在减小短沟道效应、寄生电容和截止状态漏电流的同时管理晶体管驱动电流。非平面晶体管,例如基于鳍和纳米线的器件,使得能够改善对短沟道效应的控制。例如,在基于纳米线的晶体管中,栅极电极包裹在纳米线的完全周边周围,使能沟道区中的更完全耗尽,并减小由于更陡峭的亚阈值电流摆幅(SS)和更小的漏极感应势垒降低(DIBL)导致的短沟道效应。纳米线器件中使用的周围包裹的栅极结构和源极/漏极接触还使得能够更好地管理有源区中的漏电流和电容,即使在驱动电流增大时也是如此,如本领域的技术人员将要理解的那样。附图说明在说明书的结论部分中具体指出并明确主张了本公开内容的主题。根据结合附图的以下描述及附属权利要求,本公开内容的上述和其它特征将变得更加完全地显而易见。要理解的是,附图仅仅示出了根据本公开内容的几个实施例,并且因此,不应被视为限制其范围。将利用附图以额外的特异性和细节来描述本公开内容,从而可以更容易确定本公开内容的优点,其中:图1-17是根据本说明书的实施例的形成纳米线晶 ...
【技术保护点】
一种形成纳米线晶体管的方法,包括:提供微电子结构,所述微电子结构具有:设置在衬底上的鳍结构,所述鳍结构具有多个沟道纳米线;邻接所述鳍结构的一部分的栅极结构,其中,所述栅极结构包括栅极电介质和栅极电极,所述栅极电介质围绕所述鳍结构中的所述多个沟道纳米线中的每个沟道纳米线,所述栅极电极邻接所述栅极电介质;邻接所述栅极电极的一端的牺牲间隔体,其中,所述间隔体邻接所述鳍结构中的包括由牺牲材料分开的所述沟道纳米线的部分;以及源极和漏极的其中之一,其邻接所述鳍结构的一端和所述牺牲间隔体;去除所述牺牲间隔体;从所述沟道纳米线之间去除所述牺牲材料;以及沉积电介质材料以形成间隔体,其中,所述电介质材料设置在所述沟道纳米线之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成纳米线晶体管的方法,包括:
提供微电子结构,所述微电子结构具有:
设置在衬底上的鳍结构,所述鳍结构具有多个沟道纳米线;
邻接所述鳍结构的一部分的栅极结构,其中,所述栅极结构包括
栅极电介质和栅极电极,所述栅极电介质围绕所述鳍结构中的所述多
个沟道纳米线中的每个沟道纳米线,所述栅极电极邻接所述栅极电介
质;
邻接所述栅极电极的一端的牺牲间隔体,其中,所述间隔体邻接
所述鳍结构中的包括由牺牲材料分开的所述沟道纳米线的部分;以及
源极和漏极的其中之一,其邻接所述鳍结构的一端和所述牺牲间
隔体;
去除所述牺牲间隔体;
从所述沟道纳米线之间去除所述牺牲材料;以及
沉积电介质材料以形成间隔体,其中,所述电介质材料设置在所述沟
道纳米线之间。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,沉积所述电介质材料以形成所
述间隔体包括沉积低k电介质材料以形成所述间隔体。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述牺牲间隔体包括二氧化硅、
氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
去除所述间隔体的一部分,以在所述沟道纳米线之间界定内部间隔体;
以及
沉积与所述内部间隔体的电介质材料不同的另一种电介质材料,以在
所述栅极电极与所述源极和漏极的其中之一之间形成外部间隔体,其中,
所述外部间隔体围绕所述内部间隔体和所述沟道纳米线。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法,其中,所述牺牲材料包
括硅,并且其中,所述沟道纳米线包括硅锗。
6.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法,其中,所述牺牲材料包
括硅锗层,并且其中,所述沟道纳米线包括硅。
7.一种形成纳米线晶体管的方法,包括:
提供微电子结构,所述微电子结构具有:
设置在衬底上的鳍结构,所述鳍结构具有多个沟道纳米线;
邻接所述鳍结构的一部分的栅极结构,其中,所述栅极结构包括
栅极电介质和栅极电极,所述栅极电介质围绕所述鳍结构中的所述多
个沟道纳米线中的每个沟道纳米线,所述栅极电极邻接所述栅极电介
质;
邻接所述栅极电极的一端的第一牺牲间隔体,所述第一间隔体邻
接所述鳍结构中的包括由牺牲材料分开的所述沟道纳米线的部分;
邻接所述栅极电极的另一端的第二牺牲间隔体,所述第二牺牲间
隔体邻接所述鳍结构中的包括由所述牺牲材料分开的所述多个沟道纳
米线的另一部分;
邻接所述鳍结构的一端和所述第一牺牲间隔体的源极;以及
邻接所述鳍结构的相对端和所述第二牺牲间隔体的漏极;
去除所述第一牺牲间隔体和所述第二牺牲间隔体;
从所述沟道纳米线之间去除所述牺牲材料;以及
沉积电介质材料以形成第一间隔体和第二间隔体,其中,所述电介质
材料设置在所述沟道纳米线之间。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,沉积所述电介质材料以形成所
述第一间隔体和所述第二间隔体包括沉积低k电介质材料以形成所述第一
间隔体和所述第二间隔体。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一牺牲间隔体和所述第
二牺牲间隔体的至少其中之一包...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·金,D·西蒙,N·拉哈尔乌拉比,CH·林,K·库恩,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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